전체 매출의 약 80%, 7나노 이하 첨단 공정에서 창출할 것으로 기대해 미중 기술 패권 경쟁이 격화하고 글로벌 공급망이 흔들리는 가운데, TSMC는 정반대의 행보를 보이고 있다. 단기 불확실성에도 불구하고 첨단 공정 비중을 더욱 끌어올리겠다고 선언한 것이다. 불과 몇 년 전만 해도 7나노 공정은 업계 최첨단 기술로 여겨졌지만, TSMC는 2나노, 나아가 1.6나노 공정까지 가시화하며 기술 우위를 공고히 하려는 움직임을 본격화하고 있다. TSMC는 전체 매출의 70~80%를 7나노 이하 첨단 공정에서 창출할 것으로 기대한다. 이는 지난해 69%보다 확연히 증가한 수치다. 첨단 공정 수요를 견인할 핵심 기술로는 5G, 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야가 꼽힌다. 특히 올해 하반기에는 2나노 공정이 양산에 돌입할 예정이다. 여기에 더해 HPC 제품에 투입될 예정인 1.6나노급 A16 공정은 2026년 하반기 양산을 목표로 개발 중이다. 이 공정에는 업계 최고 수준으로 평가받는 BSPDN(후면전력공급) 기술이 적용될 예정이며, 이는 전력 효율성과 칩 설계 자유도를 획기적으로 높일 수 있는 기반 기술이다. TSMC의 이러한 기술 전략은 단순한 기술 경쟁
TSMC 웨이저자 이사회 의장, 인텔과의 협력 가능성에 대한 외신 보도에 정면으로 반박 TSMC가 최근 불거진 미국 인텔과의 합작 설립설을 공식 부인했다. 웨이저자 TSMC 이사회 의장은 1분기 실적 발표 후 열린 콘퍼런스콜에서 “TSMC는 현재 어떤 기업과도 합작회사 설립, 기술 라이선스, 기술 이전 및 공유에 대해 논의하고 있지 않다”고 선을 그었다. 이는 앞서 외신들이 보도한 인텔과의 협력 가능성을 정면으로 반박한 발언으로 해석된다. 정보기술(IT) 전문매체 디인포메이션은 이달 초, TSMC와 인텔이 인텔 파운드리 부문을 공동 운영할 합작법인 설립에 잠정 합의했다고 보도했다. 보도에 따르면 TSMC가 해당 합작법인 지분 20%를 보유하고, 인텔에 일부 제조기술을 공유하는 방안이 논의되고 있다고 알려졌다. 블룸버그 역시 지난 2월, 도널드 트럼프 전 미국 대통령의 압박 속에서 TSMC가 인텔 공장의 지배지분을 인수하는 방식의 협력을 검토 중이라는 보도를 내놓은 바 있다. 하지만 TSMC는 이번 콘퍼런스를 통해 이 같은 주장에 대해 명확히 부인하며 자체 비즈니스에 집중할 것임을 분명히 했다. 특히 대만 현지 언론들은 외국인 지분율이 70%를 넘는 TSMC
AMD "5세대 AMD 에픽(EPYC) CPU에 대한 실리콘 구현 및 검증 완료" AMD가 자사의 차세대 서버용 프로세서인 코드명 '베니스(Venice)'를 세계 최초로 TSMC의 2나노미터 공정 기술을 적용한 고성능 컴퓨팅(HPC) 반도체로 개발 중이라고 밝혔다. 이 제품은 내년 출시를 목표로 하며, AMD의 데이터 센터 CPU 로드맵에서 전략적 전환점을 상징하는 주요 제품으로 평가된다. AMD는 이번 베니스 테이프아웃을 통해 TSMC와의 협업이 단순한 고객-공급자 관계를 넘어 고성능 반도체의 아키텍처 설계와 제조 공정 최적화를 동시에 실현하는 전략적 파트너십임을 강조했다. AMD는 이와 함께 TSMC의 미국 애리조나 신규 반도체 제조시설인 'Fab 21'에서 5세대 AMD 에픽(EPYC) CPU에 대한 실리콘 구현 및 검증을 성공적으로 완료했다고 전했다. 이는 미국 내 고성능 반도체 생산 역량을 확대하려는 움직임과도 맞물리며 주목받고 있다. AMD 리사 수 CEO는 "TSMC는 AMD의 핵심 파트너로서 고성능 컴퓨팅(HPC) 한계를 확장해나가는 데 있어 매우 중요한 역할을 해 왔다"며, "이번 N2 공정 기반 제품 개발과 미국 내 팹 활용은 AMD가 기술
AI 서버용 반도체 수요와 프리미엄 스마트폰 부품 수요가 작용한 것으로 알려져 TSMC가 올해 1분기 기대 이상의 실적을 기록했다. 블룸버그와 로이터 등 외신에 따르면, TSMC는 1분기 매출이 전년 동기 대비 42% 증가한 8393억5000만 대만달러(약 37조2700억 원)를 기록했다고 밝혔다. 이는 로이터와 블룸버그가 각각 집계한 애널리스트의 평균 전망치를 모두 상회한 수치다. 이번 실적은 2022년 이후 가장 빠른 성장세로, 최근 급증한 AI 서버용 반도체 수요와 프리미엄 스마트폰 부품 수요가 크게 작용한 것으로 풀이된다. 특히 미국의 대중국 관세 부과에 대한 우려가 반영되면서 TSMC의 주요 고객사들이 수급 불안을 우려해 반도체를 선제적으로 확보하고 있는 것도 성장 요인 중 하나로 지목됐다. 이는 애플 등 미국 소비자들이 트럼프 행정부 시절의 관세 인상 경험을 기억하며 미리 제품을 확보하는 소비 행태와 유사하다는 분석이다. 다만 업계 일부에서는 TSMC의 고속 성장세가 지속되긴 어렵다는 우려도 제기된다. 마이크로소프트(MS)가 최근 글로벌 데이터 센터 신설과 관련해 부지 협상을 중단하거나 프로젝트 진행을 유보한 것으로 알려지며, 데이터 센터와 AI
HBM)와 첨단 패키징 기술 중심으로 긴밀한 협력 관계 유지하고 있어 최태원 SK그룹 회장이 다시 한 번 대만을 찾았다. 지난해 6월 이후 약 10개월 만의 방문으로, 이번 출장에서는 TSMC를 포함한 대만 주요 반도체 기업들과 AI 반도체 분야의 협력 방안을 논의한 것으로 알려졌다. 업계에 따르면 최 회장은 이번 주 초 대만을 방문했으며, SK하이닉스의 곽노정 CEO도 동행한 것으로 전해졌다. TSMC와 SK하이닉스는 이미 고대역폭 메모리(HBM)와 첨단 패키징 기술을 중심으로 긴밀한 협력 관계를 유지하고 있다. 지난해 4월 양사는 6세대 HBM인 HBM4 개발을 위해 기술 협력 양해각서(MOU)를 체결한 바 있으며, 같은 해 6월에는 최 회장이 TSMC 웨이저자 이사회 의장과 회동해 AI 시대의 공동 비전과 기술 협력 방향을 논의하기도 했다. 이번 방문은 그러한 협력 관계의 연장선에서, AI 인프라 구축을 위한 차세대 반도체 기술에 대한 공동 대응이 주요 의제였던 것으로 보인다. 특히 최근 글로벌 AI 수요가 고조되면서, 반도체 공급망 내 전략적 파트너십이 기업들의 미래 성장을 좌우하는 중요한 열쇠로 부상하고 있다. SK하이닉스는 TSMC와의 기술 협력을
겔싱어, TSMC 핵심 기술이 여전히 대만에 머물러 있음을 강조 TSMC의 대규모 미국 투자에도 불구하고, 미국이 반도체 산업에서 리더십을 되찾기에는 부족하다는 지적이 나왔다. 전 인텔 CEO 팻 겔싱어(Pat Gelsinger)는 최근 파이낸셜타임스와의 인터뷰에서 “반도체 리더십은 공장이 아니라 연구개발(R&D)에서 시작된다”며 TSMC의 핵심 기술이 여전히 대만에 머물러 있다는 점을 강조했다. 겔싱어는 TSMC가 발표한 1000억 달러(약 146조 원) 규모의 미국 투자에 대해 “생산시설 건설은 긍정적이지만, 차세대 트랜지스터 기술과 같은 핵심 R&D가 대만에 남아 있는 한, 진정한 기술 리더십 회복에는 한계가 있다”고 평가했다. 이어 “미국 내에서 연구와 설계를 병행하지 않는다면, 제조만으로는 글로벌 주도권을 회복할 수 없다”고 단언했다. TSMC는 이달 초 발표한 투자 계획에서, 미국에서 진행할 R&D는 기존 생산 기술에 국한되며, 최첨단 공정 기술의 연구는 계속해서 대만에서 수행할 것이라고 밝힌 바 있다. 이는 미국이 반도체 전략적 자립을 추진하는 상황에서 중요한 시사점을 던진다. 겔싱어는 도널드 트럼프 전 미국 대통령의 관세
2025년 전 세계 반도체 시장은 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 5G·6G 통신, 전기차 및 자율주행 기술 발전과 맞물려 급격한 성장을 맞이하고 있다. IDC에 따르면, 2025년 반도체 시장 규모는 7798억 달러에 이를 것으로 예상되며, 이는 전년 대비 16% 성장한 수치다. 특히 시스템 반도체 및 AI 반도체 시장이 빠르게 확대되면서 TSMC가 시장에서 차지하는 역할이 확대되고 있다. 업계 1위 위용 과시하는 TSMC 현재 반도체 시장은 메모리 반도체와 비메모리 반도체(시스템 반도체)로 나뉘며, 한국은 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 부문에서는 글로벌 1위를 유지하고 있다. 하지만 시스템 반도체 부문에서는 경쟁력이 부족하다. 이러한 상황에서 TSMC의 행보가 주목받고 있다. 압도적인 파운드리 기술력을 통해 경쟁력 있는 비즈니스 전략을 펼치고 있기 때문이다. TSMC는 세계 최대의 파운드리 기업으로, 삼성전자 파운드리 사업부와 인텔, 글로벌파운드리, UMC 등의 경쟁사보다 압도적인 시장 점유율을 기록하고 있다. 특히, 5나노 이하 초미세 공정 분야에서는 80% 이상의 시장 점유율을 보이며 경쟁사와 격차를 더욱 벌리고 있다. 트렌드포스에 따르면
반도체 산업에서 초미세 공정 기술이 기업의 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소로 떠오르고 있다. 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장이 급성장하면서, 반도체 제조업체들은 더 작고 효율적인 공정을 확보하기 위한 기술 경쟁을 가속화하고 있다. 반도체 경쟁력을 보유한 국가들은 자국의 반도체 기업과 함께 초미세 공정 확보를 위한 인프라 구축, 기술 개발, 인재 양성 등의 과제를 실천하고 있다. 전략 핵심으로 부상한 초미세 공정 현재 글로벌 반도체 시장은 2나노(nm) 이하 공정을 둘러싼 경쟁이 치열하게 전개되고 있다. TSMC와 삼성전자는 2나노 공정의 양산을 2025~2026년 목표로 추진하며, 일본 라피더스도 2027년 2나노 반도체 양산을 선언하며 시장 진입을 예고했다. 미세 공정 기술이 중요한 이유는 단순한 칩 크기 축소를 넘어 성능 향상과 전력 효율 극대화를 가능하게 하기 때문이다. 트랜지스터 간격이 좁아질수록 연산 속도가 빨라지고 전력 소모가 줄어들어 AI, 데이터 센터, 스마트폰, 자율주행차 등 차세대 산업에서 필수적인 요소로 자리 잡고 있다. 그러나 미세 공정으로 갈수록 기술적 난이도가 급격히 증가한다. 수율 확보가 어려워지고, 공정 개발에 투입되는
인텔 "1.8나노 공정A에 대한 관심과 생태계 전반의 참여가 이어지고 있어" 인텔이 추진 중인 1.8나노 파운드리 공정이 엔비디아와 브로드컴의 테스트를 받고 있다고 로이터 통신이 3일(현지시간) 보도했다. 보도에 따르면, 두 기업은 인텔의 1.8나노 공정이 자사 반도체 제조 요구에 적합한지 평가하는 것으로 알려졌다. AMD 역시 1.8나노 공정을 검토 중이지만, 실제 테스트용 칩을 인텔 공장에 보냈는지는 확인되지 않았다. 1.8나노 공정은 인텔이 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언하며 핵심 전략으로 내세운 기술이다. 현재 5나노 이하 파운드리 양산이 가능한 기업은 대만 TSMC와 삼성전자뿐이며, 인텔의 1.8나노는 두 회사의 3나노 공정보다 앞선 수준으로 평가된다. 인텔은 당초 지난해 말부터 1.8나노 공정을 통해 반도체를 대량 생산하겠다고 발표했으나, 생산 일정은 2026년으로 연기됐다. 최근에는 가동 일정이 2025년 중반 이후로 추가 지연될 가능성이 있다는 보도가 나오기도 했다. 인텔 측은 이번 테스트와 관련해 특정 고객을 언급하지 않으면서도 "1.8나노 공정A에 대한 강한 관심과 생태계 전반의 참여가 이어지고 있다"고 밝혔다. 엔비디아와 브로드컴의
TSMC의 미국 투자 확대...삼성·SK 등 국내 기업에 영향 미칠지 주목 받아 TSMC가 미국에 총 1650억 달러(약 240조 원) 규모의 투자 계획을 발표하면서 글로벌 반도체 업계의 전략 변화에 이목이 쏠리고 있다. 미국의 자국 우선주의 기조 속에서 반도체 기업들이 관세와 보조금 정책에 대응하기 위해 현지 투자를 강화하는 움직임이 가속화되는 분위기다. 4일 업계에 따르면 웨이저자(魏哲家) TSMC 회장은 3일(현지시간) 백악관에서 도널드 트럼프 대통령을 면담한 뒤 미국 투자 확대 계획을 공식 발표했다. TSMC는 2020년 미국 애리조나주에 120억 달러를 투자해 반도체 공장을 건설하겠다고 발표한 바 있으며, 이후 총 투자 규모를 650억 달러로 확대했다. 이번 신규 투자 발표로 미국 내 총 투자액은 1650억 달러로 늘어나게 됐다. TSMC의 애리조나 공장에서는 4나노 반도체가 양산을 시작했으며, 2공장은 2027년 3나노 제품을 생산할 예정이다. 3공장은 같은 해 말 생산 설비를 갖출 계획이다. 트럼프 대통령은 TSMC의 대규모 투자 계획에 대해 "세계에서 가장 강력한 AI 반도체가 미국에서 만들어질 것이며, 그 중심에는 TSMC가 있을 것"이라며
로옴(ROHM)은 650V 내압 GaN HEMT의 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 ‘GNP2070TD-Z’의 양산을 개시했다고 5일 밝혔다. TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수해 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 어플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다. 신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에 있어서 업계 최고 수준의 수치를 실현했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다. 신제품 양산에 있어 로옴은 베이스가 되는 일관 생산 체제에서 축적해온 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용하여 설계와 기획을 실시했다. 지난해 12월 10일에 발표한 TSMC와의 협업의 일환으로서 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다. ATX와는 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브 분야에서 GaN 디바이스의 채용은 2026년부터 가속화될 것으로 예상하고 있다. 로옴은
러몬도 상무장관 "4나노 칩, 최근 몇 주간 생산 시작돼" TSMC가 미국 애리조나 공장에서 최첨단 4나노 칩 양산을 시작했다고 지나 러몬도 미 상무장관이 밝혔다. 러몬도 상무장관은 지난 11일(현지시간) 로이터 통신과의 인터뷰에서 "미국 역사상 처음으로, 미국 땅에서 4나노 칩을 생산하고 있다"며 TSMC의 4나노 칩 양산 소식을 전했다. 이어 "미국 노동자들이 대만과 동일한 수준의 수율과 품질로 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다"며 "최근 몇 주간 생산이 시작됐다"고 설명했다. 러몬도 장관은 "이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일"이라며 "이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것"이라고 강조했다. 현재 가장 앞선 파운드리 상용 기술은 3나노 공정으로, TSMC와 삼성전자는 대만과 한국에서 각각 3나노 제품을 양산 중이다. 바이든 행정부는 막대한 보조금을 제공하며 글로벌 반도체 업체의 미국 내 공장 건설을 독려해 왔으며, 지난해 11월 TSMC에 지급할 반도체 지원금 66억 달러를 확정한 바 있다. TSMC는 앞서 지난 4월 미국 내 투자 규모를 650억 달러로 확대하고, 2030년까지
로옴(ROHM)은 TSMC와 오토모티브용 GaN 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다. 로옴은 이번 파트너십을 바탕으로 자사의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 최첨단 GaN-on-Silicon 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 것이라고 설명했다. GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저 (OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망해 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 로옴 이사 전무 집행 임원인 Katsumi Azuma는 “세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각한다”며 “GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것”이라고 말했다. TSMC 시니어 디렉터 Chien-Hsin Lee는 “GaN 프로세스 기술의 차세대화를 추진함에 있어서 TSMC와
현재 건설 중인 남부 가오슝 공장에서 내년부터 양산할 예정임을 밝혀 TSMC가 내년부터 최첨단 2㎚ 공정 제품 양산에 들어갈 예정이라고 자유시보 등 대만언론이 6일 소식통을 인용해 보도했다. 소식통에 따르면, TSMC는 최근 2나노 공정 제품의 시험생산 수율이 60%를 넘어섬에 따라 이같은 결정을 내렸다. TSMC는 예상을 넘어선 수율에 따라 현재 건설 중인 남부 가오슝 공장에서 내년부터 양산할 예정으로 북부 신주과학단지에서 시험 생산하는 2나노 기술을 가오슝 공장으로 옮길 계획이다. TSMC가 가오슝 난쯔 과학단지에 건설하고 있는 2나노 1, 2공장은 각각 내년 1분기와 3분기에 운영을 시작할 예정이다. 자유시보는 웨이저자 TSMC 회장이 2나노에 대한 뜨거운 수요에 대해 "꿈에도 생각하지 못했다"면서 고객사의 수요 만족을 위해 생산시설을 적극적으로 준비하고 있다고 밝혔다고 전했다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. TSMC는 2나노 부문에서 대체로 우세한 것으로 전문가들은 평가하고 있다. 한편, 대만언론은 TSMC의 내년도 자본지출(설비투자)
데이터 센터 인프라 시설 건설 강화로 대만 컴퓨팅 능력 향상 노려 대만이 인공지능(AI) 산업에 향후 3년간 매년 300억 대만달러(약 1조2000억 원)를 투입한다. 22일 연합보와 자유시보 등 대만언론에 따르면, 대만 국가과학기술위원회(NSTC)의 우청원 주임위원(장관급)은 지난 20일 일본 매체와의 인터뷰에서 이같이 밝혔다. 우 주임위원은 해당 예산이 AI 데이터 센터 및 기타 업그레이드 작업과 도널드 트럼프 미국 대통령 당선인과의 협력 강화를 모색하는 데 쓰일 것이라고 말했다. 그는 라이칭더 총통 임기 내 AI 데이터 센터 인프라 시설 건설 강화를 통해 대만 컴퓨팅 능력의 대폭적인 향상을 계획하고 있다고 설명했다. AI 개발에 필요한 고성능 컴퓨팅 자원을 향후 4년 동안 올해 120PF(페타플롭스)에서 480PF로 끌어올린다는 것이 대만의 목표다. 플롭스(Flops)는 1초당 1회 더하기 연산을 할 수 있는 단위로, 페타플롭스는 컴퓨터가 1초당 1000조 번 연산할 수 있는 수준이다. 우 주임위원은 라이 정부가 반도체 제조 위주의 대만 경제를 AI, 무인기(드론), 의료 보건, 에너지 분야 등 산업으로 다원화하는 데 노력하고 있다고 소개했다. 그는 또
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UPDATE: 2025년 04월 21일 20시 56분
