다양한 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템 설계 가능해져 텍사스 인스트루먼트(TI)가 방사능 내성과 방사능 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 발표했다. 이번 제품군에는 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함됐다. 새롭게 출시된 제품들은 핀 투 핀 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션을 제공하며, 22V, 60V, 200V 세 가지 전압 레벨을 지원한다. 이를 통해 TI는 엔지니어가 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 등 다양한 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템을 설계할 수 있다고 밝혔다. 최근 위성 시스템은 데이터 처리 및 전송량 증가, 고해상도 이미징, 정밀한 센싱 기술을 필요로 하면서 복잡해지고 있다. 이에 엔지니어는 시스템의 전력 효율성을 향상시키는 데 집중하는 추세다. TI의 새로운 GaN FET 게이트 드라이버는 짧은 상승 및 하강 시간을 제공해 GaN FET을 정밀하게 구동하도록 설계됐다. 이를 통해 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 줄이고, 태양광 패널에서 생산된 전력을 효과적으로 활용하도록 지원한다. T
헬로티 서재창 기자 | 텍사스 인스트루먼트(TI)는 3GHz에 이르는 업계 최대 대역폭을 가진 고입력 임피던스(Hi-Z) 완충 증폭기 ‘BUF802’를 출시한다고 밝혔다. BUF802는 넓은 대역폭과 높은 슬루 레이트를 통해 신호 처리량을 높이고 입력 안정화 시간을 최소화한다. 엔지니어는 BUF802의 빠른 처리량을 활용해 오실로스코프, 액티브 프로브, 고주파 데이터 수집 시스템과 같은 시험 계측 애플리케이션에서 고주파수 신호를 보다 정확하게 측정한다. 이전까지는 BUF802 수준의 대역폭 성능을 구현하기 위해 시스템 설계 시간, 복잡성, 비용 증가를 동반하는 ASIC를 사용해야만 했다. 이제 엔지니어들은 새롭게 출시된 TI의 완충 증폭기를 사용하여 ASIC 없이 넓은 동적 범를 달성하면서 제품 출시 기간을 앞당긴다. 기존에는 ASIC 기반의 디자인을 구현하기 위한 대안으로 전계 효과 트랜지스터(FET), 보호 다이오드, 트랜지스터를 비롯해 수십 개의 부품이 필요했다. 특히, FET 입력 증폭기 기반의 디스크리트를 구현하기 위해서는 디자인에서 BOM 비용과 시스템 복잡성이 높아질 수밖에 없었다. 또한, ASIC 수준의 대역폭을 달성하지 못하기 때문에 데이터
페어차일드가 오늘 APEC 2016에서 자사의 최신 세대 100V N-Channel Power MOSFET의 주력 상품인 FDMS86181 100V 차폐 게이트 PowerTrench MOSFET을 출시했다. FDMS86181은 페어차일드의 차세대 PowerTrench MOSFET 중에서 성능이 뛰어나다는 게 회사측의 설명이다. 또 전압 발진 현상이 감소했으며 전자파 장애(EMI) 정도가 낮아져 전력 공급 장치, 모터 드라이브 및 100V MOSFET이 필요한 기타 응용 분야에서 사용 가능하다. 페어차일드의 한 개발 관계자는 Rdson이 40% 줄어 전도 손실이 감소하고, 게이트 전하(Qg)가 최소화되어 전환 손실을 감소시켰다고 말했다. FDMS86181의 이례적으로 낮은 Qrr은 실질적으로 발진 현상을 일으키는 전압 과장을 제거하여 제품 설계 시 스너버의 축소 또는 제거가 가능하도록 하면서 EMI를 줄여준다. FDMS86181의 이 고유한 이점을 통해 설계자들은 제품 크기와 자재 명세서(BOM) 비용을 모두 줄일 수 있다. 임재덕 기자 (eled@hellot.net)
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