로옴(ROHM)은 650V 내압 GaN HEMT의 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 ‘GNP2070TD-Z’의 양산을 개시했다고 5일 밝혔다.
TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수해 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 어플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다.
신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에 있어서 업계 최고 수준의 수치를 실현했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다.
신제품 양산에 있어 로옴은 베이스가 되는 일관 생산 체제에서 축적해온 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용하여 설계와 기획을 실시했다. 지난해 12월 10일에 발표한 TSMC와의 협업의 일환으로서 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다.
ATX와는 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브 분야에서 GaN 디바이스의 채용은 2026년부터 가속화될 것으로 예상하고 있다. 로옴은 자사에서의 개발과 더불어, 협업 활동을 강화함으로써 오토모티브용 GaN 디바이스의 신속한 시장 투입을 실현해 나갈 계획이다.
Satoshi Fujitani 로옴 AP 생산 본부 본부장은 “로옴의 650V GaN HEMT의 TOLL 패키지 제품을 만족할 수 있는 성능으로 생산할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다”며 “로옴은 GaN 디바이스를 단품으로 제공할 뿐만 아니라 로옴의 강점인 아날로그 기술을 베이스로 한 IC 등과 조합한 파워 솔루션을 제공하고 있고, 이러한 설계를 통해 축적해온 노하우 및 기술을 디바이스 설계에도 활용하고 있다”고 설명했다.
또한 “ATX와 같이 높은 기술력을 보유한 OSAT와 협업함으로써 급성장하는 GaN 시장에 대응해 로옴의 강점을 활용한 디바이스를 제품화할 수 있게 됐다”며 “앞으로도 GaN 디바이스의 성능 향상을 통해 다양한 어플리케이션의 소형화 및 고효율화를 추진해 인류의 풍요로운 생활에 기여해 나갈 것”이라고 전했다.
헬로티 이창현 기자 |
