데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선
넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다.
넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다.
이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다.
이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 150V(7mΩ) GaN FET소자도 있다. 이 제품들은 데이터 센터의 보다 효율적인 DC-DC 컨버터, 더 빠른 충전(e-mobility 및 USB-C), 더 작은 LiDAR 트랜시버, 저잡음 클래스 D 오디오 증폭기를 비롯해 휴대 전화, 노트북 PC 및 게임 콘솔과 같이 전력 밀도가 높은 소비 가전 기기 등 다양한 저전압(<150V), 고전력 응용 제품에 적합하다.
GaN FET는 많은 전력 변환 응용 제품에서 가장 콤팩트한 크기로 높은 전력 효율을 제공하며 자재명세서를 크게 줄여준다. 이에 따라 GaN 소자는 서버 컴퓨팅, 산업 자동화, 소비자 가전 및 통신 인프라 등 전력 기능이 중요시되는 전자 기기에 주로 채택되는 추세다.
GaN 기반 소자들은 가장 빠른 전환/스위칭 기능(최고 dv/dt 및 di/dt)을 특징으로 하면서 저전력 및 고전력 변환 응용 제품에서 우수한 효율을 제공한다. 넥스페리아가 출시한 e-모드 GaN FET의 낮은 Qg 및 QOSS 값은 뛰어난 스위칭 성능을 가능하게 하며 낮은 RDS(on)는 전력 효율적인 설계를 가능하게 해주기도 한다.
넥스페리아는 이번 출시를 통해 고전압, 고전력 응용 제품용 캐스코드 소자를 비롯해 고전압, 저전력 응용 제품용 650V e-모드 소자, 저전압, 고전력 응용 제품용 100/150V e-모드 소자 등 광범위한 전력 응용 제품에 적합한 GaN FET 제품을 모두 공급하게 됐다.
한편, 넥스페리아의 e-모드 GaN FET는 대량 생산을 위해 8인치 웨이퍼 라인에서 제작되며 JEDEC 표준에 따른 산업 응용 분야에도 적합하다. 넥스페리아는 이번에 출시한 GaN 제품군의 확대가 고품질 실리콘 및 와이드 밴드갭 기술에 집중한 노력의 결과라고 밝혔다.
헬로티 서재창 기자 |
