최근 자동차 업계가 48V 영역 아키텍처 쪽으로 방향을 전환하면서 전력 시스템 설계 엔지니어들은 우수한 전력 밀도, 중량, 확장성을 갖춘 새로운 고전압 전력 변환 솔루션을 모색하고 있다. 바이코는 4월 16일부터 18일까지 디트로이트에서 개최되는 WCX에서 5개의 논문을 발표하고, 독자적인 토폴로지와 혁신적인 패키징를 접목한 고밀도의 확장 가능한 전력 모듈을 통한 800V 및 48V 전력 변환 기술을 새롭게 선보일 예정이라고 밝혔다. 바이코는 1.3MHz 이상의 스위칭 주파수를 통해 고전압 변환 시 EM 전도성 방출 규정 준수, BEV 배터리 팩 내부에 고전압을 유지하는 48V 영역 아키텍처 설계, 기존 BEV 하드웨어를 이용한 고전압 사전 충전 해결, 높은 효율, 전력 밀도, 시스템 비용 효용을 보장하는 48V로 전환, 48V 세상에서 애프터마켓 부하가 맞닥뜨릴 불확실한 미래 등을 발표할 계획이다. 바이코 관계자는 "차세대 xEV 플랫폼을 48V 버스로 전환하려면 소형의 저중량 솔루션이 필요하다. 바이코 모듈은 그러한 EV에 맞는 최고의 전력 밀도와 효율적인 배전 능력을 제공한다. 이 모듈은 최고 성능의 48V 영역 아키텍처를 달성하는 데 있어 필수적이다"
최대 3750VRMS 절연 보호 기능 제공하며 전력 소모 최대 80%까지 줄여 텍사스 인스트루먼트(TI)는 26일인 오늘 산업용 및 차량용 고전압 애플리케이션의 신호 무결성, 전력 소비 및 수명을 연장해주는 신호 절연 반도체로 구성된 새로운 옵토에뮬레이터 포트폴리오를 출시했다. LED를 통합 신호를 절연하는 옵토커플러는 오래 전부터 엔지니어가 보편적으로 고려해왔던 선택사항이다. 하지만 옵토커플러는 LED의 불가피한 노후화를 보완하기 위해 선제적인 과잉설계가 필요하다. 이 경우 대기전력에 대한 이슈가 발생한다. 이는 곧 제품 수명을 저하시키는 요인이 된다. 이뿐 아니라 기존 옵토커플러 절연재는 고전압 스트레스 발생 시 장벽에 고정이 발생할 수 있다는 단점도 지적됐다. TI의 첫 옵토커플러 제품군은 절연 장벽에 이산화규소(SiO2)를 사용해 과잉설계의 필요성을 없애고, LED의 노후화도 방지한다. 또한, 업계에서 일반적으로 사용되는 옵토커플러와 핀투핀으로 호환 가능해 SiO2 기반 절연 기술의 고유한 이점을 활용하면서 기존 설계에 원활하게 통합한다. 이 디바이스 포트폴리오는 500VRMS/µm의 높은 유전체 강도를 가진 TI의 SiO2 절연 장벽으로 최종 제품
데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선 넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다. 이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 15