효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점 제공 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 오늘 업계 최초로 300mm 파워 GaN(갈륨 나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 발표했다. 이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것으로 예상된다. 300mm 웨이퍼는 200mm 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기에 생산성과 효율성이 크게 향상된다. GaN 기반 전력 반도체는 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 모터 제어 시스템 등 산업, 자동차, 컨슈머, 컴퓨팅 및 통신 애플리케이션에서 빠르게 채택되고 있다. 최첨단 GaN 제조 공정은 디바이스 성능 향상으로 이어져 고객의 애플리케이션에서 효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점을 제공한다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것이다. 이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 G
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 CoolGaN 600V e-mode HEMT와 GaN EiceDRIVER IC 제품을 출시한다. 더 높은 전력 밀도를 제공하는 이들 제품은 더 작고 가벼운 디자인을 가능하게 하여 시스템 비용과 운영 비용을 낮춘다. CoolGaN 600V e-mode(enhancement mode) HEMT와 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 출시함으로서, 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN에 걸쳐서 모든 전력 기술을 제공하는 업계 유일한 회사로 자리매김 했다. 새롭게 출시된 CoolGaN 600V e-mode HEMT는 신뢰할 수 있는 “normally-off” 컨셉으로 설계되어, 빠른 턴온 및 턴오프에 최적화되었다. SMPS의 높은 효율과 전력 밀도를 가능하게 하며, 현재 출시된 모든 600V 디바이스 제품 중 최고의 FOM(Figures of merit)을 제공한다. CoolGaN 스위치는 게이트 전하가 매우 낮고 역 전도(Reverse conduction) 시에 동적 성능이 뛰어나다. 따라서 훨씬 더 높은 주파수 동작이 가능하고, 그럼
[첨단 헬로티] TI가 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 제품 포트폴리오에 새로운 고속 GaN FET 드라이버 제품 2종을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품은 라이다(LIDAR)나 5G RF 포락선 추적과 같이 속도를 중요하게 요구하는 애플리케이션에서 보다 효율적이고 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있도록 한다. LMG1020과 LMG1210은 50MHz 스위칭 주파수가 가능하고 효율을 향상시키며, 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 5배 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다. LMG1020 60MHz 로우 사이드 GaN 드라이버 제품은 업계에서 가장 우수한 구동 속도와 1ns의 최소 펄스 폭을 특징으로 하는 제품으로서, 산업용 라이다 애플리케이션에서 고정밀 레이저를 가능하게 한다. 또한 0.8mm x 1.2mm에 불과한 소형화된 WCSP(wafer-level chip-scale) 패키지를 적용함으로써 게이트 루프 기생성 및 손실을 최소화하여 효율성을 더욱 높여준다. LMG1210은 50MHz 하프브리지 드라이버 제품은 최대 200V의 GaN FET과 함께 사용하기에 적합하도록 설계되었다. 이 제품은 조절 가능한 데드 타임 제어 기능을 포함하여 고속 DC/DC 컨
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