[첨단 헬로티]
TI가 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 제품 포트폴리오에 새로운 고속 GaN FET 드라이버 제품 2종을 추가한다고 밝혔다.
이들 신제품은 라이다(LIDAR)나 5G RF 포락선 추적과 같이 속도를 중요하게 요구하는 애플리케이션에서 보다 효율적이고 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있도록 한다.
LMG1020과 LMG1210은 50MHz 스위칭 주파수가 가능하고 효율을 향상시키며, 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 5배 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다.
LMG1020 60MHz 로우 사이드 GaN 드라이버 제품은 업계에서 가장 우수한 구동 속도와 1ns의 최소 펄스 폭을 특징으로 하는 제품으로서, 산업용 라이다 애플리케이션에서 고정밀 레이저를 가능하게 한다.
또한 0.8mm x 1.2mm에 불과한 소형화된 WCSP(wafer-level chip-scale) 패키지를 적용함으로써 게이트 루프 기생성 및 손실을 최소화하여 효율성을 더욱 높여준다.
LMG1210은 50MHz 하프브리지 드라이버 제품은 최대 200V의 GaN FET과 함께 사용하기에 적합하도록 설계되었다.
이 제품은 조절 가능한 데드 타임 제어 기능을 포함하여 고속 DC/DC 컨버터, 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기, 여타 전원 변환 애플리케이션에서 최대 5%까지 효율을 향상시킨다.
또한 300V/ns 이상의 업계 최고 CMTI(공통 모드 과도 내성) 성능을 제공하므로 설계자들이 높은 시스템 잡음 내성을 달성할 수 있다.
