美서 ‘메모리 역할 재정의’ 삼성 메모리 테크 데이 2023 열어
HBM3E D램 ‘샤인볼트’, 차세대 PC 및 노트북용 D램, 차량용 메모리 등 공개
삼성전자가 미국 실리콘밸리 소재 맥에너리 컨벤션 센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023 (Samsung Memory Tech Day 2023)’을 열어 메모리 솔루션 전략 및 비전을 공유했다.
이날 행사에서는 ‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’를 주제로, 클라우드·에지 디바이스·차량 등 분야의 기술 트렌드와 데이터 센터, PC·모바일 기기 등 기술 혁신 및 탄소 저감 비전을 공유했다. 아울러 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’, PC 및 노트북용 D램, 차량용 탈부착 SSD 등도 함께 공개했다.
삼성전자가 이번 행사에서 공개한 샤인볼트는 지난 2016년 개발된 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 기반으로 설계된 차세대 HBM3E D램이다. 해당 제품은 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps 속도를 제공한다. 이를 통해 초당 최대 1.2TB가량 데이터를 처리할 수 있다.
삼성전자는 샤인볼트 설계 핵심으로 열 특성 개선 측면을 내세웠다. NCF(Non-Conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 채운 점이 설계 특이점이다.
이번 행사에서 공개된 또 다른 기술은 고성능·고용량·저전력·소형 폼팩터 등을 지원하는 7.5Gbps 기반 PC·노트북용 D램 ‘LPDDR5X CAMM2’와 차량용 분할 SSD ‘Detachable AutoSSD’ 등이다. 삼성전자 관계자는 ”차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품“이라며 LPDDR5X CAMM2를 강조했다.
아울러 Detachable AutoSSD는 최대 6500MB/s 연속 읽기 속도를 지원하는 기술로, 4TB 용량, 탈부착 설계 등을 제공한다.
이정배 사장은 ”도래한 초거대 AI 서대는 기술 혁신과 성장이 교차한다는 점에서 도약과 도전이 필요하다“며 ”삼성전자는 새로운 구조 및 소재를 도입하고, 고객 및 파트너와의 밀접한 협력을 바탕으로 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도할 것“이라고 말했다.
한편, 삼성전자는 이 자리에서 32Gb DDR5 D램, 32Gbps GDDR7 D램을 비롯해 대량 데이터 처리 플랫폼 ‘PBSSD(Petabyte Storage)’, LPDDR5X D램 및 소형 LPDDR5X, 온디바이스 AI 특화 LLW D램, PC용 고용량 QLC SSD ‘BM9C1’, 고대역폭 GDDR7 등도 함께 공개했다.
헬로티 최재규 기자 |
