최신뉴스 SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발

상반기 내 양산 준비 완료…"최첨단 D램 시장 주도권 강화" SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하는 데 성공했다. SK하이닉스는 HBM3 24GB 신제품 샘플을 다수의 글로벌 고객사에 제공해 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. HBM(고대역폭 메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로, HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품이다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는 "지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"며 "최근 인공지능(AI) 챗봇 산업이 확대되면서 늘어나는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이

• 김진희 기자
• 2023-04-22 19:55