아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
헬로티 조상록 기자 | KAIST는 전기및전자공학부 김상현 교수 연구팀이 모놀리식 3차원 집적의 장점을 극대화해 기존의 통신 소자의 단점을 극복하는 화합물 반도체 소자 집적 기술을 개발했다고 6월 14일 밝혔다. 모놀리식 3차원 집적은 하부 소자 공정 후, 상부의 박막층을 형성하고 상부 소자 공정을 순차적으로 진행함으로써 상하부 소자 간의 정렬도를 극대화할 수 있는 기술로 궁극적 3차원 집적 기술로 불린다. 반도체 소자에서 통신 신호, 양자 신호는 아날로그 형태의 신호다. 신호전달 과정에서 신호의 크기가 약해지거나 잡음이 생겨 신호의 왜곡이 생기기도 한다. 따라서 이러한 신호를 주고받을 때 고속으로 신호의 증폭이 필요한데 이러한 증폭 소자에서는 초고속, 고출력, 저전력, 저잡음 등의 특성이 매우 중요하다. 또한 통신 기술이 발전함에 따라 이를 구성하는 시스템은 점점 더 복잡해져 고집적 소자 제작기술이 매우 중요하다. 통신 소자는 통상적으로 두 가지 방식으로 구현된다. 실리콘(Si)을 사용해 집적도 높은 Si CMOS를 이용해 증폭 소자를 구현하는 방법과 III-V 화합물 반도체(주기율표 III족 원소와 V족 원소가 화합물을 이루고 있는 반도체)를 증폭 소자로
[헬로티] 접합부-케이스 열저항 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합해 ▲Teledyne e2v HiRel이 650V 고전력 GaN HEMT 신제품 2종을 출시했다. (출처 : Teledyne e2v HiRe) Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 내구성이 강화된) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다고 7일 밝혔다. 새로운 고전력 HEMT인 TDG650E30B와 TDG650E15B는 2020년 선보인 650V HEMT(60A)보다 낮은 30A, 15A의 전류 성능을 갖고 있다. 650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 갖고 있는 GaN 전력 기기로서 높은 신뢰성이 요구되는 군사·항공·우주 애플리케이션에 적합하다. 전원, 모터 제어, 하프 브릿지 토폴로지(half bridge topology) 등의 애플리케이션용으로도 적합한 제품이다. TDG650E30B와 TDG650E15B는 바닥 냉방 구조와 초저 ‘
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