인피니언 테크놀로지스가 반도체 제조 기술의 다음 이정표를 공개했다. 인피니언은 30일 대규모 반도체 팹에서 직경 300mm에 두께가 20µm(마이크로미터)에 불과한 역대 가장 얇은 실리콘 전력 웨이퍼 프로세싱에 획기적인 성과를 거뒀다고 밝혔다. 이 초박형 실리콘 웨이퍼는 인간 머리카락 두께의 1/4, 현재 첨단 웨이퍼 두께인 40-60µm의 절반에 불과하다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “인피니언의 초박형 웨이퍼 기술 혁신은 에너지 효율적인 전력 솔루션을 위한 중요한 진전을 의미한다”며 “인피니언은 Si, SiC, GaN 세 가지 반도체 소재를 모두 공급하는 혁신 리더로서의 입지를 더욱 공고히 했다”고 강조했다. 이 기술은 AI 데이터센터의 전력 변환 솔루션 뿐만 아니라 컨슈머, 모터 제어 및 컴퓨팅 애플리케이션의 에너지 효율, 전력 밀도 및 신뢰성을 높이는 데 기여할 것으로 보인다. 웨이퍼 두께를 절반으로 줄이면 웨이퍼 기판 저항이 50 퍼센트 감소해 기존 실리콘 웨이퍼 기반 솔루션 대비 전력 시스템에서 전력 손실이 15퍼센트 이상 줄어든다. 높은 전류 레벨로 에너지 수요가 증가하고 있는 하이엔드 AI 서버 애플리케이션의 경우, 전압을 230V에서 1.8
세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진 영향 받아 DB하이텍은 5일 연결 기준 작년 한 해 영업이익이 2663억 원으로 전년보다 65.36% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 1조1578억 원으로 전년 대비 30.89% 감소했으며, 영업이익률은 23% 수준이다. 순이익은 2448억 원으로 56.2% 줄었다. 작년 4분기 영업이익은 431억 원으로 전년 동기보다 71.97% 줄었다. 매출과 순이익은 각각 28.73%, 47.88% 감소한 2830억 원과 356억 원이었다. 세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년보다 실적이 하락했다. 회사 측은 "전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고 차세대 전력반도체로 주목받는 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. 헬로티 서재창 기자 |
텍사스 인스트루먼트(이하 TI)는 금일 전력 밀도를 개선하고 시스템 효율성을 극대화하며 AC/DC 소비자 가전 및 산업용 시스템의 크기를 줄이도록 설계된 저전력 질화갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다. 게이트 드라이버가 통합된 TI의 전체 GaN 전계 효과 트랜지스터(FET) 포트폴리오는 일반적인 열 설계 과제를 해결해 어댑터의 온도를 낮추면서 더 작은 풋프린트로 더 많은 전력을 공급할 수 있다. 캐넌 사운다라판디안(Kannan Soundarapandian) TI 고전압 제품 부문 부사장 겸 총괄 매니저는 "오늘날의 소비자는 빠르고 에너지 효율적으로 충전할 수 있고, 더 작고 가벼우며 휴대가 간편한 전원 어댑터를 원한다"고 말했다. 이어 그는 "포트폴리오 확장을 통해 설계 엔지니어들은 휴대폰 및 노트북 어댑터, TV 전원 공급 장치, USB 벽면 콘센트 등 소비자가 매일 사용하는 더 많은 애플리케이션에 저전력 GaN 기술의 전력 밀도가 가지는 이점을 제공하게 됐다. TI의 포트폴리오는 전동 공구 및 서버 보조 전원 공급 장치와 같은 산업용 시스템에서 고효율 및 소형 설계에 대한 증가하는 수요도 해결한다"고 말했다. 게이트 드라이버가 통합된 새로운
GaN 로드맵 가속화 및 전력 시스템 분야에서 리더십 강화할 것으로 보여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 지난 24일 GaN Systems Inc 인수를 완료했다고 발표했다. 인피니언은 GaN Systems가 보유하고 있는 광범위한 GaN 기반 전력 변환 솔루션과 첨단 애플리케이션 노하우를 확보하게 됐다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “GaN 기술은 탈탄소화를 지원하는 에너지 효율 향상 및 이산화탄소 절감 솔루션을 구현하는데 중요하다. GaN Systems 인수로 GaN 로드맵을 가속화하고 전력 시스템 분야에서 인피니언의 리더십을 강화하게 됐다"고 말했다. 인피니언은 총 450명의 GaN 전문가와 350개 이상의 GaN 특허 제품군을 보유하고, 이를 통해 전력 반도체 분야에서 선도적인 입지를 확대하고 시장 출시 기간을 단축할 것으로 보인다. 인피니언은 양사의 IP 및 애플리케이션 이해에 대한 상호 보완적인 강점과 고객 프로젝트 파이프라인을 통해 다양한 애플리케이션을 지원하는 유리한 위치에 서게 됐다. 헬로티 서재창 기자 |
SiC, GaN 등 화합물 활용한 차세대 전력반도체 기술 개발 방안 논의 차세대 화합물 전력반도체(WBGS) 개발 방안 등을 논의하는 국제심포지엄이 부산에서 열린다. 부산시는 24일 부산 해운대 시그니엘호텔 부산에서 '2022 WBGS 국제심포지엄'을 개최한다고 밝혔다. 경북도, 포항시와 공동 주최하는 이번 심포지엄에서는 기존 실리콘 소재의 전력반도체에 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 화합물을 활용한 차세대 전력반도체 기술 개발 방안 등을 논의한다. 루비사스테바노비치 제너럴일렉트릭 부사장, 란비르 싱 제네식반도체 대표, 디디에 쇼센드 프랑스국립과학연구원 연구소장, 안드레아 이라체 이탈리아 나폴리대 교수, 안드레이 쿠즈네초프 노르웨이 오슬로대 교수, 요시유키 요네자와 일본 산업기술총합연구소 연구총괄 등이 최신 기술 동향을 발표한다. 부산시는 이들을 부산시 파워반도체 국제자문위원으로 위촉할 예정이다. 헬로티 서재창 기자 |
전기차·데이터센터 수요에 급성장…트렌드포스 10대 기술 트렌드 전망 내년 반도체 업계에서는 탄화규소(SiC·실리콘 카바이드)와 질화갈륨(GaN) 등 이른바 3세대 반도체 기술이 본격적으로 성장할 것이라는 전망이 나왔다. 16일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 2023년 10대 기술 산업 트렌드 중 하나로 3세대 반도체의 부상을 꼽았다. 기존 전력 반도체는 주로 실리콘(Si) 소재로 만들어졌는데, 최근에는 전력 효율과 내구성을 극대화한 SiC와 GaN 등 신소재를 기반으로 한 차세대 전력 반도체가 주목받고 있다. 앞으로 전자기기 수요 확대와 전력 소비 증가가 예상되면서 차세대 전력 반도체는 미래 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힌다. 2026년까지 5년간 SiC와 GaN을 활용한 전력 기기 시장의 연평균 성장률이 각각 35%, 61%에 이를 것으로 트렌드포스는 전망했다. 트렌드포스는 "800V 전기차, 고전압 충전, 고효율 그린 데이터센터 등의 급부상으로 SiC와 GaN 부품은 가파른 성장 단계에 접어들었다"며 "2023년을 앞두고 더 많은 자동차 업체가 메인 인버터에 SiC 기술을 도입할 것"이라고 예상했다. 아울러 "GaN은 고출력 에너지 저장장치
GaN 소자 기술 협력으로 제품 개발과 세계 시장 확대 겨냥 알에프세미가 5일 캐나다 GaN Systems과 GaN(질화갈륨) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 MOU를 체결했다고 밝혔다. GaN Systems는 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있으며 이 분야에서 세계 선두 기업으로 시장을 주도하고 있다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 GaN Systems의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것으로 보인다. 알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다. 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 가졌으며 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 소형 가전에 주로 사용되고 있다. 1000V 이상 높은 전압에서 잘 견디는 SiC 전력반도체는 전기차 분야의 충전 및 모터구동 분야에서, 650V급에서 빠른 동작 속도를 갖는 GaN 전력반도체는 휴대폰,
넥스페리아가 모든 사업 분야에서 높은 성장세를 보인 2021년도 재무 결과를 발표했다. 개별 반도체 부품, 전력 반도체 부품 및 로직 IC를 개발하는 넥스페리아의 2021년 매출은 전년 대비 49% 증가한 21억4000만 달러를 기록했다. 이 수치는 글로벌 반도체 업계의 전체 성장률을 능가하는 것으로 시장 점유율 또한 1% 증가해 9.4%까지 높아졌다. 넥스페리아는 지난 5년간 가장 높은 자동차 표준에 부합하는 제조역량을 갖추는 동시에 다양한 제품 포트폴리오를 제공했다. 스테판 틸거(Stefan Tilger) 넥스페리아 CFO는 "지난 2021년, 당사는 모든 사업 영역에서 최소 30%의 매출 성장을 올리며 펜데믹 상황을 잘 헤쳐갔다”며, “끊임없이 증가하는 고객 요구사항을 충족시키도록 제조 생산량을 확대해가겠다"고 포부를 밝혔다. 넥스페리아는 증가하는 업계 수요에 부응하기 위해 자체 시설뿐 아니라 외부 파트너십을 통한 생산 능력 강화에 지속적으로 투자해왔다. 기록적인 투자가 이뤄진 유럽과 아시아 권역에서는 전년도에 비해 지출이 세 배로 증가했다. 주요 사례로는 유럽 웨이퍼 팹의 생산 능력 확대를 비롯해 테스트 및 조립 생산 시설의 확대 등이다. 2022 회
SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로 매출 예상 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 분야에서 상당한 생산 능력을 추가해 전력 반도체 시장 리더십을 강화한다고 밝혔다. 인피니언은 말레이시아 쿨림 공장에 20억 유로 이상을 투자해 세 번째 모듈을 건설한다. 새로운 모듈이 완공되면 SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로의 추가 매출이 창출될 것이으로 보인다. 인피니언은 이미 3000개 이상의 고객사에 SiC 제품을 공급하고 있다. SiC 반도체는 실리콘 기반 솔루션에 비해 효율, 크기 및 비용 면에서 더 나은 시스템 성능을 제공하며, 산업용 전원 공급 장치, 태양광, 운송, 드라이브, 자동차 및 EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하다. 인피니언은 2020년대 중반까지 SiC 기반 전력 반도체 10억 달러 매출을 목표로 하고 있다. GaN 시장도 2020년 4700만 달러에서 2025년 8억100만 달러로 크게 성장할 것으로 예상된다. 인피니언은 첨단 시스템 및 애플리케이션에 대한 이해와 광범위한 GaN IP 포트폴리오 및 대규모 R&D 인력을 보유하고 있다. 팹은 오는 6월 착공을 시작으로
헬로티 김진희 기자 | 반도체 메모리의 용량이 1년마다 두 배씩 증가한다는 ‘황의 법칙’, 반도체 집적회로의 성능이 2년마다 두 배씩 증가한다는 ‘무어의 법칙’이 있다. 그러나 최근에는 기술 개발의 한계로 반도체 성능을 높이는 데 어려움이 따랐다. 이 가운데 국내 연구팀이 고순도 소재 박막 양면을 모두 반도체 소자로 만들 수 있는 기술을 개발했다. 개발된 기술을 활용하면 반도체 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 포스텍 기계공학과 김석 교수 연구팀은 미국 일리노이대 어바나-샴페인캠퍼스와 버지니아대와의 공동연구를 통해 자체적으로 박리되는 고순도 실리콘 박막을 기판 위에 옮기는 전사 기술을 개발했다. 연구에서 박막, 기판, 그리고 이들이 담긴 용액의 표면 물성을 고려해 조합한 결과, 건조한 상태에서 기판에 강하게 붙어있던 박막이 용액 안에서 자체적으로 떨어져 나갔다. 김석 교수팀은 박막을 앞면이 위로 향하게 기판 위에 전사한 뒤 반도체 공정 후, 용액 안에 넣고 자체 박리된 박막을 뒤집었다. 뒤집힌 박막을 용액에서 꺼내 다시 공정 기판에 뒷면이 위로 향하게 전사함으로써 양면에 반도체 공정을 할 수 있었다. 이 연구성과를 활용하면 실리콘 뿐만 아니라 GaN(질화
헬로티 함수미 기자 | ‘AI Aㅏ는 척’ 시리즈에서는 AI를 전혀 모르겠다는 독자들에게 어느 정도 아는 척! 은 할 수 있게 필요한 부분만 간단하고 쉽게 설명합니다. 우리 생활 곳곳에 스며든 인공지능, 필요한 부분만 쉽게 알아보는 건 어떨까요? AI Aㅏ는 척 시리즈, 이번에는 ‘딥페이크’에 대해 아는 척 해보고자 합니다. 양날의 검, 딥페이크 ‘딥페이크’ 들어보셨나요? 누군가에게 딥페이크는 범죄에 쓰이는 기술, 혹은 획기적인 기술로 알고 있을 것 같습니다. 같은 기술에 대해 받아들이는 인식이 왜 이렇게 다를까요? 그 이유는 딥페이크 기술이 양날의 검이기 때문입니다. 예를 들어, 칼은 요리할 때 쓰이면 너무나 유용한 도구이지만 누군가를 공격할 때 쓰이면 무서운 도구죠. 이처럼 딥페이크 기술도 좋은 목적으로 활용하면 획기적인 AI 기술이지만, 범죄에 악용하면 그만큼 무서운 기술이 되기 때문입니다. 딥페이크가 그래서 뭔데? 말 그대로 DEEPFAKE는 딥러닝과 페이크의 합성어인데요. AI 핵심기술인 딥러닝을 이용해 특정 사람의 얼굴이나 신체를 합성하고 억양, 목소리까지 따라 할 수 있는 기술입니다. 이 딥페이크 기술은 기존 사진이나 영상을 원본에 겹쳐서 만들어
헬로티 서재창 기자 | SK실트론의 미국 법인이 미국 미시간주에서 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 제조 확대를 위해 3억 달러(약 3천400억 원)를 투자할 계획이라고 로이터 통신이 14일(현지시간) 보도했다. 보도에 따르면 SK실트론은 미국 전기차 생산을 지원하기 위해 공장 부지를 증설하고 인력 150명도 충원할 예정이다. 로이터는 이번 투자 발표가 미국 자동차 제조 기업들이 전기차 생산에 관한 투자를 늘리고 조 바이든 미 행정부가 전기차 보조금과 충전망 확대를 위해 1740억 달러의 자금을 유치하고 상황에서 나왔다며 의미를 부여했다. SiC 웨이퍼를 생산하는 SK실트론 CSS 최고경영자(CEO) 둥젠웨이는 로이터와 인터뷰에서 "향후 3년간 미시간주 인력을 2배 이상 증원하고 미시간주 베이시티에 14만 제곱피트(약 1만3000㎡)의 부지를 증설할 것"이라고 말했다. 이어 그는 "(이번 투자는) 미시간주에 기반을 둔 국내 전기차 공급망을 개발하는 데 도움이 될 것"이라며 , "또 전기차의 충전 속도를 높이는 데도 도움이 될 것"이라고 덧붙였다. 국내 유일의 웨이퍼 제조 기업 SK실트론은 SiC 웨이퍼 사업에 투자를 확대하고 있다. SiC 웨이퍼로 생산하는 Si
헬로티 김진희 기자 | 위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 매우 높은 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다. 이를 위해서는 높은 RF(무선 주파수) 출력 파워를 제공하는 동시에 신호가 이상적인 특성을 유지하도록 해야 한다. 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 RF 파워와 신호 충실성(signal fidelity)을 훼손하지 않으면서 이러한 요건을 충족하는 새로운 파워 증폭기 GMICP2731-10 GaN MMIC를 출시했다. 새로 출시된 이 디바이스는 마이크로칩 최초의 GaN(질화갈륨) MMIC(단일마이크로파집적회로)로, 상용 위성 및 방위 위성 통신, 5G 네트워크, 기타 항공우주 및 방위 시스템용으로 설계됐다. GMICP2731-10은 GaN-on-SiC (Silicon Carbide) 기술을 사용해 제작됐다. 27.5~31GHz 범위에서 3.5GHz 대역폭으로 최대 10W의 포화 RF 출력 파워를 제공하는 것이 특징이다. 전력부가효율은 20%, 소신호이득은 22dB, 반사손실은 15dB다. GMICP2731-10은 균형 잡힌 아키텍처를 사용하고 있어 50옴(ohm)에 잘 매칭되며, 설계
헬로티 서재창 기자 | ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 ST의 새로운 지능형 및 통합 GaN(Gallium Nitride) 솔루션 제품군인 STi2GaN을 출시했다. STi2GaN은 전기화 플랫폼으로 전환 중인 자동차 산업에 필요한 소형 고성능 솔루션에 전력 및 지능형 기능을 결합한 혁신적이고 독보적인 제품이다. STi2GaN 제품군은 자동차 분야에서 보여준 ST의 리더십과 엄청난 경험 그리고 혁신적 스마트 전력 기술과 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 반도체 소재 및 패키징 전문성을 바탕으로 구현됐다. 이에 따라 GaN 기술의 드라이버 및 보호 기능과 모놀리식 전력단은 물론, 추가 프로세싱 및 제어 회로를 갖춘 애플리케이션별 IC를 지원하는 SiP(System-in-Package) 솔루션을 결합하고 있다. STi2GaN 솔루션은 와이어 본딩이 필요없는 ST의 새로운 패키징 기술을 사용해 뛰어난 견고성과 신뢰성, 성능을 제공한다. 알피오 루쏘(Alfio Russo) ST Low Voltage 및 STI2GaN 솔루션 매크로 사업부 사업본부장 겸 그룹 부사장은 “STi2GaN은 주로 자동차 애플리케이션과 고밀도, 고신뢰성, 고전력 요건을 대상으로 하
[헬로티] “효율을 3% 혹은 4% 향상시키는 것은 다른 방법으로도 얼마든지 할 수 있지만 전력 밀도를 두 배로 높이고자 한다면 GaN이 유일한 해답이다” - 마수드 베헤스티(Masoud Beheshti) TI의 제품 매니저 텍사스인스트루먼트(Texas Instruments)는 GaN(질화갈륨 나이트라이드) 기술 개발에 적극적인 기업 중 하나다. 최근 TI는 지난 10년간 GaN 기술 개발에 집중한 결과 최근 GaN 솔루션을 순차적으로 출시하면서 포트폴리오를 확장하고 있다. TI는 GaN-on-silicon(실리콘) 공정으로 제조함으로써 가격 경쟁력을 확보했다. ▲GaN의 이점 TI의 GaN 기술 개발 단계 TI는 2010년 GaN 개발에 본격적으로 뛰어들었고, 2018년 지멘스와 공동으로 GaN를 사용한 10kW 클라우드 지원 그리드 링크를 최초로 시연했다. 이 기술은 당시 2000시간의 신뢰성 테스트를 완료했고, 2020년에는 신뢰성 테스트를 3000시간으로 확대함으로써 GaN 기술을 입증 받았다. 이를 발판으로 현재 TI는 150MΩ, 70MΩ, 50MΩ 등 GaN FET 전력 제품군 포트폴리오를 대량으로 생산할 수 있게 됐다. 최근에는 자체 대류 냉각
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2024년 12월 23일 19시 34분
