인하대학교는 최근 김가영 고분자환경융합전공 박사과정 학생, 구예진 박사가 삼성전자 반도체연구소, 서울시립대와 공동 연구를 통해 차세대 고개구수(High NA) 극자외선(EUV) 리소그래피 공정에 적용 가능한 신개념 포토레지스트 소재를 개발했다고 8일 밝혔다. 높은 집적도의 반도체 소자(IC칩)는 판화 작품을 제작하는 것과 유사한, 매우 정교한 공정으로 만들어진다. 전기회로도를 실리콘 웨이퍼 위에 축소·복사해 밑그림을 만들고 웨이퍼로 옮겨 새기는 과정을 포토리소그래피라고 하는데, 이 과정을 십수회 반복하면 하나의 논리소자나 메모리소자를 만들 수 있다. 이 같은 공정의 핵심 역할을 수행하는 화학 소재가 포토레지스트다. 빛에 반응해 회로의 밑그림을 정밀하게 그려주는 얇은 코팅 물질로, 반도체 생산 공정의 정확도와 효율을 좌우한다. 반도체 회로를 더욱 미세하게 구현하기 위해 극자외선(EUV)을 활용한 노광기술이 적용되는 상황에서 최근에는 더욱 넓은 거울(High NA 광학계)이 장착된 초고해상도 노광장비의 도입 준비가 활발히 이뤄지고 있다. 이러한 노광 장비의 정밀도 향상에 맞춰 고성능 포토레지스트 소재를 확보하는 것은 반도체 미세공정 경쟁력을 높이는 데 중요한 의
차세대 프로세서 해상도와 기능 확장 획기적으로 개선하는 기능 갖춰 인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 구역에 위치한 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(EUV)’ 노광장비 조립을 완료하며 첨단 반도체 제조 분야에서 중요한 이정표를 달성했다. ASML 제품인 인텔의 하이 NA EUV 장비 ‘트윈스캔 EXE:5000’은 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용될 준비를 위해 여러 조정 단계를 진행 중이다. 이 신규 장비는 인쇄된 이미지를 실리콘 웨이퍼에 투사하기 위한 광학 설계 변경을 통해 차세대 프로세서의 해상도와 기능 확장을 획기적으로 개선하는 기능을 갖추고 있다. 마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우 겸 인텔 파운드리 로직 기술 개발 부문 노광, 하드웨어 및 솔루션 담당 디렉터는 “하이 NA EUV 추가로, 인텔은 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐으며, 2025년 이후 인텔 18A를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다”고 밝혔다. 하이 NA EUV 장비는 첨단 칩 개발과 인텔 18A 이후 차세대 프로세서 생산에서 핵심적인 역할을 할 예정이다. 업계 최초로 하
ASML, 글로벌 반도체 시장에서 중국이 차지하는 위상 주시 ASML이 미국의 압박 속에서도 중국 내 인력 확대를 계속 추진하고 있다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 14일 전했다. 션보 ASML 부회장 겸 중국 총괄은 전날 중국 경제 매체 제몐(界面)신문과 인터뷰에서 중국 시장에서 급속한 성장에 힘입어 현지 직원 수가 2017년 500명 미만에서 지난 8월말 현재 1500여명으로 3배로 뛰었다고 밝혔다. 2000년 중국 지사를 개설한 ASML은 현재 중국에서 12개의 사무실 건물을 소유하고 있으며, 미국과 중국 간 긴장 고조에도 올해 중국에서 신규 직원을 200여명 뽑을 것이라고 블룸버그 통신이 앞서 6월 보도했다. ASML은 세계에서 유일하게 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비를 생산하고 있다. 네덜란드 정부는 미국의 압박으로 ASML EUV 노광장비의 중국 수출 승인을 내주지 않고 있는데, 미국은 이런 조치를 구형 심자외선(DUV) 노광장비까지 확대해달라고 네덜란드에 요구하고 있다. 미국 상무부는 또한 자국 내 모든 반도체 장비 업체에 14나노미터 공정보다 미세한 제조기술을 적용한 장비를 중국에 수출하지 말라는 내용의 공문을 보냈다고 블룸버그가
美, ASML에 구형 노광장비까지 中 수출 제한 요청 미국이 네덜란드에 세계적 반도체 제조장비 업체 ASML의 장비에 대한 중국 판매 추가 제한을 요구하고 있다고 블룸버그통신이 이 사안을 잘 아는 소식통의 말을 인용해 5일(현지시간) 보도했다. 블룸버그는 돈 그레이브스 미국 상무부 부장관이 5월 말부터 지난달 초까지 네덜란드를 방문했을 때 ASML이 만드는 구형 심자외선(DUV) 노광장비의 중국 판매 금지를 요청했다고 밝혔다. 앞서 네덜란드 정부는 미국의 압박으로 ASML이 세계에서 유일하게 생산하는 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비의 중국 수출 승인을 내주지 않는데, 이런 조치를 구형 노광장비까지 확대해달라는 것이다. 그레이브스 부장관은 당시 네덜란드 펠트호번에 있는 ASML 본사를 방문해 페터르 베닝크 ASML CEO와도 만났다고 블룸버그는 덧붙였다. 미국은 일본에 대해서도 니콘 DUV 노광장비의 중국 판매 금지를 요청하는 것으로 전해졌다. DUV 노광장비는 EUV 같은 최첨단 기술은 아니지만, 자동차나 스마트폰, PC, 로봇 등에 들어가는 반도체를 만드는 데 사용되는 보편적인 기술이다. 블룸버그는 미국의 요청을 네덜란드가 수용하면 중국 최대 파운드리 업
극단의 스펙트럼 영역까지 광학 용도 확장 극자외선(EUV, Extreme ultraviolet)은 X-ray와 deep UV(DUV) 스펙트럼 영역 사이인 대략 10nm - 100nm를 아우르는 파장 대역입니다. 최근에는 리소그래피, 나노스케일 이미징 및 분광법과 같이 극자외선 영역을 다루는 수많은 압착 성형 응용 분야를 위해 콤팩트한 극자외선 소스 개발에 많은 노력이 집중돼 왔습니다. 에드몬드 옵틱스는 이와 같은 노력의 결과 몇몇 유형의 상용화된 EUV 광원을 이용하게 됐습니다. 대다수의 소재가 극자외선에 대한 강력한 흡수력을 갖기에 광학 부품 대부분은 투과성이 아닌 반사성을 띱니다. 따라서 파장이 짧은 극자외선 광학 제품들은 가시광 부품보다 엄격한 표면 품질 요건이 필요합니다. 이처럼 까다로운 요건으로 인해 극자외선 광학 제품의 양산이 쉽지는 않지만, 고해상도 이미징, 분광법 및 소재 가공 용도에서 다양한 이점을 보임에 따라 에드몬드 옵틱스는 극자외선 광학 제품 양산에 더 많은 노력을 기울이고 있습니다. 극자외선 광원 최초의 실용 극자외선 광원은 대형 연구실과 리소그래피 업체에서만 사용할 수 있는 거대 장치의 형태였으나 최근에는 극자외선 기술의 발달로 더
헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다. 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또한, 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이
헬로티 조상록 기자 | SK그룹의 투자 전문 지주사인 SK와 자회사들이 2025년까지 차세대 배터리 등 첨단소재 사업에 총 5조1,000억원을 투자한다. SK는 9월 15일 기관투자자와 애널리스트를 대상으로 기업설명회를 열고 '첨단소재 사업의 중장기 성장전략'을 발표했다. SK는 "기존 사업과의 시너지 및 선제적 투자를 통해 미래 핵심 소재 선점을 추진 중"이라며 "고부가, 고성장 신규 영역에 대한 적극적인 투자, 글로벌 협업, 인수·합병을 통해 글로벌 소재 기업으로 도약하겠다"고 말했다. SK는 투자 지분 가치를 올해 7조원에서 2025년 25조원이상으로, 상각 전 영업이익(EBITDA)을 1조1,000억원에서 3조4,000억원으로 확대한다는 목표를 세웠다. SK와 자회사는 반도체 소재 사업에 2조7,000억원, 화합물 배터리 소재에 1조원, 차세대 배터리 소재에 1조4,000억원을 투자한다. SK가 지분을 보유 중인 글로벌 1위 동박 제조사인 왓슨도 1조원을 자체적으로 투자한다. SK는 실리콘 웨이퍼의 생산량을 증대하고, EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 포토 등의 핵심 소재 국산화를 추진할 계획이다. 차세대 양극재를 연 5만t을
헬로티 서재창 기자 | SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다. SK하이닉스는 이달 초부터 차세대 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 8Gbit LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다. 앞서 미국의 마이크론도 지난달 4세대 D램인 1α기반(1a와 동일)의 LPDDR4x 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 관계자는 "플래그십 스마트폰 시장에서 LPDDR5 모바일 D램의 채용이 시작됐지만 아직 스마트폰의 주 채용 제품은 LPDDR4"라며, "이에 LPDDR4를 1a 첫 제품으로 양산하게 됐다"고 말했다. SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급할 예정이다. 이 제품은 D램 가운데 극자외선(EUV) 공정 기술이 처음 적용됐다. 앞서 SK하이닉
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UPDATE: 2025년 09월 11일 20시 17분
