낮은 비저항과 무공극 몰리브덴 금속 배선으로 뛰어난 충진과 고정밀 증착 구현 램리서치가 첨단 반도체 생산에 세계 최초로 몰리브덴을 활용하는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, 이하 ALD) 장비 'ALTUS Halo'를 공개했다. 특허받은 다양한 혁신 기술을 적용한 ALTUS Halo는 낮은 비저항과 무공극 몰리브덴 금속 배선을 통해 최첨단 반도체 소자를 위한 뛰어난 충진과 고정밀 증착을 구현한다. ALTUS Halo는 미래의 AI, 클라우드 컴퓨팅, 차세대 스마트 디바이스에 적합한 첨단 메모리 및 로직 칩 스케일링을 위한 기반을 제공한다. 램리서치의 ALTUS 포트폴리오에 새롭게 추가된 ALTUS Halo는 반도체 제조 공정 중 가장 까다로운 스케일링 난제를 극복할 수 있도록 지원하는 독보적인 제품이다. 차세대 애플리케이션 구동을 위한 첨단 반도체와 새로운 제조 공정에 대한 필요성은 나날이 증가하고 있다. 오늘날 모든 첨단 칩 제조에는 원자 단위의 금속 증착 기술이 필수적이다. 램리서치가 최초로 개발에 성공한 텅스텐 기반 ALD는 지난 20년 동안 금속 배선 기술의 업계 표준으로 자리 잡았다. 그러나 최근 고성능의 차세대 낸드, DRA
ALD 공정에 기여하는 밸브 제어 시스템 생산량을 극대화해야 하는 과제와 함께 최신 마이크로칩 생산에 필요한 공정은 점점 복잡해지고 정밀해지고 있습니다. 그렇기에 반도체 생산업체들은 보다 면밀한 공정 제어를 추구합니다. 반도체 생산 수율을 최적화하려면 원자층 증착(ALD)과 같은 생산 공정에서 성능 오차가 더 미세해야 합니다. 즉, 최적 생산성의 ALD 공정에는 정밀한 화학물질 투여 및 공급 시스템이 필수적입니다. 잘 설계된 밸브 제어 시스템이 이 공정에 기여할 수 있습니다. 반도체 석학들이 마주하고 극복했던 중요한 수수께끼가 기술의 지속적인 혁신에 전환점이 되었던 그 이유를 파헤쳐보겠습니다. 반도체 산업의 간략한 역사 반도체 산업은 1960년대 실리콘 밸리에서 시작됐습니다. 1990년대 후반에 이르러 과학계는 반도체 칩 하나당 트랜지스터 수가 2년마다 두 배가 될 것이라고 예측한 무어의 법칙이 곧 한계에 부딪힐 것으로 예상했습니다. 이는 소자에 사용되는 기존 유전체 층의 기술적 한계와 관련이 있으며, 업계는 SiO2를 대체할 유전체 재질이 곧 필요하게 될 것임을 알았습니다. 하지만 이미 SiO2는 증식이 편리하고 실리콘 웨이퍼상에서 탁월한 정밀도와 균일도를
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