일반뉴스 쏘닉스-룩스텔리젼스, 양자포토닉스 파운드리 공급 MOU

쏘닉스가 스위스 룩스텔리젼스(Luxtelligence, 이하 LXT)사와 ‘TFLN(Thin Film LiNbO3)을 이용한 포토닉스 집적 회로(Photonics Integrated Circuit, 이하 PIC) 양산 파운드리’를 위한 업무협약(MOU)을 체결했다고 6일 밝혔다. 스위스 PIC 제조회사인 룩스텔리젼스는 이번 업무 협약 체결을 통해 올해 말까지 양산 공정에 대한 설계 키트(Process Design Kit, 이하 PDK) 기술 이전 및 양산 셋업을 쏘닉스에 진행할 계획이며, 2026년 양산을 목표로 하고 있다. TFLN은 박막 리튬나오베이트(LiNbO3, LN)웨이퍼 또는 박막 리튬탄탈레이트(LiTaO3, LT)를 실리콘(Si)웨이퍼에 접합한 강유전성 이종접합 웨이퍼로, 기존의 리튬나오베이트 보다 얇고 유연하며 광학 특성이 뛰어난 소재다. 또한 TFLN은 실리콘 포토닉스에 비해 4배 더 높은 대역폭과 최대 40% 전력 소비 감소 효과가 있다. 최근 글로벌 데이터 트래픽은 AI 등장으로 지난 10년간 30배나 증가했으며, 이는 광트랜시버에서 데이터센터 인프라의 전력 소비와 속도에 대한 과제로 떠오르고 있다. 최근 TFLN 기반 광통신 칩의 시연은

• 이창현 기자
• 2025-01-06 13:58