SiC 파워 반도체 주력 생산 거점으로서 2024년 내 가동 예정 로옴 주식회사(이하 로옴)이 솔라 프론티어 주식회사와 체결한 기본합의에 입각해 11월 7일자로 솔라 프론티어의 (구)쿠니토미 공장 자산을 취득했다고 밝혔다. 본 공장은 로옴의 제조 자회사인 라피스 세미컨덕터 주식회사의 미야자키 제2공장으로서 정비 및 운영하여, SiC 파워 반도체의 주력 생산 거점으로서 2024년 내에 가동을 예정하고 있다. 로옴 그룹은 앞으로 시장 상황을 신속하게 파악하고, 중기 경영 계획을 바탕으로 생산 능력 강화를 추진함과 동시에, BCM 대책을 철저히 실시해 고객에 대한 안정 공급을 위해 노력할 것이라고 밝혔다. 미야자키현 Shunji Kono 지사는 "로옴과 라피스 세미컨덕터의 이번 계획은 미야자키현의 경제 발전에 크게 기여할 것으로 기대한다. 앞으로도 쿠니토미 지역과 연계해 인재의 육성과 확보를 비롯해 최대한 지원할 예정이다"고 말했다. 미야자키현 히가시모로카타군 쿠니토미초 Naofumi Nakabeppu 지방자치장 역시 "로옴과 라피스 세미컨덕터가 SiC 파워 반도체의 새로운 생산 거점으로서 대규모 사업을 전개하는 것은 쿠니토미 지역의 경제를 비롯해 다양한 분야에서
[헬로티] 최근 클러스터(자동차 계기판) 및 카 네비게이션, 전자 미러 등의 LCD 패널화가 급격하게 추진되고 있으며, 용도가 확대됨에 따라 패널의 대형화 및 고정밀도화에 대한 요구가 커지고 있다. LCD 패널의 대형화 및 고정밀도화를 실현하기 위해서는 LCD 패널을 구동하는 드라이버, 컨트롤러의 다채널화가 필요하며 시스템 구축과 동작 검증이 어려우므로 칩셋 공급에 대한 요구가 높아지고 있다. 또한, 전자 미러 등의 이상이 큰 사고로 이어지는 애플리케이션에 대해서는 사고를 미연에 방지하는 기능 안전도 필요하다. 이와 관련, 로옴과 로옴 그룹 라피스 세미컨덕터는 자동차의 클러스터 및 카 네비게이션 등에 채용되는 대형, 고정밀도 LCD 패널용으로 차량용 LCD 패널의 구동 및 제어를 실행하는 칩셋을 개발했다. 이번에 개발한 칩셋은 우수한 HD/FHD 클래스의 고정밀도 LCD 패널을 구동하는 게이트 드라이버, 소스 드라이버, 타이밍 컨트롤러(T-CON)와 이를 최적으로 동작시키는 파워 매니지먼트 IC(PMIC), 감마 보정 IC로 구성되어 있다. 각 IC가 정보를 수시로 공유함으로써 LCD 패널용 디바이스에 기능 안전을 도입해, 자동차에서 요구되는 높은 품질을
로옴 그룹의 라피스 세미컨덕터는 전동 자전거 및 축전 시스템, UPS 등 리튬이온 배터리 시스템의 기능 안전을 실현하는 14직렬 셀, 최대 80V에 대응하는 리튬이온 배터리 2차 보호 LSI 'ML5232'를 개발했다. 최근, 에너지 밀도가 높은 리튬이온 배터리를 사용하는 애플리케이션이 급증하고 있다. 그러나, 리튬이온 배터리는 인체, 재산을 보호하는 기능 안전 규격에 준거해, 보다 높은 신뢰성이 요구되고 있다. 또한 리튬이온 배터리는 과충전 및 과방전에 대한 대책이 필수적이며, 용도 확대와 더불어 더 높은 신뢰성 확보가 중요해짐에 따라, 만일에 대비하는 대책으로 2차 보호 LSI를 사용하는 케이스가 더욱 증가하고 있다. 라피스 세미컨덕터는 지금까지 배터리 감시 LSI를 개발하는 데 주력해 왔으며, 이러한 사회적 요구에 따라 2차 보호 LSI 라인업을 구비하고 있다. 2차 보호 LSI는, 리튬이온 배터리 감시 시스템에 탑재되는 배터리 감시 LSI 측의 시스템에 문제가 발생할 경우, 리튬이온 배터리의 사고를 방지하는 기능을 담당한다. 이번에 개발한 'ML5232'는 최대 14직렬 셀까지 검출이 가능하므로, 기존의 4직렬 대응 2차 보호 LSI에 비해 부품 수
로옴(ROHM) 그룹의 라피스 세미컨덕터(LAPIS Semiconductor)는 빈도가 높은 로그 데이터를 취득할 수 있고, 긴급 시 고속 데이터 백업이 필요한 스마트미터, 헬스케어 기기, 카 네비게이션 등에 적합한 강유전체 메모리(Ferroelectric Random Access Memory. 이하, FeRAM) MR44V064B/MR45V064B를 개발했다. 여기서 강유전체 메모리는, 전원이 끊어져도 기억 데이터를 보존하는 비휘발성 메모리의 일종이다. 차세대 비휘발성 메모리로서 주목받고 있는 시리얼 버스 탑재 64Kbit 강유전체 메모리 FeRAM은, 일반적으로 보급되고 있는 비휘발성 메모리에 비해 고속 데이터 다시 쓰기(Rewrite), 높은 다시 쓰기 내성, 저소비전력 등의 특징을 갖고 있으므로, 애플리케이션의 저전력화와 고기능화에 도움이 되는 디바이스이다. 이 제품은 낮은 동작전압 1.8V를 실현함에 따라, 니켈 수소 전지 2개로도 FeRAM을 사용할 수 있다. AAA 충전지 2개로 약 11년 동안 다시 쓰기(1초당 64Kbit Rewrite 시)할 수 있게 됨에 따라 애플리케이션을 한층 더 장시간 구동할 수 있게 됐으며, 포터블 기기와 IoT 분야
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