지난달 정보통신기술(ICT) 분야 수출이 조업일수 감소에도 인공지능(AI) 수요에 따른 반도체 호황에 힘입어 역대 10월 중 최대 실적을 기록했다. 13일 과학기술정보통신부의 10월 ICT 수출입 동향에 따르면 수출액은 233억3000만 달러로 지난해 10월보다 12.2% 증가하며 역대 10월 중 최대치였다. 지난달은 조업일수가 지난해 같은 달보다 이틀 적고 글로벌 통상 환경이 불확실했지만, 반도체 호황 등에 힘입어 9개월 연속 성장세를 나타냈다. 반도체 수출액은 157억4000만 달러로 25.4% 증가하며 8개월 연속 두 자릿수 증가를 기록했다. D램과 낸드 가격 상승과 AI 서버 등 고부가 메모리 수요 증가가 주원인으로 꼽혔다. 휴대전화는 하반기 출시된 삼성전자 폴더블폰 등 주력 제품 수요가 증가하며 완제품 수출액은 늘었지만, 애플 등 해외 주요 기업의 생산 거점인 중국으로 부분품 수출이 둔화하며 전체 수출액은 11.8% 감소했다. 통신장비 수출액은 베트남과 인도의 기지국용 장비 수요 증가로 2.5% 증가했다. 수출 지역별로는 TSMC 호실적이 이어지는 대만향 수출이 42억8000만 달러로 지난해 10월보다 60.0% 급증했다. DDR5, 고대역폭메모리(
메모리 반도체 D램의 월평균 가격이 3개월 연속 보합세를 이어갔다. 2일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 7월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 2.1달러로 집계됐다. D램 가격은 작년 10월부터 올해 1월까지 4개월 연속 오른 후 2개월간 보합세를 유지했다. 이어 4월에 16.67% 오르며 2022년 12월 이후 처음 2달러대를 회복해 유지 중이다. 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 7월 평균 고정거래가격도 전월과 같은 4.9달러를 유지하며 5개월째 보합세를 유지했다. 앞서 낸드 가격은 작년 10월부터 올해 2월까지 5개월 연속 상승했다. 헬로티 김진희 기자 |
삼성전자가 마이크로SD 카드 신제품 2종을 개발하고, 고성능·고용량 마이크로SD 카드 라인업 확대에 나선다. 삼성전자가 업계 최초로 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발하고 고객사에 샘플 제공을 시작했다. 삼성전자는 저전력 설계 기술과 펌웨어 최적화로 발열 등 마이크로SD 폼팩터 기반 제품 개발의 기술 난제를 해결해 손톱 크기만 한 폼팩터에서도 최고의 성능과 안정성을 구현해냈다. 이 제품은 SD 익스프레스 7.1 규격을 기반으로 마이크로SD 카드 최고 연속 읽기 성능인 초당 800메가바이트(800MB/s)와 256GB의 고용량을 제공해 업계 최고 수준의 성능과 용량을 자랑한다. 연속 읽기 800MB/s는 4GB 크기 영화 한 편을 메모리카드에서 PC로 5초 안에 전송할 수 있는 속도로 기존 UHS-Ⅰ카드의 연속 읽기 200MB/s 대비 최대 4배까지 향상시켰다. 또한 SSD에 탑재했던 DTG(Dynamic Thermal Guard) 기술을 마이크로SD 카드에도 최초 적용해 제품 온도를 최적 수준으로 유지시켜 소형 폼팩터에서 발생하는 발열 문제를 효과적으로 해결했다. DTG 기술은 특정 온도 이상으로 오르지 않도록 제품의 성능을 단
이 부사장 "지금까지 시도하지 않았던 다양한 도전으로 혁신 이어가야" SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 신임임원 인사에서 ‘역대 최연소 신임임원’으로 이동훈 부사장을 선임하며, 젊은 리더십을 내세웠다. 이 부사장은 SK하이닉스 신임 임원 인터뷰를 통해 "AI 시대의 도래와 함께 급변하는 미래에 신속하면서도 유연하게 대응하는 것이 중요하다"고 강조했다. 1983년생인 이동훈 부사장은 올해 신설된 조직인 ‘N-S Committee’의 임원으로 발탁됐다. N-S Committee는 낸드(NAND)와 솔루션(Solution) 사업 경쟁력을 강화하기 위한 신설 조직으로, 낸드·솔루션 사업의 컨트롤 타워 역할을 맡아 제품 및 관련 프로젝트의 수익성과 자원 활용의 효율성을 높이는 업무를 담당한다. 이 부사장은 대학에서 학업 중이던 2006년 SK하이닉스 장학생으로 선발돼 석·박사 과정을 수료하고, 2011년 입사한 기술 인재다. 특히, 그는 128단과 176단 낸드 개발 과정에서 기술전략 팀장을, 238단 낸드 개발 과정부터는 PnR(Performance & Reliability) 담당을 맡아 4D 낸드 개발 전 과정에서 핵심 역할을 수행하며 SK하이닉스
2023년 2분기 경영실적 발표...매출 7조3059억 원, 영업손실 2조8821억 원, 순손실 2조9879억 원 SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 2분기 매출 7조3059억 원, 영업손실 2조8821억 원(영업손실률 39%), 순손실 2조9879억 원(순손실률 41%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 회사는 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM3와 DDR5 등 프리미엄 제품 판매가 늘어나 2분기 매출은 1분기 대비 44% 커지고 영업손실은 15% 감소했다"고 설명했다. SK하이닉스에 따르면, 2분기에 D램과 낸드 판매량이 공히 늘었고 특히 D램의 평균판매가격(ASP, Average Selling Price)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다. 또, 회사는 전사적인 비용 절감 노력을 지속하는 가운데 재고평가손실이 감소하면서 영업손실폭을 줄일 수 있었다.
전송속도 최대 2.4Gbps 지원…7세대 대비 1.2배 향상 삼성전자는 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. '1Tb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 8세대 V낸드'는 단위 면적당 저장되는 비트 수(비트 밀도)가 업계 최고 수준인 고용량 제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다. 8세대 V낸드에는 최신 낸드플래시 인터페이스 '토글 DDR 5.0'을 적용했다. 이에 따라 7세대 낸드보다 약 1.2배 빠른 최대 2.4Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 아울러 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"고 설명했다. 삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전
헬로티 김진희 기자 | 올해 초부터 상승세를 보여온 메모리반도체 D램 고정거래가격이 이달에만 10% 가까이 하락한 것으로 나타났다. 29일 대만의 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb)의 10월 고정거래가격은 지난달보다 0.39달러 하락한 3.71달러를 기록했다. 전 분기 대비 9.51% 떨어진 가격이다. 이 제품은 올해 1월 5％ 상승을 시작으로 4월 26.67％, 7월 7.89％ 오르며 올해 내내 상승세를 보였다. 가격이 하락한 것은 지난해 10월(-8.95%) 이후 1년 만이다. 트렌드포스는 "PC 제조사들의 D램 재고 수준이 높아지면서 수요가 약해진 상황"이라며 "내년 중반까지 가격 내림세가 이어질 것으로 보인다"고 분석했다. 클라우드 업체들이 주로 구매하는 서버용 D램 주요 제품(32GB RDimm) 고정거래 가격은 제품에 따라 최대 4.38%까지 하락했다. 트렌드포스는 4분기 평균 거래가격이 직전 분기 대비 3~8%가량 하락할 것으로 전망하고, 내년 1분기에는 10% 이상으로 가격이 내려갈 것으로 내다봤다. D램과 함께 대표적인 메모리 반도체인 낸드플래시는 이달에 가격 변동이 없었다. 메모리카드·USB향 낸드플래시
헬로티 서재창 기자 | 삼성전자와 SK하이닉스는 코로나19를 계기로 디지털 대전환을 맞은 시대에 차세대 메모리 반도체의 화두로 사회적 가치와 생태계 전체와 협력하는 개방형 혁신을 제시했다. 이석희 SK하이닉스 사장과 한진만 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장·부사장은 15일 세계반도체연합(GSA)가 개최한 '2021 GSA 메모리 플러스 온라인 컨퍼런스' 기조연설에서 메모리 반도체가 직면한 도전과 새로운 역할에 대해 발표했다. 이석희 사장은 메모리 반도체가 기존 전통적인 스케일링(Scaling·미세 공정) 가치 외에 소셜(Social)과 스마트(Smart)로까지 가치가 확장하고 있다고 강조했다. 반도체 업체들이 기존에 주력해온 본연의 가치인 칩 크기 축소뿐 아니라 환경 등 사회적 가치, AI 등 차세대 기술과 연결된 혁신적인 메모리 솔루션까지 갖춰야 이전과는 다른 '비욘드 메모리' 혁신을 주도한다는 설명이다. 이 사장은 "이러한 혁신을 위해서는 반도체 생태계 전체의 협력이 필요하다"며, "협력 기반의 동반자적 관계로 전환해 고객과 시장에 새로운 가치와 기회를 제공해야 한다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 최근 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급
헬로티 김진희 기자 | 3분기 D램과 낸드 가격이 상승세를 보이겠지만 상승폭은 서로 엇갈릴 것으로 예측되고 있다. 낸드플래시는 2분기 수준의 가격 상승세가 예상되지만 D램은 가격 상승세가 주춤해질 것이라는 관측이 나왔다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스는 올해 3분기 낸드플래시 가격이 2분기 대비 5∼10% 상승할 것으로 예상된다고 15일 밝혔다. 이는 지난 2분기의 평균 상승률과 같은 수준이다. 트렌드포스는 코로나19 영향으로 메모리 카드와 USB 드라이브 판매가 감소했지만 노트북 수요와 인텔의 아이스레이크(IceLake) 기반의 새로운 CPU 출시 등으로 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 수요가 늘면서 가격은 상승세를 유지할 것으로 예상했다. 특히 서버에 들어가는 기업용 SSD는 수요 증가로 평균 계약 가격이 2분기 최대 5% 상승에서 3분기에는 최대 15%가 오를 것으로 내다봤다. 트렌드포스는 "낸드플래시 생산에서 내부 부품 점유율이 높은 삼성전자는 SSD 공급에서 유연성을 갖고 있다"며 "삼성전자가 3분기 기업용 SSD 계약 가격협상에서 우위를 점하게 됐다"고 말했다. 그러나 트렌드포스 조사 기준으로 올해 2분기 18∼23% 오른 D램 가격은 3분기에
[헬로티] SK하이닉스는 데이터센터에 사용되는 기업용 SSD 제품인 ‘PE8110 E1.S’의 양산을 시작했다고 15일 발표했다. ▲기업용 SSD PE8110 E1.S 회사는 지난 3월 말 제품에 대한 내부 인증을 완료했고 5월 중 주요 고객에 제공할 예정이다. 앞서 SK하이닉스는 2019년 6월 세계 최초로 128단 4D 낸드 개발을 성공한 바 있다. 이후 회사는 128단 낸드 기반의 기업용 SSD 제품 세 가지(SATA SE5110, PCIe Gen3 PE8111 E1.L, PE8110 M.2)를 개발해 양산해왔다. 이어 이번 PE8110 E1.S의 양산을 통해 회사는 이 분야 제품군의 ‘완전한 라인업’을 구축하게 됐다고 설명했다. 완전한 라인업이란 128단 4D 낸드 기반의 기업용 SSD 제품 중 SATA 및 PCIe(E1.L, M.2, E1.S)의 폼팩터를 모두 갖춘 것을 의미한다. PE8110 E1.S는 이전 세대 96단 낸드 기반 제품인 PE6110 대비 읽기 속도는 최대 88%, 쓰기 속도는 최대 83% 향상된 제품이다. 이는 4GB 용량의 풀 HD급 영화 한 편을 1초 만에 저장하는 수준이다. 또한,
[헬로티] 키옥시아와 웨스턴디지털은 양사가 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. ▲게티이미지뱅크 20년간 파트너십을 이어온 키옥시아와 웨스턴디지털은 폭넓은 기술 및 제조 혁신을 바탕으로 최신 3D 플래시 메모리 기술을 개발, 양사의 역대 최고 밀도를 달성하게 됐다. 이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다. 이런 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소된 다이(die) 크기와 이를 통한 비용 최적화를 지원한다. 키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시 메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상돼, 한층 빠른 전송 속도에 대
[헬로티] Vantex의 새로운 기술 혁신과 Equipment Intelligence로 고종횡비(high aspect ratio) 식각이 재정의되면서 칩 제조업체들은 3D NAND 및 DRAM 로드맵을 발전시킬 수 있게 됐다. ▲램리서치는 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex를 전 세계에 동시 공개했다. 램리서치는 현재 출시된는 식각 플랫폼 중 지능면에서 가장 앞선 Sense.i에 맞게 설계된 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex를 오늘 공개했다. 식각 기술 분야를 선도하는 램리서치의 기술력을 바탕으로 구축된 디자인 설계는 현재와 미래 세대의 NAND 및 D램 메모리 소자 성능은 물론 그 확장성까지 향상시킬 수 있게 됐다. 스마트폰, 그래픽 카드, 솔리드 스테이트(solid-state) 스토리지 드라이브 등에 사용되는 3D 메모리 소자를 만드는 칩 제조업체들은 소자의 높이 치수는 늘리고 가로 임계치수(critical dimension, CD)는 줄여 노드의 비트당 원가를 줄이기 위해 끊임없이 노력해왔다. 그 결과 3D NAND와 DRAM의 식각 종횡비가 새로운 차원에 도달하고 있다. Vantex의 챔버
[헬로티] SK하이닉스 'DDR5' 개발 성공하고 마이크론은 '176단 낸드' 양산 1위 삼성전자 "둘 다 내년 양산 차질없이 진행중"이라지만 속내 불편 SK의 인텔 낸드 인수로 메모리 지각변동 불가피…업계 "시장 지배는 투자와 품질" 글로벌 메모리 반도체 시장에서 선도기업들의 차세대 제품 기술력 다툼이 치열하게 전개되고 있다. D램과 낸드 플래시 1위인 삼성전자를 견제하며 후발 기업인 SK하이닉스와 미국의 마이크론이 무섭게 치고 나오는 형국이다. 12일 업계에 따르면 미국의 메모리 반도체 기업인 마이크론테크놀로지는 9일(현지시간) 세계 최초로 176단 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다.' 사진. 미국 마이크론테크롤로지는 지난 9일(현지시간) 세계 최초로 176단 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다. (출처: 연합뉴스) 낸드플래시는 기본 저장 단위인 '셀'을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술력으로 마이크론이 개발한 176단 낸드는 삼성전자와 SK하이닉스가 현재 시판하고 있는 최고 사양의 128단 낸드보다 앞서는 기술이다. 마이크론은 보도자료에서 "176단 낸드는 경쟁사 대비 적층 수가 40%가량 높고, 이전 세대의 대용량
[헬로티] 삼성전자·SK하이닉스 등 역대 최대 규모 참가 반도체 산업의 최신 기술 흐름을 볼 수 있는 전시 행사가 열린다. 한국반도체산업협회(회장 진교영)는 27일부터 30일까지 서울 강남 코엑스에서 '제22회 반도체 대전(SEDEX)'을 개최한다고 22일 밝혔다. 이번 행사에는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 반도체 소재, 부품, 장비, 설계, 설비기업 등 반도체 산업 생태계를 구성하는 218개 기업이 490개 부스로 참여한다. 역대 최대 규모다. 삼성전자는 5G 통신과 인공지능(AI), 빅데이터, 오토모티브(Automotive) 등 4대 솔루션을 중심으로 차세대 반도체 제품을 대거 선보일 예정이다. D램 최초로 EUV 공정을 적용한 역대 최대 용량의 512GB DDR5와 16GB LPDDR5 모바일 D램, 0.7μm(마이크로미터) 픽셀 기반 이미지센서 라인업 등을 전시한다. SK하이닉스는 '모든 데이터는 메모리로 통한다(All Data Lead to Memory)'라는 주제로 4차산업 혁명시대의 메모리 반도체의 위상과 중요성에 대해 소개한다. 또 지난 10월 세계 최초로 공개한 DDR5와 PCIe 4.0 규격의 최신 솔리드 스테이트 드라
[헬로티] 취약했던 낸드 보완해 D램 의존도 낮춰…안정적인 사업구조 확보 낸드 점유율 20% 넘어 2위로 도약…인텔은 비메모리 분야 집중할 듯 SK하이닉스가 국내 인수합병(M&A) 사상 최대 규모인 10조3천억원을 투자해 인텔의 낸드 사업부를 인수하기로 하면서 글로벌 메모리 반도체 시장에도 적지 않은 지각 변동이 예상된다. SK하이닉스가 D램에 비해 상대적으로 취약했던 낸드플래시 부문의 시장 점유율을 높이면서 메모리 반도체 분야의 글로벌 1위인 삼성전자를 바짝 뒤쫓게 됐다. SK하이닉스는 이와 함께 메모리 분야에서 안정적인 사업 구조를 확보하게 되면서 반도체 시장의 가격 변동에도 능동적인 대응이 가능해질 전망이다.' 사진. SK하이닉스, 인텔 낸드사업 인수(출처: 연합뉴스) ◇ D램 이어 낸드도 글로벌 2위로 도약…사업변동폭 축소 기대 D램 부문 세계 2위 생산 기업인 SK하이닉스는 사업 비중이 올해 2분기 기준 D램이 72%에 달하는 반면 낸드는 24%에 그치는 등 다소 기형적인 사업 구조를 갖고 있었다. 이 때문에 D램 가격이 출렁일 때마다 회사의 수익도 들쑥날쑥해 사업의 변동성이 크다는 것이 최대 약점으로 지
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