퓨리오사AI가 자사의 2세대 AI 추론 가속기 ‘레니게이드(RNGD)’를 LG의 대규모 언어모델(LLM) ‘엑사원(EXAONE)’에 전면 도입했다고 22일 밝혔다. 이번 협업은 양사가 약 8개월에 걸쳐 진행한 성능 검증을 바탕으로 추진됐으며, 이를 통해 레니게이드는 GPU를 대체할 수 있는 현실적인 대안으로 주목받고 있다. LG AI연구원은 엑사원 3.5 모델의 파일럿 환경에 레니게이드를 적용해 테스트한 결과, 전력 대비 성능에서 기존 GPU보다 약 2.25배 높은 효율을 확인했다. 특히 대규모 AI 모델 구동 시 GPU가 갖는 고질적인 전력 소모 문제를 해결하면서도 고성능 요건을 충족시켰다는 점에서 의미가 크다. 이번 사례는 대형 엔터프라이즈 AI 추론 환경에서 GPU 이외의 가속기가 실질적으로 도입된 첫 사례 중 하나로, 산업 전반에서 AI 인프라 다변화 가능성을 제시했다. 퓨리오사AI는 이를 통해 글로벌 기업을 대상으로 한 엔터프라이즈 레퍼런스를 확보하게 되었으며, 향후 대형 AI 프로젝트에 활용도를 확대할 수 있는 기반을 마련하게 됐다. LG 측도 레니게이드의 실용성을 높이 평가했다. 전기정 LG AI연구원 프로덕트 유닛장은 “다양한 GPU 및 NPU
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 메타표면(Metasurface) 광학 기술 기업인 메타렌즈(Metalenz)와 새로운 라이선스 계약을 체결했다고 22일 밝혔다. 이번 계약으로 ST는 300mm 반도체 및 광학 제품 생산, 테스트, 품질 인증을 결합한 기술 및 제조 플랫폼을 활용하면서 메타렌즈의 IP를 이용해 첨단 메타표면 광학 소자 생산 역량을 확대하게 된다. 알레상드르 발메프레졸 ST 수석 부사장 겸 이미징 서브그룹 사업 본부장은 “ST는 광학과 반도체 기술을 획기적으로 결합한 생산 역량을 갖춘 독보적인 공급업체”라며 “ST는 2022년부터 메타렌즈 IP를 이용해 1억 4천만 개 이상의 메타표면 광학 소자와 플라이트센스(FlightSense) 모듈을 출하했다”고 전했다. 그는 이어 “메타렌즈와의 새로운 라이선스 계약은 컨슈머, 산업, 자동차 분야에서 ST의 기술 리더십을 더욱 강화하고 생체 인식, 라이다(LIDAR), 카메라 지원과 같은 스마트폰 애플리케이션부터 로보틱스, 제스처 인식, 객체 감지에 이르기까지 새로운 시장 기회를 창출할 것”이라며 “300mm 반도체 팹에서 광학 기술을 처리하는 독보적인 ST의 모델은
온세미는 스토니브룩대학교와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭 연구 센터를 설립한다고 발표했다. 이를 통해 온세미는 전력 반도체를 혁신적으로 발전시키고 이 분야의 차세대 전문 인력을 양성할 계획이다. 이번 투자는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트와 맺은 2000만 달러 규모의 전략적 협력의 일환이다. 해당 센터는 실리콘 카바이드(SiC)를 포함한 와이드 밴드 갭 소재와 디바이스 구현 기술의 기초 연구를 발전시키는 것을 목표로 한다. 이러한 기술은 AI와 전기화의 에너지 효율 개선에 있어 필수 역량이다. 해당 시설은 2027년 초에 완전히 가동될 것으로 예상되며 소재 개발, 디바이스 통합, 성능 특성화를 위한 전문 실험실과 첨단 기기를 갖출 예정이다. 디네시 라마나선 온세미 기업 전략 담당 수석 부사장은 “첨단 전력 반도체는 AI와 전기화의 광범위한 채택을 가능하게 하는 핵심”이라며 “새로운 센터는 이러한 글로벌 메가트렌드에서 가장 중요한 분야의 혁신을 가속하는 데 핵심적인 역할을 할 것”이라고 전했다. 이어 “뉴욕 주지사의 비전에 따라 온세미는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트와의 강력한 파트너십을 통해 전력 반도체 분야의 차
이점바드-AI, 총 5448개의 GH200 슈퍼칩 탑재해 영국 정부가 엔비디아 GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩 기반의 AI 슈퍼컴퓨터 ‘이점바드-AI(Isambard-AI)’를 공식 가동하며 글로벌 AI 인프라 경쟁에 본격적으로 뛰어들었다. 이번 슈퍼컴퓨터 구축은 AI 기반 산업 경쟁력 강화와 과학기술 주권 확보를 위한 국가적 전략의 일환으로, 브리스톨 슈퍼컴퓨팅 센터(BriCS)를 중심으로 구축됐다. 이점바드-AI는 총 5448개의 GH200 슈퍼칩을 탑재해 21엑사플롭스(ExaFLOPS)급 AI 연산 성능을 자랑한다. 최신 TOP500 슈퍼컴퓨터 순위에서 세계 11위에 오를 것으로 예상되며, 에너지 효율성 부문에서는 Green500 기준 세계 4위를 기록했다. 영국 내 기존 모든 슈퍼컴퓨터의 연산력을 합친 것보다 강력한 성능을 갖췄다는 평가다. 해당 시스템은 고성능 AI 연산 외에도 다양한 연구 분야에서의 활용이 기대된다. 대표적으로 국민보건서비스(NHS) 데이터를 기반으로 한 ‘나이팅게일 AI’ 프로젝트, 영국 고유의 언어·법률 체계에 맞춘 LLM ‘브릿LLM’, 전립선암 조기 진단을 위한 UCL의 암 검진 AI 프로젝트 등이 포함된다. 이외에도 지속가
라피더스가 2나노미터(nm) 반도체 시제품 제작에 성공하며, 첨단 공정 경쟁에 본격적으로 뛰어들었다. 19일 일본 언론 보도에 따르면, 라피더스는 전날 홋카이도 지토세시 공장에서 제작한 2나노 트랜지스터 시제품을 공개하고, 이달 10일 전기 신호 제어 기능이 정상 작동했음을 확인했다고 밝혔다. 라피더스 고이케 아쓰요시 사장은 “기존 산업 관점에선 상상할 수 없을 만큼 빠르게 결과를 냈다”며 이번 성과를 “획기적인 사건”으로 평가했다. 지난 4월 공장을 가동한 이후 불과 수개월 만에 트랜지스터 기능 검증까지 마친 셈이다. 하지만 본격적인 양산까지는 과제가 적지 않다. 아사히신문은 “불량률을 낮추고 품질을 안정화하지 않으면 대규모 자금 조달이나 고객 확보는 어려울 것”이라며, 생산 수율 향상이 최우선 과제라고 지적했다. 실제로 라피더스는 약 5조 엔(한화 약 46조8천억 원)에 달하는 양산 투자금 중 현재까지 1조7,225억 엔(약 16조1천억 원)만 확보한 상태다. 이번 시제품 공개는 TSMC가 올해 하반기 2나노 양산을 앞두고 있는 가운데, 일본이 첨단 반도체 시장에서 기술 주권 회복을 노리는 신호탄이라는 점에서 주목된다. 다만, TSMC와 삼성전자처럼 수십
중국과 연계된 해커들이 올해 상반기 대만 반도체 기업과 관련 전문가들을 타깃으로 한 조직적인 사이버공격을 벌인 것으로 드러났다. 미국 사이버보안 기업 프루프포인트의 최근 분석에 따르면, 최소 3개 이상의 중국계 해커 그룹이 지난 3월부터 6월 사이 대만 내 소형 반도체 기업부터 글로벌 금융사 소속 애널리스트까지 약 15~20개 조직을 대상으로 해킹을 시도한 것으로 나타났다. 프루프포인트는 이번 공격이 단순한 정보 탈취를 넘어, 표적과 수법 면에서 정교해지고 있다는 점에서 주목할 필요가 있다고 강조했다. 특히 과거 공격 대상이 아니었던 조직들이 새롭게 표적이 되는 사례가 늘고 있으며, 이는 기존 보안 시스템으로 탐지하기 어려운 새로운 위협 유형이라는 분석이다. 공격 방식은 이메일 스피어피싱을 기반으로 했다. 해커들은 대만의 대학 이메일 계정을 탈취한 뒤, 구직자나 가짜 투자자로 위장해 반도체 설계 및 공급망 관련 조직에 악성 파일을 전송하거나 협업 요청을 가장해 접근하는 수법을 활용했다. 이는 단순 기술 정보 탈취를 넘어 기업 내부 네트워크 침투를 목표로 한 시도로 해석된다. 대만의 대표 반도체 기업인 TSMC, 미디어텍, UMC, 난야테크놀로지, 리얼텍 등이
TSMC가 올해 하반기부터 예고한 대로 2나노미터(nm) 공정 양산을 시작한다. 18일 대만 현지 언론 보도에 따르면, 웨이저자 TSMC 회장은 2분기 실적설명회를 통해 “2나노 공정은 3나노와 유사한 양산 패턴을 따르며, 하반기 생산을 시작해 내년 상반기 실적에 기여할 것”이라고 밝혔다. TSMC는 2나노 제품이 3나노 대비 높은 가격대를 형성할 것으로 예상해 수익성 측면에서도 긍정적인 효과를 기대하고 있다. 이와 함께 TSMC는 2026년 하반기부터는 스마트폰 및 고성능컴퓨팅(HPC)용 확장형 2나노 공정인 N2P 양산을 예고했다. 기술 로드맵도 한층 구체화됐다. 웨이 회장은 업계 최고 수준의 후면 전력 공급(SPR) 기술을 적용한 A16(1.6나노) 공정을 2026년 하반기부터 양산할 계획이라고 밝혔다. 이어 1.4나노 노드 전환 기반의 A14 공정은 현재 개발이 순조롭게 진행 중이며, 성능과 수율 면에서 기대치를 초과해 2028년 양산을 목표로 하고 있다고 덧붙였다. 특히 A14에는 트랜지스터의 전력 효율을 대폭 향상시키는 GAA(Gate-All-Around) 2세대 기술이 적용되며, 2029년에는 SPR 기술도 추가 도입할 예정이다. 웨이 회장은 올
삼성E&A가 삼성전자 평택 반도체 공장에서 약 9천억원 규모의 공사를 수주하며 반도체 생산 인프라 구축 사업에 다시 한 번 힘을 보탠다. 삼성E&A는 7월 18일 공시를 통해 삼성전자와 약 9천96억원 규모의 공사 계약을 체결했다고 밝혔다. 이번 계약은 평택 반도체 공장 P4라인의 페이즈4(ph4) 마감 공사로, 공사 기간은 2027년 7월 말까지로 예정돼 있다. 이번 수주 금액은 삼성E&A의 2023년 말 연결 기준 매출액 대비 약 12.15%에 해당하는 규모다. 중장기 프로젝트이지만 단일 계약 기준으로는 상당한 규모이며, 지속적인 매출원 확보와 더불어 삼성전자와의 전략적 파트너십을 강화하는 계기가 될 것으로 전망된다. 삼성전자의 평택 반도체 단지는 총 393만㎡(약 120만 평) 규모로, 2030년까지 총 6개의 생산라인(P1L~P6L)과 부속동을 순차적으로 건설하는 대형 프로젝트다. 이 단지는 향후 메모리 및 시스템 반도체 생산의 글로벌 핵심 거점으로서 기능할 예정이며, 관련 설계·시공·설비 업계에도 장기적인 수혜가 기대되고 있다. 건설업계는 이번 수주를 계기로 반도체 클린룸 및 마감 공사 전문 역량을 갖춘 기업들에 대한 수요가 더
미국 공화당 소속의 존 물레나르 하원의원이 AI 반도체 대표 기업 엔비디아의 H20 칩 대중국 수출 재개에 공개적으로 반대 의사를 표명했다. 그는 자국 반도체 기술이 중국의 군사력 강화나 감시 시스템에 활용되는 것을 경계해야 한다고 강조했다. 로이터통신에 따르면, 미 하원 미중전략경쟁특위 위원장을 맡고 있는 물레나르 의원은 7월 18일(현지시간) 하워드 러트닉 미 상무장관에게 보낸 서한에서 엔비디아의 H20 반도체 수출이 “중국 공산당에 잘못된 신호를 줄 수 있다”며, 수출 중단 결정을 재확인해줄 것을 요청했다. 그는 “중국은 미국의 기술을 활용해 자국민을 통제하고, 군사적 역량을 키우며, 결국 미국의 혁신을 억제하는 방식으로 대응하고 있다”고 지적했다. 이어 “4월의 수출 중단 조치는 올바른 판단이었다”며 상무부의 기존 입장을 유지해야 한다고 강조했다. 엔비디아는 지난 4월 미국 정부의 수출 규제 강화 기조에 따라 중국 내 H20 반도체 판매를 일시 중단한 바 있다. 하지만 미중 간 통상 관계가 부분적으로 완화되며, 약 3개월 만에 해당 제품의 수출을 재개했다. 이는 지난 5월 양국이 관세 문제를 일부 봉합하며 한발 물러선 조치의 연장선으로 해석된다. 그러
핵심 부품 국산화 가능성 타진 및 기업 애로사항 청취 위해 방문해 웨이비스는 7월 15일 방위사업청 강환석 차장 일행이 경기도 화성 본사를 방문해 국방반도체 기술 자립을 위한 현장 의견을 수렴했다고 밝혔다. 이번 방문은 국방반도체 핵심 부품의 국산화 가능성을 직접 확인하고, 기업의 현실적인 애로사항과 제안을 청취하기 위한 취지로 진행됐다. 강환석 차장 일행은 웨이비스의 생산시설을 둘러본 뒤, 질화갈륨 기반 RF 반도체의 개발 현황과 국산화 사례에 대한 설명을 들었다. 웨이비스는 질화갈륨 반도체 칩을 국산화하고 이를 자체 생산설비(Fab)에서 양산하는 국내 유일의 기업이다. 질화갈륨은 고출력·고주파 환경에서도 안정성이 높아, 첨단 무기체계는 물론 안티드론, 위성통신, 5G·6G 인프라 등 다수의 전략 산업에서 핵심 소재로 부상하고 있다. 이 분야는 현재까지도 해외 기술 의존도가 높은 상황이다. 이 자리에서 한민석 대표는 국방반도체 생태계 강화를 위해, 국산 개발 제품의 신속한 적용과 검증을 지원하는 제도 확대와 더불어 초고주파수 대역 GaN 반도체 기술 내재화를 위한 핵심 장비 지원 정책 필요성을 강조했다. 또한 향후 방사청 및 유관 기관과의 기술 연계 협력
작년 연 매출 1118억 원 기록...삼성전자 공식 DSP 중 시스템 반도체 부문 매출 1위 세미파이브가 7월 17일 한국거래소에 코스닥 상장을 위한 예비심사 신청서를 제출하며 기업공개(IPO) 절차에 돌입했다. 상장 주관사는 삼성증권과 UBS증권이다. 2019년 설립된 세미파이브는 국내외 주요 투자자로부터 총 2400억 원 규모의 누적 투자를 유치하며 빠른 성장을 이어왔다. 테마섹 산하 파빌리온캐피탈, 미래에셋벤처투자, 한국투자파트너스, 산업은행, 두산테스나 등이 주요 투자자로 참여했다. 지난해 세미파이브는 연 매출 1118억 원을 기록하며, 삼성전자의 공식 디자인 솔루션 파트너 중 시스템 반도체 부문 매출 1위를 달성했다. 설립 5년 만에 이룬 성과다. 세미파이브의 성장 동력은 자체 개발한 재사용·자동화 기반 시스템온칩(SoC) 설계 플랫폼에 있다. 이 플랫폼을 통해 반도체 설계, IP 개발, 양산 등 시스템 반도체 전 영역에 걸친 통합 서비스를 제공하며, 안정적인 수익 기반을 확보했다. 특히 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 분야에서 국내 유수 팹리스 기업과의 협력이 두드러진다. 퓨리오사AI, 리벨리온과 함께 AI 칩을 공동 설계·양산해 왔으며, 하이퍼엑셀
인공지능(AI)의 발전과 다양한 산업 및 생활 영역에서의 전기화 확산으로 점점 더 높은 전력 효율성과 신뢰성에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 수요에 대응하기 위해 마이크로칩테크놀로지는 델타 일렉트로닉스와 파트너십 협약을 체결했다고 18일 밝혔다. 이번 협약은 양사간의 시너지 효과로 더욱 지속적인 발전이 가능한 미래를 앞당기기 위해 체결한 것으로, 델타의 디자인에 마이크로칩의 mSiC 제품과 기술을 결합해 더욱 혁신적인 SiC 솔루션과 에너지 절약 제품 및 시스템의 개발을 가속화할 것으로 기대된다. 마이크로칩의 실리콘 카바이드 사업부 클레이턴 필리온 부사장은 “SiC는 광대역갭(Wide-Bandgap) 특성을 바탕으로 지속 가능한 전력 솔루션을 위한 핵심 기술로 활용된다”며 “이러한 특성 덕분에 고전압·고전력 애플리케이션에 적합한 더 작고 효율적인 설계를 가능하게 하며 시스템 전체 비용의 절감에도 기여한다”고 설명했다. 그는 “마이크로칩은 델타와 협력해 SiC 솔루션의 혁신을 가속화하며 ‘모든 것의 전기화(Electrification of Everything)’라는 산업 전반의 흐름에 발맞춘 의미 있는 발전을 함께 만들어 가기를 기대한다”고 덧붙였다. 델
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 저궤도(LEO: Low Earth Orbit) 운용 환경에 적합한 POL(Point-of-Load) 스텝다운 컨버터인 LEOPOL1을 출시했다. 이 제품은 북미, 아시아, 유럽 전역으로 확장 중인 뉴 스페이스 시장을 겨냥한 장비 개발자들의 요구사항에 맞춰 설계됐다. 민간 기업이 주도하는 뉴 스페이스 산업은 비용 효율적으로 제작된 위성을 저궤도에 발사해 통신 및 지구 관측과 같은 새로운 서비스를 실현하고 있다. LEOPOL1은 저궤도 애플리케이션을 위한 ST의 전력, 아날로그, 로직 IC로 구성된 LEO 시리즈의 최신 제품이다. 통계적 공정 관리 및 자동차 분야에서 축적한 제조 방식을 적용해 저궤도 위성에 최적화된 품질 보증과 방사선 내성, 낮은 소유 비용을 지원한다. LEOPOL1은 우주 분야에서 입증된 ST의 BCD6-SOI(Silicon-On-Insulator) 기술을 활용해 저궤도 고도에서 발생하는 위험 요소에 효과적으로 대응하도록 방사선 경화 설계를 기반으로 개발됐다. 주요 방사선 경화 파라미터로는 50krad(Si)의 총 이온화 선량(TID: Total Ionizing Dose)과 3.1011proton/cm2의
로옴(ROHM)은 동작 시의 회로전류를 업계 최소로 억제한 초소형 CMOS OP Amp ‘TLR1901GXZ’를 개발했다고 17일 밝혔다. 전지 및 충전식 배터리로 구동하는 휴대용 계측기 및 웨어러블 단말기, 실내용 검출기 등 소형 어플리케이션에서 계측 검출 앰프용으로 적합하다. 본 제품은 ball pitch를 0.35mm까지 좁힌 WLCSP를 채용함으로써 1mm×1mm 이하의 초소형화를 실현함과 동시에 동작 시의 회로전류를 업계 최소인 160nA (Typ.)로 억제해 초저소비전류화를 실현했다. 이에 따라 한정된 면적에서의 고밀도 실장이 가능할 뿐만 아니라 배터리의 장수명화 및 장시간 구동에도 기여한다. 또한 입력 오프셋 전압은 저소비전류 OP Amp로는 0.55mV로 매우 낮아, 일반품 대비 약 45％ 저감을 실현했다. 입력 오프셋 전압 온도 드리프트※3도 최대 7µV/℃를 보증해 외부 온도의 영향을 받기 쉬운 기기에서도 고정밀도 동작이 가능하다. 로옴의 범용 저항기인 초소형 MCR004(0402 사이즈) 및 MCR006(0603 사이즈)을 OP Amp의 게인 조정 등 주변부품으로 함께 사용함으로써 한차원 높은 설계 자유도 향상에도 기여할 수 있다. 040
마우저 일렉트로닉스는 넥스페리아의 최신 정전기 방전(electro-static discharge, ESD) 보호 IC인 PESD1ETH10L-Q 및 PESD1ETH10LS-Q를 공급한다고 17일 밝혔다. PESD1ETH10L-Q 및 PESD1ETH10LS-Q ESD 보호 다이오드는 오픈 얼라이언스(OPEN Alliance) 요건을 준수해 10BASE-T1S 차량용 이더넷 애플리케이션에 적합하다. 마우저에서 구매할 수 있는 넥스페리아의 PESD1ETH10L-Q 및 PESD1ETH10LS-Q ESD 보호 디바이스는 오픈 얼라이언스의 IEEE 10BASE-T1S, 100BASE-T1, 1000BASE-T1 표준을 준수한다. 또한 IEC 61000-4-2에 따라 최대 18kV의 ESD 보호 성능을 제공하고, 15kV에서 1000회의 접촉 방전을 견딜 수 있어 자동차 애플리케이션에 적합한 높은 신뢰성을 제공한다. 또한 PESD1ETH10L-Q 및 PESD1ETH10LS-Q는 일반 승용차에 사용되는 12V를 비롯해 트럭 및 대형 상용차의 24V, 그리고 하이브리드 및 전기차의 48V에 이르기까지 자동차 보드에 사용되는 표준 전압 범위를 모두 지원한다. 이밖에도 100V
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 10월 14일 23시 50분
