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마이크로칩, 광범위한 IGBT 7 파워 디바이스 포트폴리오 공개

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마이크로칩테크놀로지는 시스템 개발자에게 광범위한 파워 솔루션을 제공하기 위해 다양한 패키지 형태와 토폴로지, 그리고 다양한 전류 및 전압 범위로 제공되는 새로운 제품군 IGBT 7 포트폴리오를 공개했다.

 

IGBT 7 제품군은 향상된 전력 용량, 낮은 전력 손실, 그리고 소형 디바이스 크기를 특징으로 지속 가능성과 E-모빌리티, 데이터 센터와 같은 고성장 마켓의 요구 사항을 충족할 수 있는 제품들로 구성됐다. 고성능 IGBT 7 디바이스는 태양광 인버터, 수소 에코시스템, 상업용 및 농업용 차량, 항공기 전동화 시스템(MEA) 등 파워 애플리케이션을 위한 핵심 구성 요소이며 개발자는 요구에 맞는 적합한 파워 솔루션을 선택할 수 있다.

 

마이크로칩의 IGBT 7 제품은 표준 D3와 D4 62 mm 패키지뿐 아니라 SP6C, SP1F, SP6LI 패키지로도 제공되며 3레벨 중성점 클램프(NPC), 3상 브리지, 부스트 초퍼, 벅 초퍼, 듀얼 커먼 소스, 풀 브리지, 위상 레그, 단일 스위치 및 T형 등 다양한 토폴로지로 구성할 수 있다. 또한 본 제품은 1200V에서 1700V까지의 전압 범위와 50A에서 900A까지의 전류 범위로 지원된다.

 

마이크로칩의 디스크리트 제품 부문의 레옹 그로스 부사장은 “다용도의 IGBT 7 포트폴리오는 사용 편의성 및 비용 효율성과 높은 전력 밀도 및 신뢰성을 결합해 고객들에게 최대한의 유연성을 제공한다”며 “이 제품들은 일반 산업 애플리케이션은 물론 항공우주에 특화된 애플리케이션 및 방위 산업 애플리케이션에서도 활용될 수 있도록 개발됐다”고 설명했다.

 

또한 “이 파워 솔루션은 마이크로칩의 광범위한 FPGA와 마이크로컨트롤러(MCU), 마이크로프로세서(MPU), dsPIC 디지털 신호 컨트롤러 및 아날로그 장치와 통합이 가능해 하나의 공급업체가 종합적인 시스템 솔루션을 제공할 수 있도록 했다”고 전했다.

 

IGBT 7 제품군은 더 낮은 온 상태 IGBT 전압(Vce), 개선된 역병렬 다이오드(더 낮은 Vf), 그리고 더 높은 전류 용량을 통해 전력 손실을 최소화하고 전력 밀도와 시스템 효율성을 향상시킬 수 있다. 또 낮은 인덕턴스 패키지와 높은 과부하 용량(Tvj -175°C)이 결합된 이 디바이스는 추진 시스템, 동작 기계 및 전력 분배와 같은 견고하고 신뢰성이 높은 항공 및 방위 산업 애플리케이션을 낮은 시스템 비용으로 제작하는데 적합하다.

 

이밖에도 IGBT 7 디바이스는 dv/dt의 향상된 제어성이 중요한 모터 제어 애플리케이션을 위해 효율적이고 부드러우며 최적화된 방식으로 스위치가 구동되도록 프리휠링(freewheeling)을 제공한다. 또한 이 고성능 디바이스는 시스템의 신뢰성을 높이고 전자파(EMI) 간섭을 줄이며 전압 스파이크를 최소화하는 것을 목표로 하고 있다.

 

헬로티 이창현 기자 |









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