아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
업계 최초로 기존 양산 인프라 내에서 300mm 기반 GaN 생산 기술 개발 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 300mm 웨이퍼 기반 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 생산이 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 회사는 2025년 4분기 고객사에 첫 샘플을 제공할 예정이며, 이를 통해 GaN 시장 내 입지를 한층 강화하고 글로벌 고객 기반 확대에 나선다. GaN 반도체는 실리콘(Si) 대비 높은 전력 밀도, 빠른 스위칭 속도, 낮은 전력 손실 특성을 지녀 스마트폰 충전기, 로봇, 태양광 인버터 등 다양한 전력 시스템의 소형화와 에너지 효율 개선에 기여하고 있다. 특히 산업용 및 휴머노이드 로봇, 신재생에너지 시스템 등 고출력·고속 제어가 요구되는 응용 분야에서 각광받고 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 전력 반도체의 3대 핵심 소재를 모두 공급하는 소수 업체 중 하나로, 설계부터 제조까지 직접 수행하는 IDM(종합 반도체 업체) 모델을 통해 제품 품질과 개발 유연성, 공급 안정성 측면에서 경쟁력을 확보하고 있다. 이러한 인하우스 생산 전략은 시장 대응 속도와 고신뢰 품질 보증 측면에서 핵심적인 차별화 요소로 작용하고 있다
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UPDATE: 2025년 10월 11일 17시 43분
