삼성전자는 세계 정상급 학술지인 '어드밴스드 머티리얼스'(Advanced Materials)에 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다. 삼성전자 혁신센터 CSE(Computational Science and Engineering)팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다. 논문에는 CSE팀 최운이 박사가 제1저자 및 교신저자로 참여했으며, 김대신 상무와 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(구 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 참여했다. 이번 연구는 그동안 간과했던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의미가 있다는 것이 삼성전자의 설명이다. 최근까지도 원자 수준에서는 플래시 메모리의 근본적인 저장 메커니즘에 대한 논쟁과 연구가 지속됐다. 셀을 수직으로 쌓아 올려 저장 용량을 극대화하는 V낸드 기술도 세대를 거듭하면서 고도의 미세화가 필요한 상황에서 원자 수준에서 일어나는 현상에 대한 근본적인 이해 없이는 메모리 기술 혁신을 이뤄내기 힘든 단계에 직면했다. 특히 비정질 실리콘 질화물에 전자를
헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 날로 기술경쟁이 치열해지는 낸드플래시 부문에서 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했으며, 향후 1천단 낸드 시대도 주도해나갈 것이라며 자신감을 피력했다. 삼성전자의 플래시 개발실장 송재혁 부사장은 6월 8일 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 "낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 것"이라며 "삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 '3차원 스켈링(3D Scaling)' 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것"이라며 이같이 밝혔다. 송 부사장은 자사가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 설명했다. 삼성전자가 올해 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 다른 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기로, 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품의 크기가 더 작다는 의미다. 송 부사장은 "현재 삼성전자가 200단이 넘는 8세대 차세대 낸드 동작 칩도 확보했다"고 소개하고 "시장 상황과 고객의 요구에 따라 적기에 제품을 선보이기 위해 만반의 준비를
[헬로티] 키옥시아와 웨스턴디지털은 양사가 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. ▲게티이미지뱅크 20년간 파트너십을 이어온 키옥시아와 웨스턴디지털은 폭넓은 기술 및 제조 혁신을 바탕으로 최신 3D 플래시 메모리 기술을 개발, 양사의 역대 최고 밀도를 달성하게 됐다. 이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다. 이런 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소된 다이(die) 크기와 이를 통한 비용 최적화를 지원한다. 키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시 메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상돼, 한층 빠른 전송 속도에 대
[첨단 헬로티] 메모리의 접근 속도, 다시 말해 메모리의 정보를 읽고 쓴는 속도는 메모리 구조상 ROM 또는 Flash 영역보다 RAM의 속도가 빠르다. 하지만 RAM은 휘발성 메모리이기 때문에 전원공급이 없으면 메모리의 데이터는 삭제된다. 따라서, 일반적으로 코드 저장 용도로 사용하지 않는다. 하지만 소스코드의 속도를 최대한 올려야하는 경우 코드를 RAM으로 복사해 RAM 메모리에서 수행하도록 하는 방법이 있다. 우선 코드를 RAM에 배치하는 크게 두 가지 경우가 있다. 디버깅 중 RAM에 모든 코드/데이터를 배치해 실행하는 방법과 ROM 또는 Flash 영역에 코드/데이터를 저장해 두고 MCU 초기화 과정에서 RAM으로 함수를 복사한 후 실행하는 방법이 있다. 디버깅에서 코드/데이터를 모두 RAM에 위치시키는 방법 이 방업은 별도의 특별한 코드의 수정이나 옵션의 설정 사항은 없다. 링커 설정 파일(.icf)내 readonly 속성의 코드와 데이터가 배치되는 영역을 모두 RAM의 주소 영역으로 변경하면 링커가 모든 위치를 RAM의 주소로 배치하게 된다. 다음의 링커 설정 파일의 예를 참조한다. 다음은 빌드 후 링커 map 파일의 내용이다. 모든 코드와 데이
[첨단 헬로티] 씨게이트 테크놀로지(Seagate Technology)가 새로운 플래시 스토리지 제품인 바라쿠다 SSD (BarraCuda SSD)를 출시하고 바라쿠다 포트폴리오를 확장한다. 바라쿠다 SSD는SATA 6GB/s 인터페이스와 빠른 데이터 처리 속도는 물론 높은 신뢰성와 품질을 구현했다. 이번 신제품 출시로 씨게이트는 PC 시스템용HDD, 하이브리드 및 SSD 제품 라인업을 완성했다. 바라쿠다 SSD는 최대 560MB/s의 속도와 90K의 초당 입출력 속도(IOPs)를 지원한다. 이를 기반으로 부스트 시간, 파일 전송 및 애플리케이션 로딩에 걸리는 시간을 단축할 수 있다. 바라쿠다 SSD는 대부분의 컴퓨팅 작업이 요구하는 성능을 높은 가성비로 달성할 수 있는 최적의 솔루션이다. 5년 품질보증 기간과 함께 제공되는 바라쿠다 SSD의 평균 무고장 시간(MTBF)은 180만 시간에 달하며 총 쓰기 가능 용량은 최대 1,092 TBW다. 아울러, 씨게이트가 제공하는 24시간 글로벌 기술 지원의 혜택도 받을 수 있다. 바라쿠다 SSD는 250GB, 500GB, 1TB, 2TB 등 다양한 용량으로 제공된다. 또한 SATA 6Gb/s의 표준 2.5인치 폼 팩
[첨단 헬로티] 도시바 반도체 사업를 인수하기 위한 레이스에서 브로드컴과 폭스콘이 상대적으로 높은 가격을 제안했다는 보도가 나왔다. 매각 입찰 1라운드에 참여한 10개 가량 회사 중 브로드컴이 가장 높은 금액은 2조5000억엔(230억달러)을 제시했고 대만 폭스콘이 2조엔 가량을 제시하며 뒤를 이었다. 로이터통신이 내부 사정에 정통한 익명의 소식통들을 인용해 12일(현지시간) 이같이 보도했다. 보도에 따르면 브로드컴과 폭스콘은 입찰 2라운드에 참여할 수 있는 4개 후보들에 포함됐다. 브로드컴은 도시바 반도체 사업 인수전에 뛰어들기 위해 미국 사모펀드인 실버레이트 파트너스와 손을 잡았다. 브로드컴과 웨스턴디지털도 인수 후보군에 포함된 것으로 전해졌다. 그러나 웨스턴 디지털이 제시한 가격은 브로드컴과 폭스콘에 한참 못미친다고 소식통들은 전했다. SK하이닉스의 제안가는 확인되지 않았다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 폭스콘이 도시바측에 반도체 사업 인수를 위해 270억달러 가량을 쏟아부을 준비가 됐다는 뜻을 전달했다고 보도한 바 있다. 도시바는 플래시 메모리 기술을 먼저 개발했지만 시장 점유율에선 삼성전자 등에 뒤져 있다. 시장조사업체 IHS에 따르면 지난해 3분
[첨단 헬로티] 폭스콘이 매물로 나온 도시바 반도체 사업 인수를 위해 270억달러라는 거액을 베팅한 것으로 전해졌다. 인수 후보군 중 가장 높은 금액이다. 월스트리트저널(WSJ)이 10일(현지시간) 내부 사정에 정통한 소식통들을 인용해 이같은 내용을 보도했고 다른 매체들도 이를 인용해 관련 내용을 전했다. 폭스콘 외에 SK하이닉스, 사모펀드 투자 회사인 실버레이크도 도시바 반도체 사업 인수에 관심을 보이는 것으로 전해졌다. 폭스콘 다음으로 높은 가격을 베팅한 회사는 180억달러를 제시한 것으로 알려졌다. 도시바는 플래시 메모리 기술을 먼저 개발했지만 시장 점유율에선 삼성전자 등에 뒤져 있다. 시장조사업체 IHS에 따르면 지난해 3분기 낸드 플래시 메모리 시장 점유율은 삼성전자가 36.6%로 1위를 차지했다. 도시바(19.8%), 웨스턴 디지털(17.1%), SK하이닉스(10.4%), 마이크론(9.8%)이 뒤를 이었다. /황치규 기자(delight@hellot.net)
[헬로티] 대만 제조 업체 폭스콘이 도시바 반도체 사업 지분 인수에 관심이 있음을 공식 확인했다. 외신들에 따르면 테리 구오(중국명 궈타이밍) 폭스콘 최고경영자는 수십억달러를 투입해 중국 광조우에 짓는 디스플레이 공장 착공식 기념 연설에서 도시바 반도체 사업 인수에 적극적인 모습을 보였다. 인도 매체인 이코노믹 타임스에 따르면 테리 구오 CEO는 도시바 반도체 사업 인수를 확신할 수는 없지만 나름 자신감을 담은 발언을 했다. 폭스콘은 메모리 사업 기반이 없기 때문에 도시바 사업 인수에 따른 반독점 이슈로부터도 자유롭다는 것이 그의 설명이다. 그는 도시바 반도체 사업 인수에 성공한다면 핵심 기술은 일본에 남겨놓으면서 중국에 새 공장을 세우겠다는 계획도 공개했다. 도시바는 미국 원자력 발전 사업 부문 손실이 60억달러 규모에 이르면서, 위기 탈출 방안으로 반도체 사업 분사를 추진 중이다. 당초 분사와 함께 지분 19.9%를 매각을 계획이지만 지금은 주요 지분 매각 가능성까지 열어놓고 있다. 도시바는 인수에 관심을 보이는 회사들이 자사 반도체 사업 가치를 130억달러 수준으로 평가해 주기를 바라는 것으로 전해진다. 현재 폭스콘 외에 웨스턴 디지털, 일본은행, 사모
BiCS FLASHTM는 세계 최초로 256-기가비트 48층 BiCS 기기로 현재 업계를 선도하는 3비트/셀 (triple-level cell, TLC) 기술을 사용한 3D 적층 셀 구조 플래시 메로리다. 이 제품은 최첨단의 48층 적층 공정에 기반해 기존의 주류를 형성하고 있는 2차원 NAND 플래시 메모리의 용량을 초월하는 한편, 쓰기/지우기 기능의 내구성이 향상되고 쓰기 속도가 개선됐다. 김연주 기자 (npnted@hellot.net)
도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation, 이하 도시바)이 실리콘 관통전극(TSV)기술을 채용한 16다이(최대) 적층 NAND플래시 메모리를 이달 6일 개발했다. 이 플래시 메모리의 시제품은 미국 산타클라라에서 오는 8월11~13일 열리는 2015 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit 2015)에서 공개될 예정이다. 이전의 적측NAND플래시 메모리는 와이어 본딩 방식으로 서로 연결하여 하나의 패키지를 구성하는 기술을 사용했다. 이와 달리 TSV기술은 수직 전극과 비아(via)를 사용, 실리콘 다이를 관통하여 플래시 메모리를 서로 연결시킨다. 이는 고속으로 데이터를 입출력하고 소비전력을 줄여준다. 도시바의 TSV기술은 다른 NAND플래시 메모리 보다 저전압을 사용하면서 데이터 입출력(I/O) 속도가 더 빠른 1Gbps이상 된다: 즉, 코어 회로 전압이1.8V, I/O회로 전압은 1.2V이며 쓰기 및 읽기 작동과 데이터 I/O전송에 소비하는 전력이 약50% 정도 감소된다. 이 NAND플래시 메모리 신제품은 기업 용 고성능 SSD를 포함한 저지연(low latency), 고대역폭의 고 IOPS/와트 플래시 저장 애플리케이션에 적합한
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