인공지능(AI)의 발전과 다양한 산업 및 생활 영역에서의 전기화 확산으로 점점 더 높은 전력 효율성과 신뢰성에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 수요에 대응하기 위해 마이크로칩테크놀로지는 델타 일렉트로닉스와 파트너십 협약을 체결했다고 18일 밝혔다. 이번 협약은 양사간의 시너지 효과로 더욱 지속적인 발전이 가능한 미래를 앞당기기 위해 체결한 것으로, 델타의 디자인에 마이크로칩의 mSiC 제품과 기술을 결합해 더욱 혁신적인 SiC 솔루션과 에너지 절약 제품 및 시스템의 개발을 가속화할 것으로 기대된다. 마이크로칩의 실리콘 카바이드 사업부 클레이턴 필리온 부사장은 “SiC는 광대역갭(Wide-Bandgap) 특성을 바탕으로 지속 가능한 전력 솔루션을 위한 핵심 기술로 활용된다”며 “이러한 특성 덕분에 고전압·고전력 애플리케이션에 적합한 더 작고 효율적인 설계를 가능하게 하며 시스템 전체 비용의 절감에도 기여한다”고 설명했다. 그는 “마이크로칩은 델타와 협력해 SiC 솔루션의 혁신을 가속화하며 ‘모든 것의 전기화(Electrification of Everything)’라는 산업 전반의 흐름에 발맞춘 의미 있는 발전을 함께 만들어 가기를 기대한다”고 덧붙였다. 델
ams OSRAM은 자사의 고전력 레이저 포트폴리오를 확장하고 있는 가운데, 이전 제품보다 최대 5배 더 밝은 새로운 청록색(cyan) 레이저 다이오드를 출시한다고 15일 밝혔다. 생명 과학 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 이 제품은 488 나노미터 파장에서 빛을 방출해 이전 모델보다 훨씬 더 향상된 성능과 효율을 제공한다. 이 같은 특성은 DNA 시퀀싱과 유세포 분석(flow cytometry) 같은 생명 과학 연구 및 진단 분야의 신뢰성 높은 분석에 필수적이다. 새로운 레이저 다이오드는 더 빠르고 정확한 분석을 제공해 대규모 실험실에서 진단 가능성을 높여준다. 이 새로운 반도체 레이저의 출시로 개발자들은 헬스케어 시설, 병원 및 요양원에 맞춤화한 보다 작고 비용 효율적인 진단 시스템을 개발할 수 있게 됐다. ams OSRAM의 새로운 PLT5 488HB_EP 청록색 레이저 다이오드는 300 밀리와트의 우수한 출력 전력을 달성해 이전 모델에 비해 광학 성능이 5배 증가하고 효율이 40% 이상 향상됐다. 향상된 광학 출력 덕분에 더 높은 측정 정밀도와 보다 신속한 생물학적 샘플의 처리가 가능해졌다. 488 나노미터 레이저 다이오드는 현대의 진단 및 연구에
절연 게이트 드라이버 IC 중심으로 아날로그 IC 생산 능력 강화 로옴 주식회사(ROHM)가 아날로그 IC의 생산 능력 강화를 위해, 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.(이하 RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성돼 준공식을 열었다. RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버의 생산을 예정하고 있다. 절연 게이트 드라이버는 IGBT나 SiC와 같은 파워 반도체를 최적으로 구동시키기 위한 IC로, 전기자동차 및 산업기기의 저전력화와 소형화를 실현함에 있어서 중요한 역할을 담당하기 때문에 수요의 확대가 기대되는 제품이다. 이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM (사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다. 신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감 (기존 대비 CO2 약 15% 삭감 전망)을 위해 노력함과 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다. 이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합하다. 가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다. 이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수를 갖추고 있다. 게이트 임계전압은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다. MDmesh M9 및 DM9
[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 650V CoolSiC Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. ▲출처 : 인피니언 CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC (역률 보상)에 적합하다. 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치 (UPS), 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다. CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합해, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다. 또한 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM (bill of materials) 비용을 낮출 수 있다고 인피니언은 전했다. 또한 쇼트키 배리어
[헬로티] 서울바이오시스는 5G 통신 시대에 필수인 유선 네트워크 및 데이터 송수신이 가능한 근거리 전용 25기가(Gbps) 레이저 다이오드 빅셀(VCSEL) 기술을 국내 첫 개발, 양산에 성공해 고객사 3곳에 판매를 시작했다고 28일 밝혔다. ▲서울바이오시스의 ‘VCSEL’이 적용된 5G 네트워크 개략도 빅셀은 전기 신호를 광 신호로 바꾸어 주는 레이저 다이오드(LD)다. 최근 5G 환경에서 초고속 데이터 통신을 실현하는 빛을 이용한 통신 기술로 주목받고 있다. AR/VR 용은 물론 스마트폰 기기의 3D 센싱 및 후면 카메라의 ToF(Time of Flight, 비행시간 거리 측정), 차량용 라이다(LiDAR)에 필요한 기술이다. 서울바이오시스는 이미 센서용 승인을 받아 1분기 내 양산 예정이며, 라이다에도 빅셀 기술을 적용해 차량용 시스템 전문 업체의 고객 승인 절차를 진행 중이라 밝혔다. 글로벌 시장조사 기관 욜디벨롭먼트에 따르면, 전 세계 빅셀 시장은 현재 11억 달러에서 2025년 27억 달러(약 2조 9,000억 원)로 연평균 18.4% 성장할 전망이다.서울바이오시스의 25Gbps 빅셀은 반도체 기판에서 수직으로 빛을 방출하여
[헬로티] 서울대 공대 이태우 교수와 미국 펜실베니아 대학 앤드류 M. 라페 교수 공동 연구팀이 차세대 발광 소재인 금속 할라이드 페로브스카이트를 이용해 세계 최고 효율의 발광 소자를 개발했다고 밝혔다. ▲a. 공동 연구팀이 개발한 페로브스카이트 나노 입자 구조 b. 페로브스카이트 발광 다이오드의 발광효율 (외부 양자효율 = 23.4%), (TBTB: 1,3,5-트리스(브로모메틸)-2,4,6-트리에틸벤젠 결함제거층, HSL:반구 렌즈) 페로브스카이트 발광체는 유기원소, 금속, 할로겐 원소로 구성됐다. 이 발광체는 뛰어난 색순도와 저렴한 소재 비용, 색조절이 용이하다는 장점이 있다. 이태우 교수가 2014년도에 상온에서 최초 가시광 영역 다색 발광 다이오드를 개발한 이후, 페로브스카이트 발광체는 현재 디스플레이에 사용되고 있는 양자점(Quantum dot), 유기 발광체를 대체하는 차세대 디스플레이 소재로 주목받고 있다. 이태우 교수는 2015년 페로브스카이트 발광 소자의 효율이 8.53%임을 ‘사이언스(Science)’지에 보고한 바 있다. 이후 5년 만에 이 발광 소자의 효율을 23.4%로 높였다. 차세대 페로브스카이트 디스플레이가 상
[헬로티] -12인치 팹을 통해 차량용 애플리케이션을 위한 안전한 양산 지원 온세미컨덕터는 덴마크 댄포스 그룹(Danfoss Group)의 자회사인 댄포스 실리콘 파워(Danfoss Silicon Power)에 IGBT와 인버터 트랙션 모듈용 다이오드를 공급한다고 밝혔다. 자료: 댄포스 실리콘 파워 첨단 기술과 폭넓은 연구개발 전문지식을 바탕으로 50년 이상 전력반도체의 선도적 공급자로 자리매김해 온 온세미컨덕터는 고전압 인터페이스, 스마트 전력관리, 차내 네트워킹, 시스템 레벨 통합, 센서 인터페이스 등의 분야에서 광범위한 자동차 부품을 개발해왔다. 또한 설계자가 값비싼 측정 주기가 아닌 시뮬레이션에서 애플리케이션 성능을 실현할 수 있도록 하는 강력한 모델링 툴을 제공하고 있다. 이 외에도, 이스트 피시킬(East Fishkill)에 위치한 12인치 팹(Fab)을 통해, 향후 몇 년간 차량 전장화 시장에서 요구되는 많은 규모의 경쟁력 있는 기기를 공급할 수 있는 완벽한 입지를 구축했다. 댄포스 실리콘 파워는 덴마크의 가장 큰 산업 회사 중의 하나인 댄포스 그룹의 자회사로, 수십 년 동안 자동차, 산업 및 재생 애플리케이션을 위한 맞춤형 전력 모듈을 설계,
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 자사의 CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V 제품군에 D2PAK 리얼 2핀 패키지를 적용한 6개의 신제품을 추가한다고 밝혔다. SMD 패키지를 적용하면 디자인을 컴팩트하게 하고 비용을 줄일 수 있다. 또한 새로운 D2PAK 리얼 2핀 패키지는 중간 핀을 제거하여 4.7mm 연면거리 (creepage)와 4.4mm 공간거리 (clearance distance)를 제공하여, 표준 D2PAK 패키지 대비 안전 마진을 향상시킨다. 적합한 애플리케이션은 산업용 파워서플라이, DC 충전기, UPS (무정전 전원장치), 태양광 스트링 인버터 등이다. 이들 신제품은 인피니언 CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V 기술 G5 (5세대) 제품으로, 동급 최상의 순방향 전압과 높은 서지 전류 용량을 특징으로 한다. 또한 역회복 손실을 방지하고 스위칭 동작이 온도에 대해서 종속적이지 않다. 이러한 특징으로 높은 스위칭 주파수에서 사용할 때 냉각 요구를 낮추고 더 작은 자기 소자를 사용할 수 있다. CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V G5는 2A~20A 정류 정격으로 D2PAK 리얼 2핀 패키지로 다양한 구성의 제품을 제공한다. 설
[첨단 헬로티] 전력 애플리케이션용 하이브리드 IGBT와 다양한 IGBT 드라이버 공개 예정 에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터는 독일 뉘른베르크에서 5월 7일 개최되는 PCIM 유럽 2019에서 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 하이브리드 IGBT 및 관련 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 출시 및 전시할 예정이다. AFGHL50T65SQDC는 최신 필드 스톱 IGBT 및 SiC 쇼트키 다이오드 기술을 사용해 토템 폴(totem pole) 기반의 브릿지리스 PFC(Bridgeless Power Factor Correction) 및 인버터와 같은 리버스 리커버리(Reverse recovery) 손실 감소로부터 이점을 얻으며, 다중 전원 애플리케이션에서 낮은 도통 및 스위칭 손실을 제공한다. ▲온세미컨덕터의 AFGHL50T65SQDC 해당 디바이스는 실리콘 기반의 IGBT와 SiC 기반의 쇼트키 배리어 다이오드가 함께 패키징 돼 실리콘 기반 솔루션의 낮은 성능과 전체가 SiC 기반 솔루션의 높은 비용 사이의 균형을 맞춘다. 이 고성능 디바이스는 650V 작동에 적합하며, 최대 200A의 펄스 전류뿐 아니라 최대 100A@25℃(50A@100℃)
[첨단 헬로티] 1. pn 접합이란 캐리어의 이동 반도체 속에서 캐리어는 드리프트(Drift) 현상, 확산 현상 등에 의해 이동된다. 드리프트라는 것은 반도체에 일정 방향의 전계를 걸었을 때, 캐리어인 정공이나 전자가 전계로부터 힘을 받아 이동하는 현상을 말한다. 또 확산이라는 것은 물에 잉크를 떨어뜨렸을 때, 주위에 퍼져나가는 것처럼 반도체 속에 캐리어의 농도가 큰 부분으로부터 작은 부분에 걸쳐 캐리어의 이동이 생기는 현상을 말한다[그림 1]. 이와 같이 캐리어의 이동에 의해 생긴 전류를 각각 드리프트 전류, 확산 전류라 한다. ▲ 그림 1. 캐리어의 이동 캐리어의 주입 한 진성 반도체 속에 p형과 n형의 불순물 반도체를 인접해 결합시킨 구조를 pn 접합이라고 한다. pn 접합이 형성되면, [그림 2]처럼 n형 영역의 전자는 p형 영역으로, p형 영역의 정공은 n형 영역으로 확산 현상에 의해 이동한다. 상대측 영역에 이와 같이 이동한 캐리어를 주립 캐리어라고 부른다. ▲ 그림 2. 캐리어의 주입 공핍층이란 주입된 캐리어는 각각의 영역에서 보면 소수 캐리어라고 할 수 있다. p형과 n형의 양쪽 영역이 서로 접한 면을 접합면이라고 하나, n형 영역의 접한면에
파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)이 일반 탄화규소(SiC) 다이오드에 비해 4배나 높은 고전류에서 작동이 가능한 것은 물론, 낮은 턴온(turn-on) 전압으로 저전압에서도 작동하는 질화 갈륨(GaN) 다이오드를 개발했다. 다이오드 신제품 생산의 열쇠는 최근 개발된 하이브리드 구조다. 이 구조는 고전압 조건에 대비해 저전압 유닛과 고전류 지원 유닛으로 이뤄진 별도의 임베디드 구조로 구성돼 있다. 기존 실리콘(Si) 다이오드는 변환 손실 경감과 관련해 제한이 따른다. 반면 차세대 유망 파워 반도체로 간주되는 물질인 SiC와 GaN에 기반한 다이오드는 고전류 작동을 구현하기 위해 보다 큰 칩 면적을 필요로 하며, 이로써 동작 주파수 증가가 야기돼 변환 손실과 사이즈 경감에 제약이 있다. 새로 제조된 GaN 다이오드는 고전류 작동과 낮은 임계 전압을 동시에 구현했으며 이로써 작은 칩 면적으로도 높은 전류를 처리할 수 있다. 이에 따라 칩의 정전용량을 줄여 낮은 변환 손실을 구현할 수 있으며 이에 힘입어 장치가 보다 높은 주파수에서 작동할 수 있도록 지원한다. 따라서 높은 전력을 요하는 자동차나 산업 장비의 전압 변환 회로 또는 인버터 회
나노 물질 기반의 웨어러블 전자시스템을 피부에 부착할 수 있는 형태로 구현하는 기술이 개발됐다. 웨어러블 기기 산업의 새 지평을 열어 미래 사회 전반에서 핵심 역할을 할 것으로 기대되는 이번 기술은 차세대 디스플레이 소자 개발에 광범위하게 적용될 것으로 예측된다. 미래창조과학부 산하 기초과학연구원(IBS)의 나노입자연구단 연구팀이 자유롭게 휘어지고 늘어나며, 해상도는 가장 높은 양자점 발광 다이오드(QLED, Quantum dot light emitting diode) 소자를 개발했다. 두께가 머리카락의 약 40분의 1(2.6마이크로미터)에 불과한 초박막 필름 소자로, 마음대로 구부리고 늘릴 수 있을 뿐 아니라 저전압에서도 작동하기 때문에 사람의 피부에 부착한 상태에서 사용이 가능하다. 이 기술이 상용화되면 영화에서나 봐왔던 ‘사람 손목 피부 위의 디스플레이’가 현실화되는 것이다. 해상도 역시 세계 최고 수준인 2,460ppi로 유기 발광 다이오드(OLED)나 액정 화면(LCD)을 사용하는 최신 스마트폰의 4~7배, 고해상도 티브이(HD TV)의 42배나 된다. 비결은 양자점 나노 입자를 기판에 고르게 잘 배열하는 음각 전사-인쇄 기술에
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UPDATE: 2025년 11월 20일 11시 23분
