인공지능(AI)의 발전과 다양한 산업 및 생활 영역에서의 전기화 확산으로 점점 더 높은 전력 효율성과 신뢰성에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 수요에 대응하기 위해 마이크로칩테크놀로지는 델타 일렉트로닉스와 파트너십 협약을 체결했다고 18일 밝혔다. 이번 협약은 양사간의 시너지 효과로 더욱 지속적인 발전이 가능한 미래를 앞당기기 위해 체결한 것으로, 델타의 디자인에 마이크로칩의 mSiC 제품과 기술을 결합해 더욱 혁신적인 SiC 솔루션과 에너지 절약 제품 및 시스템의 개발을 가속화할 것으로 기대된다. 마이크로칩의 실리콘 카바이드 사업부 클레이턴 필리온 부사장은 “SiC는 광대역갭(Wide-Bandgap) 특성을 바탕으로 지속 가능한 전력 솔루션을 위한 핵심 기술로 활용된다”며 “이러한 특성 덕분에 고전압·고전력 애플리케이션에 적합한 더 작고 효율적인 설계를 가능하게 하며 시스템 전체 비용의 절감에도 기여한다”고 설명했다. 그는 “마이크로칩은 델타와 협력해 SiC 솔루션의 혁신을 가속화하며 ‘모든 것의 전기화(Electrification of Everything)’라는 산업 전반의 흐름에 발맞춘 의미 있는 발전을 함께 만들어 가기를 기대한다”고 덧붙였다. 델
ams OSRAM은 자사의 고전력 레이저 포트폴리오를 확장하고 있는 가운데, 이전 제품보다 최대 5배 더 밝은 새로운 청록색(cyan) 레이저 다이오드를 출시한다고 15일 밝혔다. 생명 과학 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 이 제품은 488 나노미터 파장에서 빛을 방출해 이전 모델보다 훨씬 더 향상된 성능과 효율을 제공한다. 이 같은 특성은 DNA 시퀀싱과 유세포 분석(flow cytometry) 같은 생명 과학 연구 및 진단 분야의 신뢰성 높은 분석에 필수적이다. 새로운 레이저 다이오드는 더 빠르고 정확한 분석을 제공해 대규모 실험실에서 진단 가능성을 높여준다. 이 새로운 반도체 레이저의 출시로 개발자들은 헬스케어 시설, 병원 및 요양원에 맞춤화한 보다 작고 비용 효율적인 진단 시스템을 개발할 수 있게 됐다. ams OSRAM의 새로운 PLT5 488HB_EP 청록색 레이저 다이오드는 300 밀리와트의 우수한 출력 전력을 달성해 이전 모델에 비해 광학 성능이 5배 증가하고 효율이 40% 이상 향상됐다. 향상된 광학 출력 덕분에 더 높은 측정 정밀도와 보다 신속한 생물학적 샘플의 처리가 가능해졌다. 488 나노미터 레이저 다이오드는 현대의 진단 및 연구에
절연 게이트 드라이버 IC 중심으로 아날로그 IC 생산 능력 강화 로옴 주식회사(ROHM)가 아날로그 IC의 생산 능력 강화를 위해, 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.(이하 RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성돼 준공식을 열었다. RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버의 생산을 예정하고 있다. 절연 게이트 드라이버는 IGBT나 SiC와 같은 파워 반도체를 최적으로 구동시키기 위한 IC로, 전기자동차 및 산업기기의 저전력화와 소형화를 실현함에 있어서 중요한 역할을 담당하기 때문에 수요의 확대가 기대되는 제품이다. 이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM (사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다. 신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감 (기존 대비 CO2 약 15% 삭감 전망)을 위해 노력함과 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다. 이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합하다. 가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다. 이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수를 갖추고 있다. 게이트 임계전압은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다. MDmesh M9 및 DM9
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