[헬로티=이나리 기자] 전기차를 지금보다 더 빨리 충전할 수 없을까? 5G 이동통신의 대중화를 더 앞당기기 위해서 필요한 기술은 무엇일까? 전력 기술 개발을 보다 효율적으로 지원하기 위해서 질화갈륨(GaN) 반도체가 몇 년 전부터 차세대 반도체 핵심 소자로 떠오르고 있다. 이 뿐 아니라 GaN 반도체는 5G 통신 기지국에 탑재되는 RF:Radio Frequency) 전력증폭기(PA:Power Amplifier)에도 활용도가 높아지고 있는 추세다. GaN 반도체 시장에서 경쟁우위를 선도하기 위한 반도체 기업들의 기술 개발과 시장 현황에 대해 알아보자. 질화갈륨(GaN) 반도체가 ‘핫’한 이유는? 에너지를 보다 효율적으로 관리하고 더 작은 공간에서 더 높은 전력 밀도를 달성하고자 하는 요구는 계속해서 높아지고 있다. TV,휴대폰 등과 같은 소비자 가전을 비롯해 통신 하드웨어, 전기자동차, 데이터센터, 태양광 인버터 등의 산업은 전력 변환율 향상, 전력 밀도 증진, 배터리 수명 연장, 스위칭 속도 향상 요구에 직면해 있다. 지난 60년간 반도체 업계에서 실리콘(Si)은 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하고 DC 전압을 다시 휴대전화부터 산업용 로봇에 이르는 각종
[첨단 헬로티] 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼(Transphorm)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다. 트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN 기술로 부를 것이라고 밝혔다. 첫 번째 JEDEC인증 받은 SuperGaN 디바이스는 PQFN88패키지로 패킹한 240 mΩ 650 V GaN FET(전기장효과 트랜지스터)인 TP65H300G4LSG이다. 두 번째 SuperGaN디바이스는 TO-247패키지로 패킹한 35 mΩ 650 V GaN FET인 TP65H035G4WS이다. 이들 디바이스는 현재 샘플이 공급되고 있으며 각각 2분기와 3분기에 출시될 예정이다. 적용 대상 애플리케이션은 어댑터, 서버, 통신, 광범위한 산업, 재생 제품 등이다. 시스템 설계자들은 트랜스폼의 4kW 브리지리스 토템폴(bridgeless totem pole) 교류-직류(AC-DC) 평가 보드인TDTTP4000W066C키트에서 기술을 평가할 수 있다. SuperGaN 기술의 차이
[첨단 헬로티] 4kW PFC GaN 평가 보드와 dsPIC® DSC 패스트트랙 전력 시스템 개발 결합 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 획득한 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 설계하고 제조하는 트랜스폼(Transphorm)이 마이크로컨트롤러 공급업체 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology, 이하 마이크로칩)와 파트너십을 맺었다고 6일 발표했다. 양사는 이번 파트너십을 통해 4세대 GaN 기술이 접목된 트랜스폼의 4kW AC-DC 변환 토템 폴(totem pole) 기반의 브릿지리스 PFC(power factor correction, 역률보상) 평가 보드에 마이크로칩의 dsPIC33CK 디지털 신호 컨트롤러 보드를 통합할 계획이다. 마이크로칩의 글로벌 기술 지원팀이 트랜스폼의 애플리케이션 지원 역량을 적극 활용해 통합 솔루션을 이용하는 개발자들을 지원할 예정이다. 결과적으로 고객들은 효율성이 99% 이상 높고 펌웨어가 미리 입력된 평가 보드를 이용하는 한편 트랜스폼과 마이크로칩의 글로벌 지원을 받아 AC-DC 변화 전력 시스템 설계를 한층 간소화할 수 있게 됐다. 트랜스폼의 글로벌 기술 마케팅 및 북미 판매 담당 부사장인
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