[첨단 헬로티]
고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼(Transphorm)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다.
트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN 기술로 부를 것이라고 밝혔다.
첫 번째 JEDEC인증 받은 SuperGaN 디바이스는 PQFN88패키지로 패킹한 240 mΩ 650 V GaN FET(전기장효과 트랜지스터)인 TP65H300G4LSG이다. 두 번째 SuperGaN디바이스는 TO-247패키지로 패킹한 35 mΩ 650 V GaN FET인 TP65H035G4WS이다. 이들 디바이스는 현재 샘플이 공급되고 있으며 각각 2분기와 3분기에 출시될 예정이다. 적용 대상 애플리케이션은 어댑터, 서버, 통신, 광범위한 산업, 재생 제품 등이다. 시스템 설계자들은 트랜스폼의 4kW 브리지리스 토템폴(bridgeless totem pole) 교류-직류(AC-DC) 평가 보드인TDTTP4000W066C키트에서 기술을 평가할 수 있다.
SuperGaN 기술의 차이점
트랜스폼의 공학기술 팀은 극히 단순하고 실질적으로 향상된 새로운 제품을 설계하기 위해 이전 제품의 생산 램프(ramp)에서 얻은 지식을 적용하고 성능과 제조 가능성을 끊임없이 시험하고 비용을 절감하는 방향으로 4세대 제품을 설계했다. 새 플랫폼의 특허 기술은 조립제품과 애플리케이션에서 트랜스폼 고유의 GaN 성능을 강화하고 단순성을 제공하며 이는 SuperGaN 브랜드의 기폭제이다.
SuperGaN 4세대 제품의 특징은 다음과 같다.
· 성능 향상: 4세대 제품은 성능 지수(RON*QOSS)가 약 10% 향상돼 더 평평하고 효율성이 높은 곡선을 제공한다.
· 더 쉬운 설계성: 4세대 제품은 작동 대전류에서 교환 노드 스너버가 필요 없기 때문에 설계가 더욱 단순하다.
· 돌입전류 성능 향상(di/dt): 4세대 제품은 반(半) 브리지에서 내장된 환류 다이오드 기능에 대한 스위칭 전류 제한을 없앤다.
· 디바이스 비용의 감소: 4세대 제품은 설계가 혁신되고 특허 받은 기술이 있어서 디바이스의 조립도 단순화한다. 이에 따라 비용이 조정되어 트랜스폼의 GaN의 가격이 실리콘 트랜지스터 가격에 계속 가까워 지고 있다.
· 입증된 견고성/신뢰성: 4세대35 mΩ FET는 트랜스폼의 3세대 디바이스가 현재 제공하는 것과 동일한 +/- 20 Vmax의 게이트 견고성과 4V의 잡음 여유도를 제공한다.
필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼의 전 세계 기술 마케팅 및 북미 판매 담당 부사장은 “트랜스폼의 SuperGaN FET는 실리콘 초접합MOSFET(금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터)가 발전하면서 그러했듯이 차세대 전력 전자에 계속 영향을 미칠 것으로 예상된다”며 “회사의 4세대 GaN플랫폼은 더 우수한 성능을 제공해 다른 전력 단계에서 새로운 설계 기회를 창출하면서 고객의 전반적인 투자 수익률(ROI)을 증가시킨다. 손실을 줄이고 신뢰성을 약화시키지 않으면서 고객의 초기 투자 규모를 실리콘에 대한 투자 규모에 가깝게 낮출 수 있는 능력은 시장에서 GaN의 위치가 강화되고 있다는 것을 나타내는 또 하나의 지표”라고 말했다.
