세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 질화갈륨(GaN) 기술의 정수를 담은 하프 브리지 전력 IC인 ‘MasterGaN6’를 출시하며 전력 관리 시장의 세대교체를 예고했다. 이번 신제품은 높은 집적도와 설계 유연성을 결합해 컨슈머 기기부터 산업용 전원 공급 장치까지 폭넓은 애플리케이션에 최적화된 성능을 제공한다. MasterGaN6의 가장 큰 특징은 단 140mΩ의 낮은 온저항($R_{DS(on)}$)을 제공하는 고성능 GaN 전력 트랜지스터와 고도화된 BCD 드라이버를 단일 패키지에 통합한 ‘시스템 인 패키지(SiP)’ 구조다. 이를 통해 기존 실리콘 기반 솔루션보다 훨씬 빠른 스위칭 속도와 높은 에너지 효율을 구현했으며, 전력 손실을 획기적으로 줄였다. 특히 이번 2세대 제품에는 결함 표시(Fault) 및 스탠바이 기능을 위한 전용 핀이 추가되어 더욱 스마트한 시스템 관리가 가능해졌다. 저부하 효율을 극대화하는 초고속 웨이크업 기능과 고주파수 동작을 지원하는 첨단 드라이버 기술은 제조사가 PCB(인쇄회로기판) 크기를 대폭 줄이고 부품 원가(BOM)를 절감할 수 있도록 돕는다. MasterGaN6은 최대 10A의 전류를 처리할 수 있어
어플라이드 머티어리얼즈가 AI 컴퓨팅 성능 향상을 목표로 한 새로운 반도체 제조 시스템을 발표했다. 이번 신제품은 GAA 트랜지스터 기반 최첨단 로직, HBM 중심의 고성능 D램, 고집적 ‘시스템 인 패키지(SiP)’ 구현 등 AI 반도체 개발의 핵심 영역을 지원하기 위한 기술을 담고 있다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 “칩 구조가 복잡해지는 만큼, AI 확장에 필수적인 성능·전력 효율 개선을 위해 재료 공학 분야 혁신을 이어가고 있다”며 “고객사와 협력해 로직, 메모리, 첨단 패키징 분야의 기술 로드맵 가속화를 돕는 솔루션을 개발했다”고 말했다. AI GPU와 고성능 컴퓨팅(HPC) 칩은 여러 칩렛을 하나의 시스템으로 결합하는 첨단 패키징 방식을 적용하고 있으며, 하이브리드 본딩은 성능 향상과 전력·비용 절감을 동시에 실현할 수 있는 새로운 적층 기술이다. 하지만 공정 난도가 크게 높아짐에 따라 양산 적용에 어려움이 존재해 왔다. 이를 해결하기 위해 어플라이드 머티어리얼즈는 베시와 협력해 업계 최초의 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본더 통합 시스템 ‘Kinex’를 개발했다. 이 시스템은 프론트엔드 웨이퍼·칩 가공 기술과 베시의
[헬로티] 반도체와 소프트웨어 및 솔루션의 선도적 공급회사인 실리콘랩스는 사물인터넷(IoT) 애플리케이션 개발에 필요한 요건들을 해결하도록 설계된 사전 인증 획득 무선 모듈 제품군을 확장했다. 새로운 무선 모듈 제품군은 상용 및 컨수머 IoT 애플리케이션을 구현하는 멀티 프로토콜 솔루션을 위해 전체 스택을 지원하는 모듈들로 구성되며, 유연한 패키지 옵션과 고도로 집적된 디바이스 보안 기능을 제공한다. ▲ 실리콘랩스 모듈 실리콘랩스의 IoT 마케팅 및 애플리케이션 담당 부사장 매트 손더스는 “실리콘랩스는 IoT 디바이스에 무선 연결을 추가할 때 발생하는 여러 과제들을 해결해 왔다”며, “우리의 새로운 모듈 제품들은 RF 엔지니어링 및 시험과 관련한 복잡한 문제들에 대해 간단하면서 효과적인 솔루션을 제공함으로써, IoT 디바이스 제조사들이 사전 인증을 획득하고 보안성을 확보한 무선 기기들을 시장에 신속히 출시할 수 있게 한다”고 말했다. 높은 집적 수준을 나타내는 실리콘랩스의 새로운 모듈 제품들은 시스템인패키지(SiP)와 전통적인 PCB 모듈을 포함한 다양한 패키지 옵션으로 제공된다. SiP 모듈은 소형화된 소자들을 사
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