테크노트 SiC MOSFET 병렬화를 위한 핵심 요소

데이비드 쿠델라섹(David Kudelasek) ST 전력 및 에너지 애플리케이션 연구소 기술지원 담당 개요 여러 고전력 애플리케이션을 분석해 보면, 전력 모듈과 디스크리트 MOSFET을 사용하는 트렌드가 뚜렷하게 나타난다는 점을 확인할 수 있다. 두 기술 사이에는 대략 10kW~50kW 범위에서 상당 부분 겹치는 구간이 존재한다. 모듈은 이 전력 범위에 적합하지만, 디스크리트 MOSFET은 설계 자유도와 훨씬 더 광범위한 포트폴리오라는 또 다른 이점이 있다. 단일 MOSFET으로 필요한 전력을 충족할 수 없을 때는 병렬 연결이 해결책이 될 수 있다. 하지만 전력만이 병렬 연결 MOSFET을 사용하는 유일한 이유는 아니다. 본 글에서 설명하겠지만, 스위칭 에너지는 더 낮아지고 열 전달이 훨씬 더 좋아질 수 있다. 병렬화는 전도성 손실에 대한 열적 효과와 함께 손실 감소, 냉각 성능 향상 및 전력 용량 증대를 위한 유용한 수단이다. 그럼에도 디바이스가 모두 병렬로 사용하기에 적합한 것은 아니며, 특히 다양한 파라미터와 그 편차가 동작에 영향을 줄 수 있다. 본 글에서는 이 문제를 상세히 살펴보고, ST의 SiC MOSFET(3세대)이 병렬 연결에 어떻게 적합한

• ST마이크로일렉트로닉스
• 2025-07-31 09:38