SK하이닉스가 올해 1분기 미국 주요 빅테크를 상대로 한 고대역폭 메모리(HBM) 사업에 힘입어 전체 매출 내 미국 비중이 70%를 돌파했다. 15일 SK하이닉스가 공시한 분기보고서에 따르면 올해 1분기 국내외 지역별 매출 합계(17조6391억 원)에서 미국은 72%(12조7945억 원)를 차지했다. 지난해 1분기 50% 수준이었던 미국 매출(6조3126억) 비중과 비교하면 22%포인트나 급증한 수치다. 이러한 성장세는 지속하는 인공지능(AI) 성장과 함께 HBM, 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD), DDR5 등 빅테크발 인공지능(AI) 메모리 수요 확대가 맞물린 결과로 풀이된다. SK하이닉스는 이미 올해 HBM 물량을 ‘완판’한 상태로, 현재 주력인 HBM3E(5세대) 12단 제품을 엔비디아를 비롯한 주요 고객사들에 공급 중이다. SK하이닉스는 지난달 실적발표 후 콘퍼런스콜에서 “HBM은 계획대로 HBM3E 12단 제품의 판매를 확대하며, 매출이 지속적으로 증가했다”고 밝혔다. 후속 제품인 HBM4(6세대) 12단 제품도 올해 하반기 양산을 목표로 세계 최초로 주요 고객사들에 HBM4 12단 샘플을 공급한 상태이며 내년 물량 역시 조만간 완판이 결정
삼성전자가 실적 둔화에도 연구개발(R&D) 투자를 지속 확대하며 미래 준비에 속도를 내고 있다. 31일 삼성전자에 따르면 지난해 4분기 R&D 비용 집행 규모는 10조3천억원으로 역대 분기 최대를 기록했다. 작년 들어 역대 분기 최대였던 3분기의 8조8천700억원의 연구개발 투자 기록을 갈아치웠다. 연간으로도 최대 규모인 35조원의 연구개발 투자가 이뤄지면서 기술 중심 투자를 이어갔다. 삼성전자는 인공지능(AI) 반도체, 고성능 메모리, 서버 관련 제품 등 미래 지향적인 기술에 계속 투자하고 있다. 이를 위해 기흥사업장에 짓는 차세대 반도체 R&D 단지에 2030년까지 약 20조원을 투입, 미래 기술을 선도하는 핵심 연구기지로 자리 잡게 할 계획이다. 지난해 11월 설비반입식을 진행한 기흥 최첨단 복합 연구개발 단지 ‘NRD-K’(New Research & Development - K)는 올해 중순부터 본격적인 R&D 가동에 나설 것으로 알려졌다. 삼성전자는 최근 7년간 실적에 부침이 있어도 R&D 투자는 매년 늘려왔다. 연간 전사 영업이익이 6조5천700억원에 그친 지난 2023년에도 R&D에는 역대 최대인
지난해 정보통신기술(ICT) 분야 수출이 역대 최대치를 기록한 반도체 수출 호조에 힘입어 역대 최고 기록을 세웠다. 14일 과학기술정보통신부의 2024년 연간 및 12월 ICT 수출입 동향에 따르면 지난해 ICT 수출액은 2350억5000만 달러로 전년 대비 25.9% 증가한 역대 최대치였다. 지난해 12월까지 전년 동월 대비 ICT 수출액이 14개월 연속 증가했고, 8월 이후부터는 5개월 연속 월 수출액이 200억 달러를 넘어섰다. 수출 주력 품목인 반도체는 인공지능(AI) 관련 수요 증가로 역대 최고 실적인 1420억 달러 수출을 달성했다. 전년 대비 42.5% 늘어난 수치다. 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 품목 수출이 전년 대비 큰 폭으로 증가한 메모리 반도체 수출액은 882억9000만 달러로 71.8% 늘어났다. 시스템 반도체 수출액도 첨단 패키징 수출 확대로 역대 두 번째 높은 실적인 478억8000만 달러를 기록했다. 휴대전화 완성품 및 부분품은 144억 달러어치가 수출되며 지난해 10%대 성장세를 나타냈다. 데이터센터 수요 증가에 솔리드스테이트드라이브(SSD)가 106억 달러어치 수출되며 103.7%에 달하는 높은 성장세를 기록했다. 디스플
LG전자 칠러 공장에서 산업통상자원부 수출현장 지원단과 간담회 LG전자가 AI데이터센터 ‘열관리’ 솔루션으로 주목 받고 있는 초대형 냉방기 ‘칠러(Chiller)’의 수출 확대를 위해 산업통상자원부와 민관협력을 강화한다. LG전자는 2일 경기도 평택에 있는 LG전자 칠러 공장에서 산업통상자원부 수출현장 지원단과 간담회를 갖는다고 밝혔다. 간담회에는 안덕근 산업통상자원부 장관과 이재성 LG전자 ES(Eco Solution)사업본부장 등이 참석하며 이어 칠러 생산라인을 시찰한다. 이번 간담회는 전세계적인 AI 열풍으로 데이터센터 시장이 급성장하고 우리 정부가 데이터센터의 냉각산업을 차세대 수출 품목으로 집중 육성하는 기조 속에서 이뤄졌다. LG전자와 산업부는 글로벌 AI데이터센터 열관리 사업을 주도하기 위한 전략적 소통과 협력을 강화해 나갈 계획이다. LG전자는 안 장관에게 시장 선점을 위한 핵심 기술 확보의 중요성을 강조하고 정부의 협력을 요청한다. 정부는 올해 데이터센터 3대 핵심 수출 인프라로 ▲냉각 시스템 ▲고대역폭 메모리(HBM) ▲전력 기자재를 선정하고 업계와 지원 방안 등을 논의해 왔다. LG전자는 해외 데이터센터 냉각시장을 공략하기 위한 업계 내
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 삼성전자의 인공지능(AI) 메모리칩 납품 승인을 위해 최대한 빨리 작업 중이라고 밝히면서 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM) 엔비디아 납품이 초읽기에 들어갔다는 분석이 나온다. 이에 따라 삼성전자가 엔비디아 공급망 진입을 통해 AI 반도체 랠리에 본격적으로 올라타며 상대적으로 부진했던 실적을 개선할 수 있을지 주목된다. 24일 블룸버그통신 보도에 따르면 황 CEO는 23일(현지시간) 홍콩 과학기술대 명예박사 학위 수여식에서 블룸버그TV와 만나 삼성전자로부터 5세대 HBM인 HBM3E 8단과 12단 모두 납품받는 방안을 검토하고 있다고 말했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가·고성능 제품으로 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. 삼성전자는 앞서 지난달 31일 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 “현재 HBM3E 8단·12단 모두 양산 판매 중”이라면서 “주요 고객사 품질 테스트 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝힌 바 있다.
정부가 첨단 패키징 기술 경쟁력을 강화하기 위해 7년간 2700억 원 넘는 예산을 투입한다. 산업통상자원부는 11일 서울 서초구 엘타워에서 반도체 관련 기업·기관 10곳이 이 같은 내용의 ‘반도체 첨단 패키징 산업 생태계 강화를 위한 업무협약(MOU)’을 체결했다고 밝혔다. 이날 MOU에는 삼성전자, SK하이닉스, LG화학, 하나마이크론, 한미반도체, 세미파이브 등 종합반도체·팹리스(반도체 설계 전문회사)·소부장(소재·부품·장비) 기업과 한국PCB&반도체패키징산업협회, 차세대지능형반도체사업단, 한국반도체산업협회, 한국산업기술기획평가원 등 협회·기관이 참여했다. 반도체 패키징은 원형 웨이퍼 형태로 생산된 반도체를 자르고 전기 배선 등을 연결해 기기에 탑재할 수 있는 형태로 조립하는 작업으로, 후공정이라 불린다. 기존에는 웨이퍼·칩을 외부 충격이나 과도한 온도·습도로부터 보호해주는 역할만 했으나, 최근에는 미세 공정의 기술적 한계를 극복하기 위해 여러 반도체를 묶어 성능을 최적화하는 첨단 기술로 부각되며 중요성이 날로 커지고 있다. 범용 D램 여러 장을 수직으로 쌓아 올린 뒤 연결해 하나로 기능하게 해 성능을 극대화한 (HBM)는 날로 커지는 패키징 기술
한미반도체는 올해 2분기 연결 기준 매출 1234억 원, 영업이익 554억 원을 기록했다고 26일 공시했다. 전년 동기 대비 각각 151.6%, 396% 증가한 수치다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 “인공지능(AI) 반도체 수요 폭발로 고대역폭 메모리(HBM) 시장이 가파르게 커지면서 HBM용 ‘듀얼 TC 본더’와 ‘HBM 6 SIDE 인스펙션’의 수주 증가, 기존 주력 장비인 ‘마이크로쏘·비전플레이스먼트’의 판매 호조가 더해진 결과”라고 설명했다. TC 본더는 AI 반도체에 탑재되는 HBM의 핵심 공정 장비로, 한미반도체의 핵심 제품이다. 한미반도체는 올해 3분기부터 HBM용 TC 본더의 본격 납품을 통해 올해 6500억 원의 매출 목표를 달성한다는 계획이다. 지난 23일 확보한 연면적 1만평의 부지에 내년 말 공장 증설이 완공되면 2026년 매출 목표인 2조 원 달성도 가능할 것으로 회사 측은 내다봤다. 한미반도체는 올해 하반기 ‘2.5D 빅다이 TC 본더’를 출시하고 내년 하반기에는 ‘마일드 하이브리드 본더’, 2026년 하반기는 ‘하이브리드 본더’를 선보일 계획이다. 올해 6500억 원, 2025년 1조2000억 원, 2026년 2조 원의 목표
한미반도체는 고대역폭 메모리(HBM)용 TC본더 생산 라인 증설을 위해 인천 서구 가좌동 소재 공장 용지를 취득했다고 23일 공시했다. 주안국가산업단지에 있는 기존 3공장 '본더 팩토리' 옆 부지로 취득한 토지 면적은 9,700.8㎡, 금액은 293억4천만원이다. 회사 측은 신규 부지에서 내년 초 공장 증설 공사를 시작, 같은 해 말 완공할 계획이다. 현재 한미반도체는 SK하이닉스와 마이크론 등에 HBM 제조 장비 TC 본더를 공급하고 있다. 헬로티 김진희 기자 |
8채널 PCIe 5세대 규격 SSD 'PCB01' 개발…"HBM 이어 낸드 설루션 리더십 확보" SK하이닉스가 온디바이스 인공지능(AI) PC에 탑재되는 업계 최고 성능의 SSD 제품인 'PCB01' 개발을 마치고 연내에 양산할 계획이라고 28일 밝혔다. SK하이닉스는 "PCB01에 최초로 '8채널 PCIe 5세대' 규격을 적용해 데이터 처리 속도 등 성능을 획기적으로 높였다"며 "고대역폭 메모리(HBM)를 대표로 하는 초고성능 D램에 이어 낸드 설루션에서도 최고 수준의 제품 개발에 성공하며 AI 메모리 분야 리더십을 확고히 하고 있다"고 밝혔다. SK하이닉스는 글로벌 PC 고객사와 함께 신제품에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 인증이 마무리되는 대로 연내 양산에 들어가 대형 고객사와 일반 소비자용 제품을 함께 출시할 계획이다. PCB01의 연속 읽기와 쓰기 속도는 각각 초당 14GB(기가바이트), 12GB로 PC용 SSD 제품 중 업계 최고의 성능이 구현됐다고 SK하이닉스는 전했다. 이는 AI 학습과 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 내에 구동하는 수준의 속도다. 전력 효율도 이전 세대 대비 30% 이상 개선돼 대규모 AI 연산 작업의 안정성을 크
정부가 3D 패키징을 비롯한 첨단 패키징 기술 연구개발(R&D)에 2700여억 원 규모의 지원을 하기로 했다. 산업통상자원부는 26일 국가연구개발사업평가 총괄위원회에서 '반도체 첨단 패키징 선도기술 개발 사업'이 총사업비 2744억 원 규모로 예비타당성 조사를 통과했다고 밝혔다. 생성형 인공지능(AI) 바람을 타고 그래픽처리장치(GPU), 고대역폭 메모리(HBM) 등 고성능 반도체 수요가 급증하는 가운데 반도체 업계에서는 미세 공정의 기술적 한계를 극복하기 위해 로직칩, 메모리 등 개별 반도체를 묶어 성능을 최적화하는 패키징 기술의 중요성이 커지는 추세다. 범용 D램 여러 장을 수직으로 쌓아 올린 뒤 연결해 하나로 기능하게 해 성능을 극대화한 HBM은 날로 커지는 패키징 기술의 중요성을 보여주는 대표적인 사례다. 특히 여러 종류의 반도체를 하나의 패키지로 묶은 칩렛(chiplet) 생산이나 이종 반도체를 수직으로 적층해 연결하는 3D 패키징을 구현하기 위한 신규 소재와 선단 공정 개발도 필요한 상황이다. 이에 산업부는 2025년부터 2031년까지 진행할 사업을 통해 칩렛, 3D 패키징 등 향후 5∼10년 사이에 시장 적용이 확대될 가능성이 큰 차세대
삼성전자 "HBM 품질 및 성능 철저한 검증 위해 여러 테스트 수행하고 있어" 삼성전자는 24일 고대역폭 메모리(HBM)와 관련해 "다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라고 밝혔다. 일각에서 HBM 5세대인 HBM3E 품질 테스트 통과 여부에 대한 우려가 나오자 공식 입장을 내고 이 같은 우려를 일축한 것이다. 삼성전자는 이날 입장문에서 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"며 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고 설명했다. 이어 "삼성전자는 모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객에게 최상의 솔루션을 제공할 예정"이라고 덧붙였다. 앞서 로이터통신은 이날 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 HBM의 발열과 전력 소비 등의 문제로 엔비디아에 HBM을 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 보도했다. 다만 이 같은 보도 여파로 삼성전자의 주가는 이날 유가증권시장에서 2%대의 낙폭을 보이고 있다. HBM 4세대인 HBM3 시장의 주도권을 SK하이닉스에 넘긴 삼성전자는 올해 초부터
AI 서버에 고성능 SSD 탑재…온디바이스 AI도 낸드 수요 끌어올려 삼성, 290단 9세대 V낸드 양산…하이닉스, 온디바이스 AI용 낸드 개발 인공지능(AI)용 메모리 반도체 시장에서 고대역폭 메모리(HBM)로 대표되는 D램에 이어 낸드플래시(이하 낸드) 경쟁도 치열해지고 있다. 휘발성 메모리인 D램은 방대한 데이터를 실시간으로 빠르게 처리하는 데 필요하며, 비휘발성 메모리인 낸드는 데이터 저장장치에 주로 쓰인다. 다양한 분야에서 AI 수요가 폭증하면서 이에 대응할 고성능·고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 낸드 제품 수요 역시 가파르게 늘고 있다. SSD 등 낸드 리더십 확보 경쟁 치열 19일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 AI 수요 증가에 발맞춰 고성능·고용량 낸드 기술 및 제품의 경쟁력 확보에 열을 올리고 있다. 삼성전자는 지난 4월 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작하며 초격차 기술력을 강조했다. 낸드 적층 경쟁이 치열한 가운데 삼성전자는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 290단 수준의 9세대 V낸드를 발표하며 선공에 나섰다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드
영업이익 931.25% 상승한 6조6000억 원으로 전년 대비 931.25% 증가 삼성전자의 올해 1분기 잠정실적이 전년 대비 크게 개선된 것으로 나타난 가운데 반도체 부문도 작년 내내 이어진 적자 행진을 끝내고 흑자로 돌아선 것으로 보인다. 고대역폭 메모리(HBM) 등 생성형 인공지능(AI)용 반도체 수요가 지속 증가할 것으로 예상되는 데다, 정보기술(IT) 분야 전방 수요도 회복되면서 반도체 '장기 호황'이라는 장밋빛 전망까지 나오고 있다. 삼성전자는 경쟁사보다 다소 뒤처졌다는 평가를 받는 HBM 시장 공략에 힘을 주는 동시에 다양한 포트폴리오로 차별화를 꾀하며 AI 반도체 시장 주도권 확보에 나섰다. 삼성전자가 5일 공시한 올해 1분기 잠정실적을 보면 전사 매출은 작년 동기 대비 11.37% 증가한 71조 원, 영업이익은 931.25% 상승한 6조6000억 원이다. 작년 1분기에는 글로벌 IT 수요 부진과 주력 사업인 메모리 반도체 공급 과잉 여파로 업황이 전례 없는 침체를 겪으면서 영업이익이 6402억 원으로 추락했다. 작년 기저효과를 감안해도 실적이 10배로 뛰어오르며 시장 전망치를 크게 웃돌아 어닝 서프라이즈 수준의 성적표를 받아 든 셈이다. 잠정
반도체 업계 최초로, 美에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지 설립 SK하이닉스가 5조2000억 원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지를 짓는다. 2028년 하반기 양산이 목표로, SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM의 생산 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 4일 밝혔다. 미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것은 반도체 업계 최초다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. SK하이닉스는 이 사업에 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)를 투자할 계획이다. 이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 상무부 차관보, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준
D램, 낸드, HBM 등 디바이스 웨이퍼 레벨 테스트용 MEMS 기반 프로브 카드 제조에 활용 EV Group(이하 EVG)은 ㈜피엠티로부터 자사의 LITHOSCALE 마스크리스 노광 시스템에 대한 공급 계약을 수주했다고 밝혔다. 이번 계약으로, EVG의 LITHOSCALE 시스템은 피엠티 본사에 설치돼 첨단 NAND, DRAM, 고대역폭 메모리(HBM) 디바이스의 웨이퍼 레벨 테스트용 차세대 MEMS 기반 프로브 카드 제조에 사용될 예정이다. 피엠티 조용호 대표이사는 “미세 피치 프로브 카드는 반복적인 리소그래피 패터닝 공정을 통해 제작돼 제조 비용 증가 최소화가 필요하다”며, “기존의 마스크 얼라이너를 이용한 리소그래피 공정을 EVG의 마스크리스 노광 장비인 LITHOSCALE로 대체하게 됐다"고 말했다. 조용호 대표이사는 "이를 통해 제조 비용의 절감이 가능하고, 공정 개발 속도 또한 혁신적으로 단축 가능할 뿐 아니라 프로세스 성능도 향상할 것으로 기대하고 있다. 앞으로도 우리는 첨단 프로브 카드 제조 및 개발에 있어 EVG의 LITHOSCALE뿐 아니라 다양한 프로세스 솔루션을 통한 협력을 이어갈 것으로 기대한다”고 말했다. EVG의 MLE(Maskl
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 05월 21일 17시 12분
