산업통상부 강감찬 무역투자실장은 12일 경기도 화성시에서 열린 ASML의 ‘화성캠퍼스 준공식’에 참석했다. ASML은 네덜란드를 대표하는 글로벌 반도체 장비 기업으로, 반도체 초미세공정 구현에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산해 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 국내외 반도체 기업에 공급하고 있다. 이번에 준공된 ASML의 화성캠퍼스는 심자외선(DUV)·극자외선(EUV) 노광 장비 등 첨단 장비 부품의 재제조센터와 첨단기술 전수를 위한 트레이닝 센터 등을 통합한 ASML의 아시아 핵심 거점으로, 국내 반도체 산업의 공급망 안정성 강화와 기술 내재화에 기여할 것으로 기대된다. 또한 ASML은 동 캠퍼스를 통해 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업과의 공정 협력 및 기술 교류를 강화하고, 국내 소재·부품·장비 기업과의 연계 생태계를 구축함으로써 한국 반도체 산업과의 상생형 협력 모델을 본격화할 계획이다. 강감찬 산업부 무역투자실장은 축사를 통해 “외국인 투자는 우리 경제의 혁신과 성장의 핵심 동력임을 강조하고 정부는 현금지원 확대, 입지 세제 혜택 강화, 규제 개선 등 글로벌 기업이 투자하기 좋은 환경을 조성하기 위해 적극 노력하겠다”고
Moxa의 공식 한국 총판인 여의시스템은 차세대 산업용 Modbus 게이트웨이 ‘MGate MB3170/MB3270/MB3470-G2 시리즈’를 국내에 공식 출시했다고 밝혔다. Moxa MGate G2 시리즈는 RS-232/422/485 기반 설비를 Ethernet 네트워크로 손쉽게 연결해주는 고성능 Modbus 게이트웨이로, Modbus RTU/ASCII ↔ Modbus TCP 변환을 지원한다. 또한 Agent Mode(능동 폴링 및 데이터 캐싱 기능)를 통해 대규모 시스템에서도 빠르고 안정적인 통신 환경을 구현한다. 이번 신제품은 IEC 62443-4-2 기반 Secure Boot 구조, 듀얼 이더넷 서브넷, 웹 기반 트래픽 진단, -40~75°C 동작 온도 등 산업 현장에 최적화된 보안성과 내구성을 제공한다. 비표준 Modbus 및 제조사 고유 프로토콜도 지원해 다양한 설비 브랜드 간 통신 호환성을 보장한다. MGate G2 시리즈는 전력, 해양, 석유화학, 데이터센터 등 스마트팩토리와 산업 자동화 분야에서 폭넓게 적용할 수 있다. 여의시스템은 Moxa의 기술 트레이닝 자격을 보유한 국내 유일 파트너로, 단순 총판을 넘어 산업용 네트워크 솔루션의 기술
힐셔(Hilscher)는 온라인 간담회를 열고 유럽의 ‘사이버 복원력 법(Cyber Resilience Act, CRA)’과 자사의 다중 프로토콜 통신 칩 기술 ‘netX’ 시리즈를 소개했다고 12일 밝혔다. 이번 간담회는 2027년 말 전면 시행될 유럽연합(EU)의 신규 사이버 보안 규정인 CRA의 주요 내용과 산업 영향, 그리고 힐셔의 대응 전략을 중심으로 진행됐다. CRA는 유럽연합의 ‘디지털 10년 전략 2030’의 핵심 이니셔티브로 2030년까지 유럽 기업의 디지털 주권과 복원력, 기술 경쟁력 강화를 목표로 한다. 기계공학, 자동화, 제조 분야의 기업은 제품 개발 초기부터 보안을 내재화해야 하며, 보안 업데이트, 보고 의무, 취약점 관리 등이 시장 진입의 필수 요건으로 규정된다. 이를 준수하지 않을 경우 제재를 받을 수 있다. 힐셔는 간담회에서 CRA 시행에 대응하기 위한 자사 전략과 함께, 전 세계 네트워크 기계 및 시스템 구축에 사용되는 독자적 다중 프로토콜 기술 ‘netX’의 역할을 소개했다. 특히 기가비트 지원형 차세대 네트워크 컨트롤러 ‘netX 900’ 제품군의 개발 계획도 함께 공개했다. 프랑크 벤크 힐셔의 사이버 보안 전문가는 “사이버
AI 반도체 전문기업 모빌린트(대표 신동주)가 글로벌 산업용 임베디드·네트워크 컴퓨팅 선도기업 래너 일렉트로닉스(Lanner Electronics Inc.)와 전략적 업무협약(MOU)을 체결하고, 엣지 AI 상용화 시장 공략에 나섰다. 이번 협약을 통해 양사는 모빌린트의 NPU(Neural Processing Unit) 기술과 래너의 산업용 플랫폼을 결합한 통합형 엣지 AI 솔루션을 공동으로 개발하고 글로벌 시장을 대상으로 한 협력 영업(Co-selling)을 본격 추진한다. 모빌린트는 자체 개발한 고성능·저전력 AI 반도체를 중심으로, 엣지 AI 분야의 연산 효율성과 에너지 최적화를 동시에 구현하는 기술을 보유하고 있다. 이번 협약을 통해 래너의 산업용 표준 플랫폼과 결합함으로써 AI 모델 실행 안정성과 시스템 호환성을 강화하고, 제조·스마트시티·보안·로보틱스 등 다양한 산업 영역에서 엣지 AI 도입 속도를 높일 계획이다. 이번 협력의 핵심은 산업 현장에서 요구되는 고신뢰성·고내구성 AI 컴퓨팅 환경을 구현하는 것이다. 래너는 글로벌 시장에서 검증된 산업용 엣지 플랫폼을 공급하는 기업으로, 네트워크 보안, 엣지 컴퓨팅, 5G/OT 시스템 분야에서 폭넓은 고
AI 반도체 스타트업 하이퍼엑셀(HyperAccel)이 신용보증기금이 선정한 ‘제14기 혁신아이콘’에 이름을 올렸다고 10일 밝혔다. 신용보증기금의 혁신아이콘 프로그램은 글로벌 혁신기업으로 성장 가능성이 높은 혁신 스타트업의 스케일업을 돕는 프로그램으로, 성장 유망한 혁신 기업을 발굴해 지원한다. 이번 제14기에는 143개 기업이 지원해 약 29:1의 높은 경쟁률을 기록했으며, 하이퍼엑셀은 반도체 분야 대표 기업으로 선정됐다. 하이퍼엑셀은 3년간 최대 200억 원 신용보증, 최저보증료율 적용, 협약은행 추가 보증료 지원과 함께 해외 진출, 컨설팅, 홍보 등 다양한 혜택을 받게 된다. 하이퍼엑셀은 대규모 언어모델(LLM) 추론에 최적화된 고성능·저전력 AI 반도체(LPU) 기술력을 기반으로, 생성형 AI 서비스에 필요한 실시간 응답성과 비용 효율성을 동시에 실현한 점을 높이 평가받았다. 또한 데이터센터, 온프레미스 서버, 엣지 디바이스 등 다양한 환경에서 적용 가능한 확장성과 범용성을 입증하며, AI 반도체 분야의 차세대 혁신 기업으로서 성장 잠재력을 인정받았다. 특히 하이퍼엑셀은 LPU 기술을 기반으로 글로벌 생성형 AI 시장을 겨냥한 제품 포트폴리오를 확대
AI 반도체 테스트 소켓 수요 급증, 분기 최대 매출 견인 “올해 최대 실적 경신 목표”…4분기 글로벌 수주 확대 예고 글로벌 반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시가 2025년 3분기 매출 645억 원, 영업이익 174억 원을 기록하며 창사 이래 최대 분기 실적을 달성했다. 글로벌 반도체 시장의 불확실성이 이어지는 가운데, AI 반도체 양산 테스트 소켓 수주 증가가 실적 성장을 견인했다. 아이에스시는 최근 몇 년간 테스트 소켓 중심의 단일 제품 공급 구조를 넘어, 장비·소켓·소재를 아우르는 수직 통합형 테스트 플랫폼 기업으로의 전환을 추진해왔다. 이 전략은 고객의 개발 단계부터 양산까지 전 과정을 지원하는 End-to-End 테스트 솔루션을 제공함으로써, 고객 대응력과 제품 경쟁력을 동시에 강화하는 방향으로 진화하고 있다. 이번 분기 실적은 주력 사업인 장비와 소켓의 동시 출하가 본격화된 결과로 분석된다. 소켓 부문 영업이익률은 33%, 장비·소재 부문은 15%를 기록하며 전 분기 대비 큰 폭의 성장세를 보였다. 특히 AI 가속기 및 고성능 메모리 반도체용 테스트 소켓의 납품이 늘면서 수익성이 한층 개선됐다. 아이에스시는 신사업 부문에서도 성과를 확대하고 있
‘New Space’와 NASA 임무 대응 위한 플라이트 모델 생산 돌입 고신뢰성·방사선 내성 확보로 차세대 위성 시스템 통합 가속 텔레다인 e2v 세미컨덕터가 16GB 우주용 DDR4 메모리의 초기 인증(Initial Qualification)을 성공적으로 획득하며 우주 등급(space-grade) 메모리 솔루션의 신뢰성과 기술 경쟁력을 입증했다. 이번 인증은 우주 환경에서 장기간 안정적으로 작동할 수 있는 고신뢰성 반도체 개발의 핵심 이정표로 평가된다. 이번에 인증을 획득한 16GB DDR4는 지난해 인증받은 8GB DDR4에 이은 텔레다인 e2v 방사선 내성(Radiation-Tolerant) 메모리 제품군의 확장 모델이다. 기존과 동일한 폼팩터와 핀 호환성을 유지하면서 용량을 두 배로 늘려, 별도의 하드웨어 재설계 없이 차세대 위성 시스템에 손쉽게 통합할 수 있다. 16GB DDR4는 총 3개 생산 로트를 대상으로 진행된 장기 신뢰성 테스트를 통해 공정 일관성과 성능 재현성을 인정받았다. JESD47 표준에 따른 혹독한 환경 테스트를 거쳤으며, 온도 변화, 기계적 충격, 방사선 노출 등 궤도 환경을 모사한 조건에서도 높은 내구성과 안정성을 입증했다.
해성그룹 계열 반도체 부품 전문기업 해성디에스(대표이사 최영식)가 2025년 3분기 실적에서 매출 1786억 원, 영업이익 161억 원, 당기순이익 141억 원을 기록하며 실적 턴어라운드에 성공했다. 전년 동기 대비 매출은 19.5%, 영업이익은 37.6%, 당기순이익은 136.2% 증가한 수치다. 해성디에스는 1분기 저점 이후 2분기부터 회복세를 보이며 3분기 실적에서 안정적인 성장 흐름을 이어갔다. 전분기와 비교해 매출은 13.5% 증가했고, 영업이익은 95.8%나 개선되며 수익성이 크게 강화됐다. 당기순이익은 흑자 전환에 성공하며 본격적인 회복 국면에 진입했다. 이번 실적 개선의 핵심 요인은 리드프레임 사업의 안정적인 매출 확보와 반도체 패키지 기판 수요 증가다. 해성디에스는 차량용 반도체 시장에서 주요 고객사의 재고 안정화와 전기차·하이브리드차 중심의 수요 회복이 맞물리며 리드프레임 물량이 늘었다고 밝혔다. 특히 자동차 전장화가 가속화되면서 전력 반도체용 리드프레임 수요가 꾸준히 증가해 매출 성장의 기반을 마련했다. 또한 반도체 패키지 기판 부문에서는 DDR5 제품 중심의 수요가 폭발적으로 늘어나며 실적 상승을 견인했다. 해성디에스는 메모리 반도체 고
바스프가 독일 루트비히스하펜에 전자급 암모니아수(Electronic Grade Ammonium Hydroxide, NH4OH EG) 생산공장을 신설한다고 7일 밝혔다. 신규 공장은 2027년 가동을 목표로 하고 있다. 이번 신규 공장은 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 세정, 식각 및 기타 정밀 공정을 지원하는 초고순도 화학물질을 생산할 예정이다. 이를 통해 유럽 내 반도체 기업들의 성장과 확장을 지원하고, 첨단 칩 생산을 위한 안정적인 현지 공급망 구축에 기여할 것으로 기대된다. 이번 투자는 급변하는 글로벌 시장 환경 속에서 유럽 반도체 산업의 공급망 회복력과 기술 경쟁력 강화를 위한 바스프의 지속적인 의지를 보여주는 것이다. 바스프는 전략적 파트너들과의 장기적 신뢰를 기반으로 반도체 소재 가치사슬 전반에 걸친 투자를 이어가고 있다. 최근 유럽에서는 반도체 칩 생산시설의 신증설이 활발히 진행되면서 암모니아수와 같은 고품질·고순도 반도체용 화학물질에 대한 수요가 급증하고 있다. 특히 바스프의 주요 협력 파트너들이 유럽 내 신규 반도체 생산시설을 건설 중이어서, 이러한 수요는 더욱 확대될 전망이다. 바스프는 이들과의 장기 공급 계약을 기반으로 반도체 소재 분야에 대
NXP 반도체가 하드웨어 기반의 전기화학 임피던스 분광법(EIS, Electrochemical Impedance Spectroscopy)을 내장한 배터리 관리 칩셋을 발표했다. 이번 신제품은 전기차(EV) 및 에너지 저장 시스템(ESS)의 안전성, 수명, 성능을 혁신적으로 개선하기 위해 설계됐다. 새로운 EIS 칩셋은 모든 구성요소에서 나노초(ns) 수준의 정밀 동기화를 제공하며, 배터리 상태를 정밀하게 분석해 OEM 제조사가 충전 안전성과 수명 예측 정확도를 높일 수 있도록 지원한다. 이번에 발표된 솔루션은 세 가지 배터리 관리 시스템(BMS) 유닛으로 구성돼 있다. ▲BMA7418 셀 감지 장치 ▲BMA6402 게이트웨이 ▲BMA8420 배터리 정션 박스 컨트롤러로, 추가 부품이나 복잡한 재설계 없이 EIS 측정을 직접 수행할 수 있다. 하드웨어 내장형 이산 푸리에 변환(DFT) 기능이 포함돼 있어 정밀한 주파수 응답 분석이 가능하며 실시간 고주파 모니터링을 통해 배터리 상태를 즉각적으로 진단할 수 있다. 기존의 소프트웨어 기반 배터리 모니터링은 밀리초 단위의 동적 이벤트 감지에 한계가 있었지만 NXP의 하드웨어 통합형 EIS 시스템은 고장의 초기 징후를
인하대학교는 퓨리오사AI와 AI 반도체 설계 및 인재 양성을 위한 산학협력 업무협약(MOU)을 체결했다고 5일 밝혔다. 이번 협약을 통해 양 기관은 AI 반도체 설계(Design), 패키징(Package), 테스트(Test) 등 전 과정에서의 공동 연구 및 기술 교류를 추진한다. 더불어 산업 현장의 첨단 기술을 교육과 연구에 접목한 실무 중심 반도체 전문 인재 양성에도 협력할 계획이다. 주요 협력 내용은 ▲AI 반도체 설계·검증·패키징·테스트 분야 공동 연구 ▲산업 현장 중심의 실무형 교육과정 개발 ▲학생 인턴십 및 산학 공동 프로젝트 운영 ▲설계·검증·패키징·테스트 기술 실습 협력 등이다. 인하대 반도체특성화대학사업단은 이번 협약을 통해 교육·연구·산업이 연계되는 지속 가능한 산학협력 모델을 구축할 방침이다. 퓨리오사AI는 대규모 인공지능 모델의 연산 효율을 극대화하는 AI 추론(Inference)용 고성능·저전력 반도체 가속기(NPU)를 개발하는 기업으로, 최근 TSMC 5나노(5nm) 공정을 적용한 차세대 AI 가속기 ‘RNGD(Renegade)’를 공개하며 주목받았다. 이를 통해 데이터센터용 AI 연산 기술 확보와 함께 국내 AI 반도체 경쟁력 강화에
마이크로칩테크놀로지는 우주 산업용 고신뢰성 통신 인터페이스 솔루션인 ‘ATA6571RT’ CAN FD 트랜시버를 출시했다고 밝혔다. 이번 신제품은 위성, 우주선 등 극한의 우주 환경에서도 안정적인 통신을 보장하기 위해 내방사선 설계를 적용했으며, 최대 5Mbps의 데이터 속도를 지원한다. 또한 기존 CAN 시스템과 하위 호환되어 기존 플랫폼에 원활히 통합할 수 있다. ATA6571RT는 기존 CAN의 1Mbps 대역폭 한계를 극복하고, 프레임당 최대 64바이트의 페이로드를 처리할 수 있어 통신 효율성을 높이고 버스 부하를 줄인다. CRC(주기적 이중화 검사) 기반의 향상된 오류 감지 기능을 통해 안전성이 중요한(security-critical) 애플리케이션에서 통신 신뢰성을 강화했다. 이 트랜시버는 위성 추진 시스템 제어, 로보틱스, 나노위성 온보드 컴퓨터, 센서 네트워크 등 다양한 우주 시스템에서 활용 가능하다. 또한 기존 상용 플라스틱 및 세라믹 패키지와 동일한 핀 배열을 지원해 설계 변경 없이 적용할 수 있어 개발 편의성이 높다. ATA6571RT는 단일 이벤트 효과(SEE)와 총 이온화 선량(TID)에 대한 내성을 갖춰 방사선이 강한 우주 환경에서도
3분기 매출 15억5090만 달러·잉여현금흐름 22% 증가 온세미가 2025년 3분기 실적을 발표했다. 이번 실적에서 온세미는 시장 기대를 상회하는 성과를 기록하며, 핵심 산업 전반에서의 안정세와 AI 분야의 성장세를 동시에 입증했다. 온세미의 3분기 매출은 15억5090만 달러를 기록했다. 일반회계기준(GAAP) 총이익률은 37.9%, 비일반회계기준(non-GAAP) 기준으로는 38%를 달성했다. 영업이익률은 각각 17%, 19.2%를 기록했으며, 희석주당이익(EPS)은 GAAP 및 비GAAP 기준 모두 0.63달러를 기록했다. 영업활동 현금흐름은 4억1870만 달러, 잉여현금흐름은 3억7240만 달러로 전년 대비 22% 증가하며 매출의 24%에 달했다. 온세미는 올해 들어 9억2500만 달러 규모의 자사주를 매입했으며, 이는 잉여현금흐름의 약 100%에 해당한다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “온세미의 3분기 실적은 시장의 기대를 상회했으며 이는 당사의 전략적 실행력과 비즈니스 모델의 견고함을 보여주는 결과”라고 평가했다. 그는 “자동차, 산업, AI 플랫폼 전반에서 에너지 효율성이 핵심 요건으로 부상하고 있으며. 온세미는 고객이 적은 전력으로 더 높
온세미가 독자 기술을 적용한 수직 구조의 질화갈륨(Vertical GaN, 이하 vGaN) 전력반도체 신제품을 공개했다. 온세미는 자사 차세대 전력반도체를 공개하고, 제품이 화합물 반도체 내 전류를 수직 방향으로 흐르게 하는 구조를 통해 더 높은 동작 전압과 빠른 스위칭 주파수를 구현할 수 있다고 밝혔다. 온세미에 따르면 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지, 항공우주 등 에너지 집약적 산업의 전력 수요가 급증하는 현재와 같은 상황에서 해당 신제품은 다양한 분야에서 더 작고 가벼우며 효율적인 시스템 설계를 가능하게 한다. 미국 뉴욕주 시러큐스(Syracuse) 팹에서 개발되었으며, 공정, 디바이스 설계, 제조, 시스템 혁신과 관련된 130건 이상의 글로벌 특허를 기반으로 하는 vGaN 기술은 단일 다이에서 1200V 이상의 고전압을 처리하고, 고주파에서 고전류를 고효율적으로 스위칭할 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 전력 손실을 최대 50%까지 줄이고, 고주파 동작 시 인덕터와 커패시터 등 수동 부품의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 또한 기존 수평형 GaN 대비 약 3분의 1 크기로 구현이 가능해 전력 밀도, 열 성능, 신뢰성이 중요한 고출력 응용 분야에 최적화
한국, 미국, 대만 등 세계 6대 반도체 생산국 정부·기업 주요 관계자들이 부산에 모여 반도체 산업 관련 현안을 논의하고 협력을 모색한다. 산업통상부는 4∼6일 부산에서 '세계 반도체 생산국 민관합동회의'(GAMS)를 진행한다고 4일 밝혔다. 이 회의는 한국, 미국, 일본, 유럽연합(EU) 등 4개국이 지난 1999년 출범시킨 회의체로, 2000년 대만, 2006년 중국이 준회원국으로 가입하면서 6개국 회의체로 성장했다. 한국이 의장국을 맡은 올해 회의에는 각국의 반도체 산업 정책 담당자(국장급)를 비롯해 삼성전자, SK하이닉스, 인텔, TI, 온세미, TSMC 등 기업과 각국 반도체협회 관계자 등 100여명이 참석했다. 회의에서는 반도체 업계가 그간의 활동 결과와 건의 사항을 정부에 보고하며 이를 놓고 정부 담당자 간 협의가 진행된다. 올해 업계는 반도체 정책 동향 공유, 환경 규제, 반도체 관련 수출 품목 분류(HS 코드) 개정, 지식재산권 보호 등을 주요 의제로 제시했다. 회의 기간 6개국 간 양자 면담도 진행된다. 이를 통해 각국이 주요 현안별 입장을 교환하며 깊이 있는 논의를 진행할 전망이다. 의장을 맡은 최우혁 산업부 첨단산업정책관은 기조연설에서
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UPDATE: 2025년 11월 21일 20시 17분
