▲온세미컨덕터의 SiC 다이오드 제품군
[첨단 헬로티]
온세미컨덕터가 새로운 650V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키(Schottky) 다이오드 제품군을 공개하며 자사의 SiC 다이오드 제품 포트폴리오를 확장했다.
이 다이오드에 접목된 최첨단 실리콘 카바이드 기술은 전력 손실이 적고 소자간 병렬화가 수월한 우수한 스위칭 기능을 제공한다.
온세미컨덕터가 새롭게 출시한 650V SiC 다이오드 제품군은 6A(암페어)에서 50A의 출력을 달성할 수 있는 표면실장형(surface mount) 및 스루홀(through-hole) 방식의 패키지를 포함하고 있다.
이 다이오드 제품군은 역회복(reverse recovery) 전하가 전혀 없으며, 낮은 순방향 전압, 온도에 영향 받지 않는 안정적인 전류, 높은 서지용량 및 정특성 온도계수(positive temperature coefficient)를 제공한다.
새로운 다이오드 제품군은 태양광용 인버터, 전기차 및 하이브리드차용 충전기, 통신전력 및 데이터센터 전원 공급장치를 비롯한 다양한 애플리케이션에 필요한 PFC 및 부스트 컨버터를 설계하는 엔지니어들을 겨냥하고 있다.
이들은 보다 작은 면적으로 더 높은 효율을 제공해야 하는 과제를 안고 있기 때문이다.
새로운 650V SiC 쇼트키 다이오드 제품군은 또한 높은 효율성과 전력밀도, 더 작은 풋프린트, 그리고 향상된 신뢰성 등이 결합된 시스템으로 다양한 이점을 제공한다.
역회복 전하가 없고 고유의 순방향 전압을 제공하기 때문에 전력 손실을 완화할 수 있으며, 이를 통해 높은 효율을 달성할 수 있다.
뿐만 아니라, SiC 다이오드의 신속한 복구력은 높은 스위칭 속도 구현한다.
이는 자성 및 기타 수동 부품의 크기를 줄여 전력 밀도를 높이는 동시에 전반적으로 더 작은 회로 설계를 가능케 한다.
이와 더불어, SiC 다이오드는 서지전류에 대해 보다 높은 내성을 만족시키며 -55℃~175℃ 작동 온도 범위에서 안정성을 제공한다.
온세미컨덕터의 SiC 쇼트키 다이오드는 특허를 획득한 독창적인 터미네이션 구조가 특징인데 이는 신뢰성을 강화하고 안정성·견고성을 향상시키는 역할을 한다.
또한, 보다 높은 애벌런치 에너지(avalanche energy)를 제공하며, 업계를 선도하는 언클램프 유도 부하 스위칭(unclamped inductive switching) 역량과 최저 누설전류를 자랑한다.
사이먼 키톤(Simon Keeton) 온세미컨덕터 MOSFET 사업부 수석부사장 겸 총괄 매니저는 “온세미컨덕터가 새롭게 선보이는 650V SiC 다이오드 제품군은 기존 1200V SiC 제품과 함께 고객들에게 폭넓은 선택권을 제공한다”며, “와이드밴드갭(wide band gap) 재료의 고유 특성을 활용한 SiC 기술은 실리콘에 비해 확실히 뛰어나며, 견고한 구조를 통해 까다로운 환경에서도 신뢰할 수 있는 솔루션을 애플리케이션에 제공한다. 고객들은 이러한 새로운 제품을 활용해 보다 소형화, 간소화되고, 더 뛰어난 성능을 갖추도록 설계를 실현할 수 있다.”
