테크노트 ETRI “반도체 혁신 주도할 p형 반도체 소재 개발”

국내 연구진이 향후 차세대 디스플레이 및 초저전력 반도체 소자 성능개선에 널리 활용 가능한 p형 반도체 소재와 이를 활용한 박막 트랜지스터 개발에 성공했다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 텔레륨(Te) 기반의 칼코지나이드계 p형 반도체 소재를 활용해 상온증착이 가능하면서도 공정이 단순한 p형 Se-Te(셀레늄-텔레늄) 합금 트랜지스터를 개발했다. 아울러 n형 산화물 반도체와 p형 Te의 이종접합 구조에서 Te 박막의 전하 주입 제어를 통해 n형 트랜지스터의 문턱전압을 체계적으로 조절할 수 있는 기술도 개발했다. 반도체는 도핑의 여부에 따라 진성반도체와 불순물 반도체로 구분된다. 진성반도체는 불순물을 첨가하지 않은 순수한 상태의 반도체다. 반도체에 흔히 사용되는 실리콘의 경우 순수한 실리콘은 전자가 움직일 수 없기에 전압을 걸어도 전류가 흐르지 않는다. 때문에 진성반도체에 특정 불순물을 첨가, 반도체의 특성과 전기전도도를 조절해 활용한다. 불순물 반도체는 이렇게 첨가된 불순물에 따라 n형 반도체와 p형 반도체로 구분된다. 현재의 디스플레이 분야에 널리 활용되는 소재는 주로 인듐갈륨아연산화물(IGZO) 기반의 n형 산화물 반도체다. p형 산화물 반도체의 경우 n

• 이창현 기자
• 2024-07-23 17:13