프로덕트 ST, 와이드 밴드갭 기술 기반 통합 GaN 브리지 디바이스 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 와이드 밴드갭(Wide-Bandgap) 기술로 전원공급장치 설계를 간소화해주는 차세대 통합 GaN(Gallium-Nitride) 브리지 디바이스인 MasterGaN1L 및 MasterGaN4L을 출시했다고 15일 밝혔다. ST의 MasterGaN 제품군은 650V GaN HEMT(High Electron-Mobility Transistor)와 최적화된 게이트 드라이버, 시스템 보호 기능을 비롯해 시동 시 디바이스에 전원 공급을 지원하는 통합 부트스트랩 다이오드를 모두 내장하고 있다. 최신 디바이스는 하프 브리지 구성으로 연결된 두 개의 GaN HEMT가 포함돼 있다. 이러한 배열은 능동 클램프 플라이백(Active-Clamp Flyback), 능동 클램프 포워드(Active-Clamp Forward), 공진 컨버터 토폴로지 기반의 스위치 모드 전원공급장치, 어댑터 및 충전기를 구현하는 데 적합하다. MasterGaN1L 및 MasterGaN4L은 각각 MasterGaN1 및 MasterGaN4 디바이스와 핀 호환된다. 이전 디바이스에 비해 새롭게 최적화된 턴온 지연을 갖춰 특히 공진 토폴로지의 경우 낮은 부하에서도 더 높

• 이창현 기자
• 2024-01-15 11:23