최신뉴스 온세미컨덕터, PCIM 2019서 SiC 기반의 IGBT 게이트 드라이버 공개

[첨단 헬로티] 전력 애플리케이션용 하이브리드 IGBT와 다양한 IGBT 드라이버 공개 예정 에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터는 독일 뉘른베르크에서 5월 7일 개최되는 PCIM 유럽 2019에서 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 하이브리드 IGBT 및 관련 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 출시 및 전시할 예정이다. AFGHL50T65SQDC는 최신 필드 스톱 IGBT 및 SiC 쇼트키 다이오드 기술을 사용해 토템 폴(totem pole) 기반의 브릿지리스 PFC(Bridgeless Power Factor Correction) 및 인버터와 같은 리버스 리커버리(Reverse recovery) 손실 감소로부터 이점을 얻으며, 다중 전원 애플리케이션에서 낮은 도통 및 스위칭 손실을 제공한다. ▲온세미컨덕터의 AFGHL50T65SQDC 해당 디바이스는 실리콘 기반의 IGBT와 SiC 기반의 쇼트키 배리어 다이오드가 함께 패키징 돼 실리콘 기반 솔루션의 낮은 성능과 전체가 SiC 기반 솔루션의 높은 비용 사이의 균형을 맞춘다. 이 고성능 디바이스는 650V 작동에 적합하며, 최대 200A의 펄스 전류뿐 아니라 최대 100A@25℃(50A@100℃)

• 서재창 기자
• 2019-05-02 15:27