HMI 서버 관리 성능 강화, 사용자 친화적 기능 추가, 개발 자원 간소화 등 이점 선보여 포스코DX가 설비 제어시스템 ‘PosMaster-HMI’ 윈도우(Windows) 버전을 론칭했다. PosMaster-HMI는 산업 현장 내 각종 장비의 작동 상태를 화면에 도출하고, 관련한 의사결정을 지원하는 포스코 DX 자체 개발 솔루션이다. 설비 제어를 관장하는 PLC(Programmable Logic Controller)와 이 PLC의 작동 상태를 모니터링 하고, 작업자가 직접 설비를 제어하도록 돕는다. 포스코DX가 독자적으로 개발해 현장에 적용해오고 있다. 이번 업데이트를 통해 기존 리눅스(Linux)에서 지원 운영체제(OS)를 확장해 윈도우용으로 개발됐다. 핵심 기능은 작업자가 제어할 설비를 직접 선택해 제어 화면을 구성하고, 로직을 추가해 시스템을 운영할 수 있도록 개선한 부분이다. 아울러 HMI 서버 정보 관리 성능을 기존 5,000개의 태그(Tag)에서 65,000개로 강화하고, 이기종 데이터 베이스에 접근해 사용자가 직접 프로그래밍하는 기능도 추가했다. 또 사용자가 모터 On/Off, 온도 초과 알람 등을 설정하면, 해당 모터의 발생 위치를 직관적으로
헬로티 조상록 기자 | ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다. 이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다. 이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다. 이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다. 오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. 2018년에 소
[헬로티] 어플라이드 역사상 가장 빠르게 성장하는 제품, 현재까지 5천 개 Sym3 챔버 출하 어플라이드 머티어리얼즈가 센트리스 Sym3 식각(etching) 제품군에 ‘센트리스 Sym3 Y’ 신제품을 성공적으로 추가했다. ▲어플라이드 Sym3 Y 식각 시스템 반도체 제조사는 센트리스 Sym3 Y 신제품을 사용해 첨단 메모리와 로직 칩에 더욱 소형화된 특성을 정밀하게 패터닝하고 성형할 수 있다. 새로운 센트리스 Sym3 Y는 어플라이드의 최첨단 컨덕터 식각 시스템이다. 이 제품은 혁신적인 RF 펄싱 기술을 사용, 핀펫과 최근 각광받는 게이트 올 어라운드(GAA) 아키텍처를 포함한 3D 낸드, D램, 로직에서 고도로 집적된 고종횡비(high-aspect-ratio) 구조 생성을 위해 요구되는 매우 높은 수준의 소재 선택성, 깊이, 프로파일 제어를 제공한다. Sym3 제품군의 기술적 고유 특성은 고전조도(high-conductance) 챔버 아키텍처다. 이 아키텍처는 웨이퍼가 패싱할 때마다 축적되는 식각 부산물을 빠르고 효율적으로 제거함으로써 탁월한 식각 프로파일 제어를 제공한다. Sym3 Y 시스템은 핵심 챔버 부품을 보호하는 독점 코팅
[헬로티] 로직, 및 파운드리, 이미지센서 팹 장비 투자 큰 폭으로 상승 글로벌 전자 공급망을 대표하는 SEMI의 최신 세계 팹 전망 보고서(World Fab Forecast)에 따르면 2021년의 반도체 팹 장비 투자는 올해 대비 약 24% 증가한 677억 달러가 될 것이라고 발표했다. 메모리 팹이 300억 달러 규모로 가장 큰 투자를 할 것으로 보이며 로직 팹 및 파운드리가 290억 달러로 그 뒤를 이을 것으로 전망된다. ▲2019년부터 2021년까지 분기별 팹 장비 투자액 3D 낸드 메모리 분야의 올해 팹 장비 투자액은 30% 증가할 것으로 보이며 2021년은 17% 더 상승할 것으로 예상된다. D램 팹 장비 투자는 올해 11% 감소하지만 2021년에는 50% 급증할 것으로 전망된다. 로직 팹 및 파운드리에 대한 팹 장비 투자는 올해 11% 하락 후 2021년에 16% 증가할 것으로 보인다. 이미지 센서에 대한 팹 장비 투자는 2020년에 60%의 두드러지는 증가세를 보인 후 2021년에는 36% 더 증가할 것으로 전망된다. 아날로그 반도체에 대한 팹 장비 투자는 올해 40%, 내년 13% 성장할 것으로 예상되며 전력 반도체 분야는 올해 16% 성장 후
[첨단 헬로티] - 33개 주요 IC 중에서 26개 IC 성장 전망 - 메모리 반도체 공급 과잉 문제 해결 지난해 전 세계적인 경기 불황과 더불어 미국과 중국간의 무역 전쟁, 메모리 반도체의 공급 과잉 등의 여러 가지 이슈로 인해 반도체 시장의 성장이 둔화했었다. 그러나 올해는 다시 성장세에 돌입할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 반도체 시장조사기관 IC인사이츠는 주요 IC 33개 범주 중 무려 26개 부문의 판매율이 성장할 것으로 전망했다. 이는 2019년 단 6개 부문에서 성장세를 보인 것과 비교하면 무려 4배 이상 높은 수치다. 2019년에는 33개 주요 IC 중에서 낸드 플래시(NAND Flash)와 D램(DRAM)이 가장 낮은 성장률을 기록했었다. 그 이유는 D램이 하이퍼스케일(Hyperscale) 시장의 수요 급감으로 인해2018년말부터 2019년까지 과잉 공급이 지속됐고, 이는 과잉 재고로 이어지면서 가격이 인하됨으로써 평균판매단가(ASP)가 하락하는 현상이 있었다. 낸드 플래시 또한 2019년 상반기 수요 부진으로 매출이 하락한 바 있다. 그러나 2020년에는 낸드 플래시와 D램이 가장 빠르게 성장하는 3대 IC 범주에 속하게 될 것으로 예상된
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