SDT는 한국전자기술연구원(KETI) 신뢰성연구센터에 자사의 고성능 액침냉각 솔루션 ‘아쿠아랙(AquaRack)’을 공급했다고 22일 밝혔다. 이번 공급은 KETI 신뢰성연구센터가 수행 중인 차세대 반도체 부품의 열 관리 및 신뢰성 테스트 환경을 한 단계 고도화하기 위해 추진됐다. 기존 일부 연구 현장에서는 전용 장비 부재로 단순 용기에 액침유를 채워 시험을 진행하는 경우가 많아, 정밀한 온도 제어와 데이터 확보에 한계가 있었다. SDT는 이러한 연구 현장의 애로를 해소하기 위해 KETI 신뢰성연구센터의 연구 목적에 맞춰 하드웨어와 인터페이스를 최적화한 맞춤형 아쿠아랙 모델을 제공했다. 규격화된 서버뿐 아니라 소형 발열 칩 등 다양한 실험체를 수용할 수 있도록 전용 고정 브라켓을 특수 제작했으며, 연구원들이 칩 상태와 액침 과정을 실시간으로 확인할 수 있도록 장비 전면을 투명 구조로 개조해 연구 편의성을 강화했다. KETI 신뢰성연구센터는 도입에 앞서 서울 구로구에 위치한 SDT 제조 현장을 방문해 생산 공정과 안정성 테스트 현장을 직접 확인한 뒤 최종 도입을 결정했다. 이 과정에서 SDT가 보유한 양자 설계·제조 역량(QDM)을 기반으로 연구 특성에 맞춘
그래핀과 같은 2차원 물질을 단순히 쌓아 올리는 것만으로 전기를 거의 쓰지 않는 새로운 메모리 원리가 확인됐다. 기존 강유전 물질의 한계를 넘는 방식으로, 초저전력 전자 소자와 미래형 양자 컴퓨터 부품 개발로의 활용 가능성이 주목된다. DGIST는 화학물리학과 김영욱 교수 연구팀이 KAIST 조길영 교수 연구팀과의 공동연구를 통해, 그래핀과 같은 매우 얇은 물질을 샌드위치처럼 겹쳐 전기로 정보를 쓰고 지울 수 있는 새로운 메모리 원리를 발견했다고 밝혔다. 스마트폰과 컴퓨터가 점점 더 얇고 가벼워지기 위해서는 내부 반도체 부품의 두께 역시 획기적으로 줄어들어야 한다. 그러나 기존 정보를 저장하는 강유전 물질은 두께가 얇아질수록 성능이 급격히 저하되거나 복잡한 공정이 필요하다는 한계를 지니고 있다. 이로 인해 기존 강유전 물질을 사용하지 않고도 초박막 소재에서 메모리 성질을 구현할 수 있는 새로운 접근법이 요구돼 왔다. 연구팀은 강유전성이 전혀 없는 소재들을 결합해 인공적으로 강유전성을 만들어내는 방식으로 이 문제에 접근했다. 꿈의 신소재로 불리는 그래핀과 α-RuCl₃ 사이에 매우 얇은 절연체인 hBN을 샌드위치처럼 끼워 넣는 구조를 구현한 것이다. 이 적층
비닐처럼 얇고 유연하면서도 높은 열을 견딜 수 있는 차세대 고성능 통신 반도체 스위치가 개발됐다. 고온 환경과 반복적인 굴곡에도 안정적인 5G·6G 통신이 가능해 웨어러블 기기와 자율주행차 등 가혹한 환경에서의 활용이 기대된다. UNIST는 전기전자공학과 김명수 교수 연구팀이 단국대학교 김민주 교수 연구팀과 공동으로 고성능 유연 RF 스위치를 개발했다고 8일 밝혔다. RF 스위치는 신호 간섭을 줄이고 전력을 효율적으로 분배하는 핵심 통신 부품이다. 기존 상용 RF 스위치는 딱딱한 무기물 기반으로, 접힘이나 반복 굴곡에 취약해 완전히 말리거나 착용 가능한 통신 기기 구현에는 한계가 있었다. 연구팀이 개발한 RF 스위치는 비닐처럼 얇고 유연한 고분자 기반임에도 높은 내열성과 무기물 수준의 통신 성능을 동시에 확보했다. 일반적인 유기 고분자 RF 소자는 열에 약하고, 특히 5G·6G 대역에서 성능 저하가 컸다. 실험 결과 해당 RF 스위치는 128.7℃의 고온 환경에서도 10년 이상 데이터가 유지될 수 있는 수준의 안정성을 보였다. 통신 성능 시험에서는 밀리미터파 대역을 포함해 최대 5.38테라헤르츠까지 신호를 안정적으로 전달하고 차단했다. 이는 고분자 기반 스위
국내 연구진이 교자성체(ferromagnetic-like antiferromagnet) 내부에서 스핀의 정렬 방향을 바꿔 변환 신호의 방향까지 뒤집는 데 성공했다. 복잡한 다층 구조나 강한 자기장 없이도 전류 스위칭이 가능해지는 원리를 제시한 것으로, 향후 저전력 스핀 반도체 소자 개발의 전기를 마련했다는 평가다. UNIST 신소재공학과 유정우 교수와 물리학과 손창희 교수 연구팀은 10일 산화루테늄 기반 교자성 소재에서 스핀-전하 변환을 가역적으로 제어할 수 있음을 실험적으로 규명했다고 밝혔다. 산화루테늄은 최근 반도체 분야에서 강자성과 반강자성의 장점을 모두 지닌 ‘제3의 자성 소재’로 주목받는 물질이다. 이론적으로는 기존 반도체 소자의 속도 한계를 뛰어넘고 에너지 효율을 크게 높이는 스핀 반도체 구현이 가능하다는 점에서 많은 관심을 받고 있다. 하지만 실제 전자소자로 활용하려면 스핀 신호를 회로가 인식할 수 있는 전류 신호로 바꾸는 ‘스핀-전하 변환’이 필수적임에도, 교자성 소재에서는 이를 정밀하게 제어하는 기술이 부족했다. 연구팀은 교자성체 내부에서 스핀 정렬 방향을 나타내는 네엘 벡터(Néel vector)를 조절하면 스핀이 전하로 변환될 때의 극성(
KAIST는 세계적 과학 저널 ‘네이처(Nature)’의 자매지 ‘네이처 리뷰스 일렉트리컬 엔지니어링(Nature Reviews Electrical Engineering)’에 지난 8월 18일 자로 KAIST의 반도체 연구와 교육 성과가 집중 조명됐다고 5일 밝혔다. 이번 특집 기사는 KAIST가 차세대 반도체 연구와 인재 양성, 글로벌 산학협력에서 보여주는 리더십을 다루며 한국 반도체 산업의 미래 청사진을 제시했다. 실비아 콘티 편집장이 직접 인터뷰를 진행했으며 KAIST에서는 신소재공학과 김경민 교수, 전기및전자공학부 윤영규·최신현·최성율·유승협 교수가 참여했다. KAIST는 전기및전자공학부, 반도체시스템공학과, 반도체공학대학원 등 교육 프로그램을 운영하며 뉴로모픽 컴퓨팅, 인-메모리 컴퓨팅, 2차원 신소재 기반 소자 등 차세대 반도체 연구를 선도하고 있다. 연구진은 기존 실리콘 한계를 넘어서는 아키텍처와 소자를 개발하며 인공지능, 로보틱스, 의료 등 응용 분야 혁신을 이끌고 있다. 특히 RRAM, PRAM 등 신개념 메모리를 활용해 시냅스·뉴런 등 생물학적 기능을 하드웨어 플랫폼으로 구현하는 연구는 국제적으로 주목받고 있다. 이는 로봇, 엣지 컴퓨팅,
업계 최초로 기존 양산 인프라 내에서 300mm 기반 GaN 생산 기술 개발 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 300mm 웨이퍼 기반 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 생산이 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 회사는 2025년 4분기 고객사에 첫 샘플을 제공할 예정이며, 이를 통해 GaN 시장 내 입지를 한층 강화하고 글로벌 고객 기반 확대에 나선다. GaN 반도체는 실리콘(Si) 대비 높은 전력 밀도, 빠른 스위칭 속도, 낮은 전력 손실 특성을 지녀 스마트폰 충전기, 로봇, 태양광 인버터 등 다양한 전력 시스템의 소형화와 에너지 효율 개선에 기여하고 있다. 특히 산업용 및 휴머노이드 로봇, 신재생에너지 시스템 등 고출력·고속 제어가 요구되는 응용 분야에서 각광받고 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 전력 반도체의 3대 핵심 소재를 모두 공급하는 소수 업체 중 하나로, 설계부터 제조까지 직접 수행하는 IDM(종합 반도체 업체) 모델을 통해 제품 품질과 개발 유연성, 공급 안정성 측면에서 경쟁력을 확보하고 있다. 이러한 인하우스 생산 전략은 시장 대응 속도와 고신뢰 품질 보증 측면에서 핵심적인 차별화 요소로 작용하고 있다
인텔, 18A 공정으로 올해 하반기에 '팬서레이크' 출시 예정 계획 밝혀 인텔이 2025년 하반기 인텔의 새로운 PC용 프로세서인 팬서 레이크의 양산 일정에 맞춰 인텔 ‘18A(옹스트롬)’ 공정 기술이 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 인텔은 최신 반도체 공정 18A가 단순한 기술적 진화를 넘어, 반도체 제조 역사에 중요한 전환점을 만들어낼 것이라고 자신했다. 또한, 인텔 파운드리가 지속해온 혁신의 결정체로, 고성능과 저전력, 고밀도 설계를 동시에 구현할 수 있는 기술적 기반을 제시한다. 인텔 18A의 핵심은 두 가지 기술, 즉 '리본펫(RibbonFET)'과 '파워비아(PowerVia)'다. 먼저 리본펫은 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 구조를 기반으로 한 트랜지스터로, 채널을 리본처럼 수직으로 쌓는 방식이다. 이 구조는 공간 효율성을 극대화하고 전력 소비를 최소화하면서도 성능은 향상시키는 것이 특징이다. 인텔은 이를 자사 10년 내 최대 트랜지스터 구조 혁신으로 평가하고 있다. 파워비아는 반도체 업계 최초로 상용화된 ‘후면 전력 공급 기술’이다. 이는 기존 전면 배선 방식과 달리, 칩의 후면에서 전원을 공급하는 구조로 설계돼 데이터 흐름에 필요한 전면 공간
기존 박막 증착법 한계 넘어 텔레륨 원자 활용한 증착 방식 구현 미래 반도체 제조공정의 핵심 기술이 개발됐다. 차세대 반도체 소재를 원자층 수준에서 정밀하게 쌓는 기술이다. 낮은 온도에서도 나노 수준의 3차원 구조에 적용 가능해 다양한 전자 소자에 활용될 전망이다. UNIST 반도체 소재·부품 대학원 및 신소재공학과 서준기 교수팀은 홍익대학교 송봉근 교수, UNIST 정후영 교수 연구팀과 함께 원자층 증착법(ALD)으로 50도의 저온에서 텔레륨 원자가 규칙적으로 배열되는 박막 증착 공정법을 개발했다. 원자층 증착법은 낮은 공정온도에서 삼차원 구조의 표면에 얇고 균일한 막 코팅과 정교한 두께 조절이 가능한 차세대 박막 공정법이다. 하지만, 차세대 반도체인 원자층 반도체에 적용하기 위해서는 일반적으로 250도 이상의 공정온도와 450도 이상의 추가 열처리 작업이 요구된다. 연구팀은 전자소자, 열전소재 등의 다양한 분야에서 연구 중인 단일 원소 원자층 반도체 텔레륨에 원자층 증착법을 적용했다. 열처리 공정 없이도 50도의 저온에서 고품질의 박막을 성공적으로 제조했다. 제조된 박막은 원자가 규칙적으로 배열되고, 나노미터 이하의 두께 조절이 가능하며 모든 표면 위에서
메모리 내에서 연산까지 수행하는 차세대반도체 기술개발 과학기술정보통신부와 산업통상자원부는 지난달 29일 경기도 성남시 판교 스타트업 캠퍼스에서 범부처 'PIM인공지능반도체 사업단' 출범식을 열었다. PIM인공지능반도체는 '메모리·연산 통합 지능형 반도체'로, 데이터를 저장하는 메모리에서 연산까지 함께 수행해 효율을 높일 것으로 기대되는 차세대 반도체 기술이다. 'PIM'은 '메모리에서 연산 처리를 함'이라는 뜻인 'Processing-In-Memory'의 줄임말이다. 과기정통부와 산업부는 올해 'PIM인공지능반도체 핵심기술개발사업'에 착수하고 2028년까지 7년간 과기정통부 2천897억 원, 산업부 1천130억 원을 합해 총사업비 4천27억 원을 투입하기로 했다. 과기정통부 사업으로는 PIM 특화소자·집적기술 개발, 다양한 메모리 기반의 PIM 설계, PIM 반도체에 최적화된 시스템 소프트웨어 개발이, 산업부 사업으로는 비휘발성 메모리 기반 PIM 공정·장비 개발이 이뤄진다. 과기정통부는 사업 관리를 위해 올해 7월 정보통신기획평가원(IITP) 내에 전담 조직을 신설해 사업단 운영을 시작했다. 사업단은 사업 기간 사업 기획 뿐만 아니라 분야별 기술의 상호 연
[헬로티] (출처 : 산업통상자원부) 산업통상자원부(이하 산업부)가 2019년 말 기준 5대 유망 신산업 분야 사업체(종사자 10인 이상)를 대상으로 산업기술인력 실태조사를 진행한 결과, 2019년 말 기준으로 5대 신산업분야의 산업기술인력은 11.1만 명 수준이나, 향후 10년 간 연평균 3.4% 증가해, 2029년에는 15.5만 명까지 확대될 것으로 나타났다고 밝혔다. 조사에 따르면 2019년말 기준 부족인력은 2845명, 부족률은 2.5%로 나타났으며, 특히 석·박사급 인력(부족률 4.2%) 공급이 시급한 것으로 나타났다. 2018년에 이어 이번에 재조사한 차세대반도체는 산업기술인력 부족률이 다소 완화(3.8%→2.1%)된 것으로 나타났다. 5대 신산업 분야별 조사 및 전망 5대 신산업별 산업기술인력의 세사항을 살펴보면, 차세대반도체 분야에서는 2019년 말 기준, 산업기술인력은 3.6만 명으로 2017년 말(2.8만 명) 대비 1.3배 증가했으며 2029년에는 5.1만 명(연평균증가율 3.5%)으로 확대될 전망이다. 2019년 말 기준 부족률은 2.1%(부족인원 766명)이며, 인력증가 요인은 기업성장에 따른 인력 증가(0.6만명
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