어플라이드 머티어리얼즈가 오는 12일부터 15일까지 서울 그랜드 워커힐 호텔에서 열리는 ‘국제 메모리 워크숍(IMW 2024)’에서 메모리 칩의 공정 장비 및 기술 발전에 대해 소개한다. IMW 2024(International Memory Workshop 2024)는 IEEE 전자소자협회(IEEE Electron Devices Society)가 주최하는 권위 높은 메모리 기술 관련 연례 국제 학회로, 전 세계 엔지니어와 연구자들이 모여 메모리 소자 및 공정, 설계, 패키징 기술의 최신 발전을 논의한다. 올해 16회를 맞이했으며 한국에서 두 번째로 개최된다. 어플라이드는 이번 워크숍에서 ▲게이트올어라운드(GAA) S램: Vccmin 스케일링을 위한 성능 조사 및 최적화 ▲메모리 기능을 갖춘 3D 낸드 차량에서 고속 성장률 에피택셜 성장 Si 채널의 시연 ▲자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스: 멀티스케일 모델 증강 개발 ▲고대역폭 메모리를 위한 차세대 이기종 통합 문제를 해결할 수 있는 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 과제 등 재료 엔지니어링의 혁신을 강조하는 4건의 논문 발표를 진행한다. 또한 ‘메모리 애플리케이션을 위한 첨단 채널 재료’ 주제의 패널 토론에도
삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 256기가비트 3차원 V낸드’ 양산에 성공했다. 이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다. 256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트 용량의 메모리카드를 만들 수 있으며, 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화를 위한 최적의 솔루션을 제공한다. 이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀(Cell)이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 셀(Cell)마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 특히 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르
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