[헬로티]
온세미컨덕터가 2021년 실리콘 카바이드(SiC) 시장 전망을 공개했다.
▲출처 : 온세미컨덕터
WBG 기술이 기존의 전력 전자 애플리케이션은 물론 새롭게 등장하는 애플리케이션에까지 널리 적용되면서, 반도체 업체는 전례 없는 속도로 신제품을 개발해 내고 있다.
최근 온세미컨덕터는 650V SiC MOSFET를 출시하며 자사의 WBG 디바이스 제품군을 확대했다. 이를 통해 이전에는 서비스가 부족했던 전력대역에서 보다 향상된 효율성을 제공하고 있다고 밝혔다.
온세미컨덕터 제품 라인 담당 매니저 브랜드 베커(Brandon Becker)는 2021년에 SiC와 GaN이 계속해서 확대 적용될 것으로 봤다. 기존 실리콘 기반 디바이스보다 더 높은 효율성과 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션에서 SiC와 GaN 같은 WBG 디바이스가 비용을 줄이는 차원에서 효율적이기 때문이다.
또한 4G LTE 대비 20배 빠른 속도를 제공하는 5G는 그만큼 열효율과 전력 효율에 최적화된 디바이스가 필요한데, SiC MOSFET은 5G 사용에 적합하다고 전했다. SiC가 까다로운 환경에서 사용하기에 적합하기 때문이다. 현재 해당 분야의 애플리케이션 수요는 크게 증가하고 있으며, 높은 전력 밀도에 대한 요구는 설계 엔지니어들의 주요 관심사로 떠오르고 있다고 말했다.
이런 상황에서 온세미컨덕터는 내부 공급망, 제조 전문성, 합리적인 가격에 제공되는 입증된 SiC MOSFET 디바이스 성능이 온세미컨덕터의 경쟁력이라 전했다. 현재까지 온세미컨덕터는 900V 및 1200V SiC MOSFET 제품군을 확장해 왔다. 2021년에는 650V SiC MOSFET 기술을 발표했다고 밝혔다.
또한 현재 SiC MOSFET과 SiC 다이오드가 전기차에 적용돼, 전 세계 자동차 업계의 OEM들과 협력 프로젝트를 진행 중에 있다고 말했다.
브랜드 배커는 SiC와 GaN 등의 WBG 디바이스는 미래의 전력 전자 장치의 필수요소라며, 그 중요성을 강조했다. 온세미컨덕터는 산업용 전력 및 에너지 생성 애플리케이션 분야에서 SiC 시장점유율을 꾸준히 확대할 것으로 예상했다.
특히 자동차 트랙션 인버터 분야에서 급속한 성장세를 보일 것으로 기대된다고 밝혔다. SiC MOSFET 개발에서 현재 가장 큰 도전과제는 SiC 기판 개발이라 전했다. 온세미컨덕터를 비롯한 반도체 제조업체들이 이를 해결하기 위해 큰 노력을 기울이고 있다고 밝혔다.
