[첨단 헬로티]
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 600V/8A 단상 MOSFET 풀 브리지를 통합한 13x11mm 크기의 PWD13F60 SiP(System-in-Package)를 출시했다.
이 제품은 산업용 모터 드라이브, 램프 안정기, 전원공급장치, 컨버터, 인버터의 보드 공간을 줄이면서 재료비 절감에도 도움을 준다.
▲ST의 새로운 풀 브리지 SiP 'PWD13F60'
또한 디스크리트 부품으로 구현된 다른 동급 회로에 비해 풋프린트가 60% 더 작기 때문에 최종 애플리케이션의 전력 밀도 향상도 가능하다.
4개의 전력 MOSFET을 통합해 시장에 공급되고 있는 일반적인 듀얼-FET 하프-브리지나 6-FET 3-상 디바이스와 같은 모듈을 효율적으로 대체하는 솔루션이라고 할 수 있다.
이 모듈은 풀-브리지 한 개나 하프-브리지 2개로도 유연하게 구성이 가능하다.
ST의 고전압 BCD6s-offline 제조공정을 적용한 PWD13F60은 전력 MOSFET을 위한 게이트 드라이버와 하이-사이드 구동에 필요한 부트스트랩 다이오드를 통합하고 있기 때문에 외부 부품을 사용할 필요가 없어 보드 설계를 간소홯할 수 있으며 어셈블리 구현 또한 쉽다.
이 게이트 드라이버는 안정적인 스위칭과 낮은 EMI(Electromagnetic Interference)에 적합하다. 또한 SiP는 Cross-conduction protection과 UVLO(Under-Voltage Lockout)를 갖춰 시스템의 안전을 보장하는 동시에 풋프린트를 최소화할 수 있다.
이외에 PWD13F60은 6.5V까지의 폭넓은 구동 전압 범위는 설계를 간소화하고 유연성을 극대화한다. 또한 SiP 입력은 3.3 ~ 15V까지 로직 신호를 받을 수 있어 마이크로컨트롤러(MCU) 및 DSP(Digital Signal Processor), 또는 홀(Hall) 센서와 간편하게 인터페이스 할 수 있다.
PWD13F60은 현재 열 효율이 우수한 멀티-아일랜드(Multi-Island) VFQFPN 패키지로 구매가 가능하며, 가격은 1,000개 당 2.65달러에서 시작한다.
