ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 와이드 밴드갭(Wide-Bandgap) 기술로 전원공급장치 설계를 간소화해주는 차세대 통합 GaN(Gallium-Nitride) 브리지 디바이스인 MasterGaN1L 및 MasterGaN4L을 출시했다고 15일 밝혔다. ST의 MasterGaN 제품군은 650V GaN HEMT(High Electron-Mobility Transistor)와 최적화된 게이트 드라이버, 시스템 보호 기능을 비롯해 시동 시 디바이스에 전원 공급을 지원하는 통합 부트스트랩 다이오드를 모두 내장하고 있다. 최신 디바이스는 하프 브리지 구성으로 연결된 두 개의 GaN HEMT가 포함돼 있다. 이러한 배열은 능동 클램프 플라이백(Active-Clamp Flyback), 능동 클램프 포워드(Active-Clamp Forward), 공진 컨버터 토폴로지 기반의 스위치 모드 전원공급장치, 어댑터 및 충전기를 구현하는 데 적합하다. MasterGaN1L 및 MasterGaN4L은 각각 MasterGaN1 및 MasterGaN4 디바이스와 핀 호환된다. 이전 디바이스에 비해 새롭게 최적화된 턴온 지연을 갖춰 특히 공진 토폴로지의 경우 낮은 부하에서도 더 높
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 지원하는 ST 최초의 갈바닉 절연 게이트 드라이버인 STGAP2GS를 출시했다고 11일 밝혔다. 이 드라이버는 견고한 안전성 및 전기적 보호 기능과 더불어 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 효율성이 필요한 애플리케이션에서 크기를 줄이고 부품원가(BoM)를 절감해준다. 이 단일 채널 드라이버는 최대 1200V 또는 STGAP2GSN 협폭 버전의 경우 1700V의 고전압 레일에 연결할 수 있으며, 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다. 연결된 GaN 트랜지스터에 최대 3A의 게이트 전류를 싱킹 및 소싱할 수 있기에 높은 동작 주파수에서도 정밀한 스위칭 전환을 보장한다. STGAP2GS는 절연 장벽 전반에 걸쳐 전파 지연을 최소화해 단 45ns의 빠른 동적 응답을 보장한다. 또한, 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공함으로써 원치 않는 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다. STGAP2GS는 싱크 및 소스 핀을 별도로 사용할 수 있어 게이트 구동 동작 및 성능의 간편한 조정이 가능하다. STGAP2GS는 광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따
소개 최근 능동 와이드 밴드갭(WBG) 전력 소자가 상용 규모로 광범위하게 도입되면서 사용 사례가 급격히 증가하고 있다. 서버와 통신용 전원 공급장치와 같은 고전력 애플리케이션은 수용을 촉진하고 초기 성공을 주도하면서 가장 먼저 안착한 경우에 속한다. 서버 전원 공급장치의 경우 최근 AI 지원 프로세서의 전력 수요가 급격히 늘어남에 따라 서버당 전력 요구사항이 지속적으로 증가하여 현재 2.5kW를 넘어서고 있다. 마더보드에 직접 장착되는 전원 공급장치의 폼팩터는 그대로 유지되므로 전력 밀도가 85W/in³ 이상으로 크게 증가했다. 마찬가지로 5G 인프라의 본격적 구축과 함께 원격 기지국의 전력이 가파르게 증가하는 추세다. 바닥에 비용이 많이 드는 캐비닛 설치를 피하려면 AC-DC 전원 공급장치와 같은 장비를 전신주 위에 안테나에 가깝게 설치해야 한다. 이러한 애플리케이션에서 초저 높이 설계(1/2U 높이) 및 수동 냉각은 전원 공급장치의 밀도와 효율에 엄격한 요구사항을 부여한다. 마지막으로, 방대한 규모의 데이터 센터는 전체 소유비용을 최적화하려는 노력을 지속하는 가운데 48V 및 12V 에코 시스템의 효율을 모두 지금까지 도달하지 못한 한계까지 올리고 있다
5월 17일 오전 10시 30분~11시 30분, 두비즈 사전등록 통해 참여 가능 텍트로닉스가 ‘와이드 밴드갭 테스트 : Power 애플리케이션 및 검증 테스트 솔루션(with Isovu 프로브)’라는 제목으로 웨비나를 오는 5월 17일 개최한다. 텍트로닉스는 1946년 설립돼 75주년 이상 오실로스코프 분야에서 독보적인 명성을 유지해오고 있는 계측 전문 기업이다. 와이드밴드갭(WBG: Wide Band Gap) 반도체는 실리콘 카바이트(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN)를 기반으로 한 차세대 반도체다. 와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 실리콘 반도체보다 훨씬 작고 빠르며 효율적이다. 보다 넓은 동작구간에서 에너지 전달 및 동작이 가능해 더 높은 온도, 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 스피드 등 하에서 탁월한 성과를 나타낸다. 이번 웨비나에서는 와이드 밴드갭 테스트 문제, 측정 기술, 스코프, 프로빙 기술 및 테스트 장비의 필요성에 대한 내용이 다뤄질 예정이다. 발표 내용에는 와이드 밴드갭 반도체 디바이스에서 나타나는 어려운 문제를 해결하는 데 도움을 줄 수 있는 자동화된 테스트 소프트웨어에 대한 요구 사항도 포함된다. 이어지는 두 번째 세션에서는 지난해 텍트
5월 17일 오전 10시 30분~11시 30분, 두비즈 사전등록 통해 참여 가능 텍트로닉스가 ‘와이드 밴드갭 테스트 : Power 애플리케이션 및 검증 테스트 솔루션(with Isovu 프로브)’라는 제목으로 웨비나를 오는 5월 17일 개최한다. 한편, 텍트로닉스는 1946년 설립돼 75주년 이상 오실로스코프 분야에서 독보적인 명성을 유지해오고 있는 계측 전문 기업이다. 와이드밴드갭(WBG: Wide Band Gap) 반도체는 실리콘 카바이트(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN)를 기반으로 한 차세대 반도체다. 와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 실리콘 반도체보다 훨씬 작고 빠르며 효율적이다. 보다 넓은 동작구간에서 에너지 전달 및 동작이 가능해 더 높은 온도, 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 스피드 등 하에서 탁월한 성과를 나타낸다. 이번 웨비나에서는 와이드 밴드갭 테스트 문제, 측정 기술, 스코프, 프로빙 기술 및 테스트 장비의 필요성에 대한 내용이 다뤄질 예정이다. 발표 내용에는 와이드 밴드갭 반도체 디바이스에서 나타나는 어려운 문제를 해결하는 데 도움을 줄 수 있는 자동화된 테스트 소프트웨어에 대한 요구 사항도 포함된다. 이어지는 두 번째 세션에서는 지난
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