"이종집적 기술을 사용한 2.5차원, 3차원 패키지의 경우 매년 14% 이상 성장할 것" 삼성전자 AVP(Advanced Package) 사업팀장 강문수 부사장이 첨단 패키지 기술로 반도체의 한계를 넘겠다는 구상을 밝혔다. 삼성전자는 차세대 반도체 패키지 기술 개발에 속도를 낼 방침이다. 강 부사장은 23일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "스마트폰, 모바일 인터넷, AI, 빅데이터의 시대가 도래하면서 요구되는 컴퓨팅 성능은 빠르게 증가하고 있다"며 "하지만 반도체 기술의 진보와 혁신의 속도가 과거 대비 느려지고, 반도체 공정 미세화가 물리적 한계에 도달해 집적도의 증가 속도가 느려졌다"고 진단했다. 반도체 집적도가 24개월마다 두 배로 늘어난다는 '무어의 법칙'이 한계에 도달했다는 것이다. 강 부사장은 "이런 반도체 기술 한계를 극복하기 위해서는 무어의 법칙을 넘어설 새로운 방법이 필요하다"며 "우리는 이것을 '비욘드 무어'라고 부른다"고 설명했다. 이어 그는 "비욘드 무어 시대를 이끌 수 있는 것이 첨단 패키지 기술"이라고 소개했다. 반도체 생산은 크게 설계, 생산, 패키징 등으로 나뉘며, 패키징은 반도체를 탑재될 기기에 적합한 형태로 제작하는 공정이다
기판 불량 원인 신속하게 확인, 다양한 범위에 대한 평가 가능해져 큐알티가 차세대 반도체 패키지 기판의 내구성을 평가하는 물리적 스크래치 평가 솔루션을 공개했다. 반도체 공정 중 패키징은 반도체의 집적회로(IC)에 있는 전기적 신호를 전자제품 메인보드에 연결하는 과정으로, 외부 환경에서 제품을 보호하는 역할을 한다. 물리적 스트레스에 의해 반도체 내 미세 회로에 불량이 발생할 수 있어, 설계 단계부터 철저한 내구성 검증이 필요하다. 특히 고밀도 회로 기판의 경우 최근 5세대 이동통신과 인공지능, 자율주행 등의 기술 발달로 활용도가 급증하는 추세다. 큐알티는 IC와 PCB가 점차 고집적화하는 흐름에 따라, 나노 단위의 특성 분석에 적합한 스크래치 내성 평가 전용 설비를 도입했다. 최상급의 경도를 가진 다이아몬드를 265~550g 사이의 하중으로 반도체 표면에 일정 횟수 이상 반복해서 스크래치 스트레스를 인가함으로써 제품 내구성을 평가한다. 큐알티의 스크래치 내성 평가 솔루션은 기본적으로 웨이퍼, 유리 박막 경도 및 접착력, 스크래치 저항성 등의 여러 항목을 상세하게 분석해 기판의 불량 원인을 신속하게 확인하는 것은 물론, 휴대폰 액정 등 디스플레이의 보호층과
[헬로티] 한미반도체는 인천시 서구 주안국가산업단지에 반도체 패키지 절단 장비인 '마이크로 쏘'(micro SAW) 전용 공장을 준공했다고 7일 밝혔다. 6581㎡ 부지에 들어선 지상 3층 규모의 공장은 대형 클린룸, 워크웨이(작업대), 정밀 측정실, 최신 패킹 시스템 등 반도체 장비의 조립·테스트·납품 공정을 모두 갖췄다. 한미반도체는 최근 2년간 590억 원을 들여 4개 공장을 모두 준공함에 따라 연간 1320대의 장비를 생산할 수 있을 것으로 보고 있다. 그동안 반도체 패키지용 '듀얼척 쏘(Dual-chuck Saw)' 장비는 일본에서 전량 수입해왔으나, 한미반도체가 국내 최초로 국산화 개발에 성공했다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "글로벌 반도체 수요 증가로 인한 OSAT(외주패키징테스트) 업체의 장비 수요에 선제적으로 대응할 수 있을 것"이라며 "이번 공장 준공으로 반도체 후공정 장비 업계에서는 세계 최대 규모의 생산 능력을 갖추게 됐다"고 말했다.
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 05월 23일 18시 02분
