SiC 파워일렉트로닉스 실장기술의 현황과 전망
Hiroshi YAMAGUGHI
SiC 파워반도체는 최근 들어서 소자의 공급이 안정적으로 이루어지기 시작했기 때문에 이에 따르는 실장 기술은 아직 검토단계에 있다. 앞으로 실장기술의 발전이 고성능 파워일렉트로닉스의 진전을 좌우할 것으로 보이기 때문에, 업계 내에서 이 기술에 대한 기대가 크다.
따라서 Hiroshi YAMAGUCHI는 「일본실장학회지」 최신호에서 자세히 설명했다.
이 글을 요약하자면 앞서 설명한 것처럼 SiC 파워반도체는 최근 들어 소자 공급이 안정적으로 이루어지기 시작한 상황이기 때문에, 그 실장 기술의 검토는 최근 들어 본격화되는 단계에 있다. 또한 기존의 Si 파워반도체 소자와의 성능 차이를 어떻게 활용할 것인가에 대해서도 현재 몇 가지 방향성이 제시됐으며, 구체적인 응용 기기를 상정한 설계의 최적화도 본격화되는 단계에 있다.
SiC 파워일렉트로닉스라는 새로운 영역을 발전시키기 위해서는 SiC 파워반도체 소자의 뛰어난 능력에 대응하기 위한 주변회로 부품 및 주변 재료 기술 향상은 필수적이다.
아울러 실장 기술이 중요한데, SiC 파워일렉트로닉스용 실장 기술의 획득이 앞으로 고성능 파워일렉트로닉스의 진전을 좌우한다 해도 과언이 아니다.
고기능 파워일렉트로닉스의 진전에 있어 필수 기술로 작용할 실장 기술의 진전에는 큰 기대를 하고 있다. 또한 이 영역의 검토를 가속하기 위해 관련 연구 개발자의 확충에 힘써야 할 것으로 보인다.
