세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 질화갈륨(GaN) 기술의 정수를 담은 하프 브리지 전력 IC인 ‘MasterGaN6’를 출시하며 전력 관리 시장의 세대교체를 예고했다. 이번 신제품은 높은 집적도와 설계 유연성을 결합해 컨슈머 기기부터 산업용 전원 공급 장치까지 폭넓은 애플리케이션에 최적화된 성능을 제공한다.

 

MasterGaN6의 가장 큰 특징은 단 140mΩ의 낮은 온저항($R_{DS(on)}$)을 제공하는 고성능 GaN 전력 트랜지스터와 고도화된 BCD 드라이버를 단일 패키지에 통합한 ‘시스템 인 패키지(SiP)’ 구조다. 이를 통해 기존 실리콘 기반 솔루션보다 훨씬 빠른 스위칭 속도와 높은 에너지 효율을 구현했으며, 전력 손실을 획기적으로 줄였다.

 

특히 이번 2세대 제품에는 결함 표시(Fault) 및 스탠바이 기능을 위한 전용 핀이 추가되어 더욱 스마트한 시스템 관리가 가능해졌다. 저부하 효율을 극대화하는 초고속 웨이크업 기능과 고주파수 동작을 지원하는 첨단 드라이버 기술은 제조사가 PCB(인쇄회로기판) 크기를 대폭 줄이고 부품 원가(BOM)를 절감할 수 있도록 돕는다.

 

 

MasterGaN6은 최대 10A의 전류를 처리할 수 있어 고속 충전기, 어댑터는 물론 LED 조명 전원, 태양광 마이크로 인버터 등 고출력 밀도가 요구되는 산업군에 이상적이다. 또한 과열 차단, 저전압 차단 등 강력한 보호 기능을 내장해 시스템 안정성을 한층 강화했다.

 

ST 관계자는 “MasterGaN6은 단순한 부품 통합을 넘어 엔지니어들에게 최상의 설계 자유도를 제공하는 솔루션”이라며, “에너지 효율에 대한 요구가 높아지는 글로벌 시장 트렌드에 맞춰 전력 반도체의 새로운 기준을 제시할 것”이라고 강조했다.
 

헬로티 김재황 기자 |