브릿지룩스
고체 조명을 위한 GaN-ONSILICON기술 선보여

브릿지룩스(www.bridgelux.com)가 와 트(W)당 135 루멘의 성능을 낼 수 있는 GaN-on-Silicon 기반의 LED 기술 시연 에 성공, 관련 업계의 주목을 끌고 있다. 이는 실리콘 기반 LED를 위한 업계 최초 의 상용 등급 성능이다. 웨이퍼 성장 시 대부분의 LED 에피택 셜 웨이퍼는 사파이어 또는 탄화규소 (Silicon Carbide) 기판을 출발 재료로 사 용한다.

그러나 대구경 사파이어와 탄화 규소 기판은 가격이 비싸고 작업하기 까 다로울 뿐만 아니라 사용 범위가 제한적 이다. 따라서 상승된 생산 비용 및 제품 가격 은 가정 및 상업용 빌딩에서의 LED 조명 보급 확대에 걸림돌이 되고 있다. 그러나 저렴한 대형 실리콘 웨이퍼 상에서 질화 갈륨(GaN)을 성장시키는 기술을 이용하 면 최신 반도체 제조에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 현재 이용되고 있는 방식보 다 비용 측면에서 75％ 가량 개선이 가능 하다.

실리콘 기판으로의 전환은 LED 산업 에 있어서 혁신적인 계기가 될 것이며, 브 릿지룩스는 이 기술을 업계에 보급하는 데 좋은 입지를 보유하고 있다. 브릿지룩 스가 발표한 GaN on Silicon 성능 레벨은 1∼2년 전에 나온 최첨단 사파이어 기반 LED의 성능에 필적하는 것으로 이에 대 한 상용 제품은 향후 2∼3년 안에 공급할 수 있을 것으로 예상된다.