바스프, 전력 반도체 IGBT 하우징 제조에 활용되는 PPA 개발

2024.10.25 08:00:41

서재창 기자 eled@hellot.net

 

바스프가 차세대 전력 반도체 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 하우징 제조에 최적화된 폴리프탈아미드(PPA) 소재를 개발했다.

 

바스프는 새로운 울트라미드 어드밴스드 N3U41 G6을 통해 전기차, 고속 열차, 스마트 제조 및 재생에너지 발전 등에 활용되는 고성능의 안정적인 전자 부품에 대한 수요 증가에 대응할 수 있을 것으로 기대된다.

 

IGBT는 전력 전자장치에서 전기 회로의 효율적인 스위칭 및 제어를 가능하게 하는 전력용 반도체의 일종이다. 차세대 IGBT를 위한 소재 확보가 중요한 상황에서, 울트라미드 어드밴스드 N 등급은 뛰어난 내화학성과 치수 안정성으로 IGBT의 견고성, 장기 성능 및 신뢰성을 향상해 에너지 절약, 전력 밀도 및 효율성 향상에 대한 증가하는 요구를 충족시킬 수 있다. 바스프의 PPA 소재는 이러한 이점으로 전력 분야의 글로벌 기업인 세미크론 댄포스의 태양광 및 풍력 에너지 시스템 인버터에 적용되는 Semitrans 10 IGBT의 하우징으로 사용되고 있다.

 

 

세미크론 댄포스의 연구 및 사전 개발 담당 요른 그로스만(Jörn Grossmann)은 “IGBT는 현대의 전자기기, 특히 재생 에너지 부문에서 필수적으로 사용되는 부품으로, 더 높은 온도에서 작동되면서도 안정성과 성능을 유지할 수 있어야 한다”고 밝혔다. 

 

이어 그는 “바스프의 새로운 PPA 소재를 통해 Semitrans 10의 성능과 효율성에 대한 새로운 기준을 정립했다. 바스프의 소재는 열악한 환경에서도 높은 절연성을 보이며, 조립 공정에서 단기적으로 나타나는 피크 온도에서도 뛰어난 견고성을 유지했다”고 설명했다. 고성능 소재와 스마트 설계의 결합으로 스위칭 속도를 높이고 전도 손실을 줄이는 동시에 열 관리 효율을 개선하여 전력 제품 관련 요구 사항에 대응할 수 있다.

 

특히, 비할로겐 난연제를 사용하는 레이저 감응형 울트라미드 어드밴스드 N3U41G6은 높은 열 안정성, 낮은 수분 흡수율 및 우수한 전기적 특성이 결합된 제품이다. 600V(IEC 60112 기준)의 높은 CTI(Comparative Tracking Index, 비교 추적 지수)가 특징으로, 기존 제품보다 연면거리가 낮고 절연성이 우수해 IGBT의 소형화 지원이 가능하며, UL 인증 등급은 150°C의 우수한 전기적 RTI(상대 온도 지수) 값을 보여준다. IGBT 제조 시 바스프의 PPA는 사출 성형 후 금속 핀과 클램프를 반도체와 조립하는 데 사용되는 포팅 재료와 호환된다.

 

바스프 전력 전자 분야 애플리케이션 전문가 요헨 슈베르트(Jochen Seubert)는 “바스프의 PPA는 전 세계적으로 공급되며, 샘플링 서비스 및 고객 중심의 기술도 지원하고 있다”며, “새로운 PPA 소재는 전력 제품의 발전에 크게 기여해 재생 에너지로의 글로벌 전환을 지원할 것으로 기대된다”고 전했다.

 

헬로티 서재창 기자 |

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