[첨단 헬로티]

온세미컨덕터가 기업들이 특정 설계 문제를 해결하도록 돕기 위해 산업용 모터 드라이브 애플리케이션의 포트폴리오 확장한다고 밝혔다. 

현재 산업 자동화 및 로보틱스와 더불어 모터 드라이브 시스템이 급증하고 있는 가운데, 이러한 시스템은 열악한 산업환경에서 높은 신뢰성 및 에너지 효율, 정확한 측정, 그리고 정밀한 제어를 요구하고 있다. 또한 산업용 모터 드라이브를 위한 효과적인 반도체 개발에는 고급 설계, 액티브 및 패시브 부품 통합 기능, 기판 재료를 포함한 정교한 패키징, 고품질 및 신뢰성 표준이 필요하다. 

온세미컨덕터는 25, 35 및 50 암페어 버전의 1200V 애플리케이션용 TM-PIM(Transfer-Molded Power Integrated Modules)인 NXH25C120L2C2, NXH35C120L2C2/2C2E, NXH50C120L2C2E을 발표했다. 이는 CIB(컨버터-인버터-브레이크) 및 CI(컨버터-인버터) 구성에서 사용할 수 있다. 모듈은 6개의 1200V IGBT, 6개의 1600V 정류기 및 시스템 레벨 온도 모니터링을 위한 NTC 서미스터로 구성된다. CIB 버전은 다이오드와 결합된 추가 1200V IGBT를 사용한다. 새 모듈은 TM 캡슐화(encapsulation) 기능이 있어 온도 및 전력 모두의 수명주기를 연장한다. 이는 크기가 73 x 40 x 8 mm에 불과하고, 납땜 가능한 핀이 있으며, CIB 및 CI 버전에 대한 표준화된 핀-아웃을 가지고 있다. 

또한, 온세미컨덕터는 NFAM2012L5B와 NFAL5065L4B를 공개하며 650V, 1200V의 전압 정격, 1075A의 전류 정격 등 IPM(Intelligent Power Module) 포트폴리오를 확대했다. 해당 3상 인버터는 통합 단락 정격 트렌치 IGBT, 고속 복구 다이오드, 게이트 드라이버, 부트스트랩 회로, 옵션 NTC 서미스터 및 보호 기능을 갖춰 분당 2500 Vrms의 절연 등급을 통해 UL 1557 인증을 받은 안정적인 소형 모듈을 제공한다. 이러한 IPM은 구리 기판과 저손실 실리콘을 직접 접합하여 전력 사이클 수명과 열 방출을 개선한다.

NCD57000 및 NCD57001 IGBT 게이트 드라이버는 온-칩 갈바닉 분리를 통해 시스템 복잡성을 줄여 컴팩트하고 효율적이며 신뢰할 수 있는 게이트 드라이버 설계를 가능하게 한다. 해당 디바이스는 소스 및 싱크 전류를 각각 4A, 6A씩 제공하는 동시에, DESAT, 밀러 클램프(Miller clamp), UVLO, 인에이블(Enable), 레귤레이티드 VREF를 통합한다. 

NCS21871 제로 드리프트 연산 증폭기는 45µV의 낮은 입력 오프셋 전압으로 정밀한 신호 컨디셔닝을 제공하고 0.4µV/°C의 낮은 입력 오프셋 드리프트로 -40°C에서 +125°C의 정밀도를 유지한다. 이러한 파라미터는 로우-사이드 전류 감지에 효율적이다. 

NCP730 LDO 레귤레이터는 ±1% 출력 전압 정확도로 150mA를 제공하며 낮은 드롭아웃으로 작동 입력 전압 범위가 2.7V에서 38V이다. 이는 돌입 전류(Inrush current)를 억제하기 위한 통합 소프트-스타트, 과부화 조건에 대한 단락 및 과열 보호기능을 갖춰, 산업 자동화 애플리케이션에 사용 가능하다.