ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다.

 

이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합하다.

 

가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다.

 

 

이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수를 갖추고 있다.

 

게이트 임계전압은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다.

 

MDmesh M9 및 DM9 시리즈는 매우 낮은 역회복 전하와 역회복 시간도 갖춰 효율성 및 스위칭 성능을 한층 더 향상시켜준다.

 

ST의 최신 고전압 MDmesh 기술의 또 다른 기능은 본질적으로 빠른 바디 다이오드를 보장하는 추가적인 백금 확산 공정이다. 이전 공정에 비해 피크 다이오드 역회복 슬로프가 훨씬 뛰어나다. MDmesh DM9 기술에 속하는 디바이스 모두 매우 견고하며, 400V에서 최대 120V/ns까지 dv/dt를 견딜 수 있다.

 

헬로티 함수미 기자 |