업계 최초로 기존 양산 인프라 내에서 300mm 기반 GaN 생산 기술 개발

 

인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 300mm 웨이퍼 기반 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 생산이 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 회사는 2025년 4분기 고객사에 첫 샘플을 제공할 예정이며, 이를 통해 GaN 시장 내 입지를 한층 강화하고 글로벌 고객 기반 확대에 나선다. 

 

GaN 반도체는 실리콘(Si) 대비 높은 전력 밀도, 빠른 스위칭 속도, 낮은 전력 손실 특성을 지녀 스마트폰 충전기, 로봇, 태양광 인버터 등 다양한 전력 시스템의 소형화와 에너지 효율 개선에 기여하고 있다. 특히 산업용 및 휴머노이드 로봇, 신재생에너지 시스템 등 고출력·고속 제어가 요구되는 응용 분야에서 각광받고 있다. 

 

 

인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 전력 반도체의 3대 핵심 소재를 모두 공급하는 소수 업체 중 하나로, 설계부터 제조까지 직접 수행하는 IDM(종합 반도체 업체) 모델을 통해 제품 품질과 개발 유연성, 공급 안정성 측면에서 경쟁력을 확보하고 있다. 이러한 인하우스 생산 전략은 시장 대응 속도와 고신뢰 품질 보증 측면에서 핵심적인 차별화 요소로 작용하고 있다.

 

이번에 인피니언이 본격 추진 중인 300mm GaN 생산은 기존 200mm 웨이퍼 대비 생산성이 크게 향상된 기술이다. 웨이퍼 직경이 더 넓어 칩당 수율이 약 2.3배 증가하며, 비용 절감 및 양산 효율성을 극대화한다. 인피니언은 업계 최초로 기존 양산 인프라 내에서 이 300mm 기반 GaN 생산 기술을 성공적으로 개발한 것으로 알려졌다. 

 

시장조사업체에 따르면, 전력 애플리케이션용 GaN 시장은 2030년까지 연평균 36%의 고성장이 예상되며, 전체 시장 규모는 약 25억 달러에 이를 전망이다. 인피니언은 이같은 수요 증가에 선제 대응해 지난 1년간 40종 이상의 새로운 GaN 제품을 시장에 출시했으며, 고품질 전력 솔루션을 찾는 고객의 신뢰를 꾸준히 확보해가고 있다.

 

인피니언은 향후 고객 맞춤형 GaN 솔루션 공급 역량을 확대하고, 고효율 전력 시스템 혁신을 위한 협력도 강화할 계획이다. 이를 통해 전력 반도체 시장 내 기술 리더십과 상업적 성과를 동반 견인할 방침이다. 

 

헬로티 서재창 기자 |