로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 ‘로옴 레벨 3’(ROHM Level 3, 이하 L3)를 개발했다고 29일 밝혔다.

 

파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC 모스펫(MOSFET)용 SPICE 모델 ‘로옴 레벨1’은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다.

 

L3는 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50％ 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다.

 

 

L3의 제4세대 SiC 모스펫 모델(37기종)은 지난 4월부터 웹 사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 로옴은 새로운 모델 L3 제공과 병행해 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재해 도입이 용이하도록 서포트하고 있다.

 

로옴 관계자는 “앞으로도 로옴은 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해 전력 변환 기술 혁신에 기여해나갈 것”이라고 전했다.

 

헬로티 이창현 기자 |