감지 입력에서 최대 190V까지 견디며, 하이사이드 또는 로우사이드 구성으로 연결 가능 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 산업용 전원공급장치, 휴대용 기기 충전기, AC/DC 어댑터 등 실리콘 또는 GaN 트랜지스터로 구현되는 컨버터의 설계를 간소화하고 효율성을 향상시키는 SRK1004 동기식 정류기 컨트롤러를 출시했다. 감지 입력에서 최대 190V까지 견디는 SRK1004는 하이사이드 또는 로우사이드 구성으로 연결이 가능하다. 사용자는 4종의 제품 중 5.5V 또는 9V 게이트 구동 전압 디바이스를 선택만 해도 로직 레벨 MOSFET이나 표준 MOSFET, GaN 트랜지스터를 사용해 설계를 최적화하면서 복잡한 계산을 피한다. SRK1004는 비상보형 능동 클램프와 공진형 및 유사공진형(QR) 플라이백 토폴로지에 적합하기에 차세대 턴오프 알고리즘을 도입해 동작을 간소화하고 에너지를 절감해준다. 컨트롤러의 이러한 기능을 통해 컨버터는 컴팩트한 크기로도 높은 정격 출력 파워를 제공한다. 최대 500kHz에 이르는 동작 주파수로 소형 마그네틱 부품을 이용할 뿐 아니라, GaN 트랜지스터 사용 시 와이드 밴드갭 기술의 이점을 극대화한다. 이 컨트롤러는 ST의 S
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 지원하는 ST 최초의 갈바닉 절연 게이트 드라이버인 STGAP2GS를 출시했다고 11일 밝혔다. 이 드라이버는 견고한 안전성 및 전기적 보호 기능과 더불어 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 효율성이 필요한 애플리케이션에서 크기를 줄이고 부품원가(BoM)를 절감해준다. 이 단일 채널 드라이버는 최대 1200V 또는 STGAP2GSN 협폭 버전의 경우 1700V의 고전압 레일에 연결할 수 있으며, 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다. 연결된 GaN 트랜지스터에 최대 3A의 게이트 전류를 싱킹 및 소싱할 수 있기에 높은 동작 주파수에서도 정밀한 스위칭 전환을 보장한다. STGAP2GS는 절연 장벽 전반에 걸쳐 전파 지연을 최소화해 단 45ns의 빠른 동적 응답을 보장한다. 또한, 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공함으로써 원치 않는 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다. STGAP2GS는 싱크 및 소스 핀을 별도로 사용할 수 있어 게이트 구동 동작 및 성능의 간편한 조정이 가능하다. STGAP2GS는 광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따