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구형 D램 생산 축소...삼성·SK하이닉스 첨단 메모리 집중 선언

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글로벌 주요 반도체 제조사들이 구형(레거시) D램 생산을 대폭 축소하고 고사양, 고용량 첨단 제품 중심으로 전략을 전환하고 있다. 이는 중국 업체들의 물량 공세로 수익성이 악화된 구형 시장에서 탈피하고, 고부가가치 제품을 통해 수익성을 극대화하려는 움직임으로 풀이된다.

 

27일 대만 트렌드포스와 주요 현지 매체에 따르면 삼성전자는 PC·모바일용 구형 D램인 DDR4에 이어 HBM2E 제품의 생산도 단계적으로 줄이고, HBM3E와 차세대 HBM4 제품에 집중할 계획이다. SK하이닉스와 마이크론 역시 DDR4 생산량을 줄이고 최신 제품으로 생산 전환을 가속화하고 있다.


현재 메모리 시장의 중심은 DDR5와 HBM3E다. DDR5는 PC와 서버용 CPU에 적용되며, HBM은 엔비디아, AMD 등의 인공지능(AI) 가속기에 탑재돼 고성능 AI 연산에 필수적인 역할을 한다. 삼성전자는 올해 1월 실적발표에서 "DDR4, LPDDR4 매출 비중을 2024년 한 자릿수까지 축소하고, 고부가 제품 중심으로 포트폴리오를 전환하겠다"고 밝혔다. SK하이닉스 또한 선단 공정 전환을 서두르며 HBM과 DDR5, LPDDR5 비중을 확대하고 있다.

 

이러한 전략 변화는 구형 제품 가격 하락으로 인한 수익성 저하에 대응하기 위한 조치다. D램익스체인지에 따르면, PC용 DDR4 8Gb 제품 가격은 2018년 8.19달러에서 최근 1.35달러까지 급락한 상태다. 여기에 중국 창신메모리(CXMT)의 생산 확대가 가격 하락 압력을 더욱 가중시키고 있다.


HBM 시장 역시 고사양 제품 위주로 재편되고 있다. HBM2E는 이미 구형 제품으로 간주되며, 수요는 대부분 HBM3, HBM3E에 몰리고 있다. SK하이닉스는 특히 수익성이 높은 'HBM3E 12단' 제품 비중을 확대하고 있으며, 이 제품은 8단 제품 대비 가격이 50~60% 가량 높다.

 

SK하이닉스는 올해 안에 차세대 HBM4 양산 준비를 마무리할 계획이다. 내년부터는 HBM3E 12단과 HBM4 제품이 물량의 대부분을 차지할 전망이다. 마이크론 역시 HBM2E를 건너뛰고 HBM3E 제품으로 시장에 직접 진입하는 전략을 택했다. 업계 관계자는 "최신 AI 칩셋에 탑재될 고사양 메모리를 주력으로 삼아 엔비디아 같은 빅테크 기업에 공급하는 것이 수익 극대화의 핵심"이라고 강조했다.


이러한 첨단 제품 중심 전략은 낸드 플래시 시장에서도 확산되는 추세다. 주요 제조사들은 구형 제품 비중을 줄이고, 기업용 SSD(eSSD) 및 고단 적층 제품 등 고부가가치 제품에 집중하고 있다. 이 방향성은 메모리 반도체 업계 전반에 걸쳐 확산되며, 향후 시장 판도를 재편할 주요 흐름으로 주목받고 있다.


구형 메모리 시장에서 발을 빼고 첨단 제품에 집중하는 것은 자연스러운 전략 전환이지만, 한편으로는 향후 치열한 첨단 메모리 주도권 경쟁을 예고하고 있다. 특히 AI와 고성능 컴퓨팅 수요가 급증하는 가운데, HBM, DDR5, LPDDR5 등 차세대 메모리 제품의 경쟁력 확보가 향후 반도체 기업들의 수익성과 시장 점유율을 좌우할 것으로 전망된다.

 

이런 가운데 중국 업체들의 기술 추격이 계속되면서 글로벌 반도체 업체들은 첨단 공정 전환과 제품 고도화를 통해 기술 격차를 유지하는 데 더욱 집중할 것으로 예상된다.

 

헬로티 서재창 기자 |









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