▲ 29일 진행된 ‘공동 리서치센터’ 개소식에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장(왼쪽)과 SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴(Adaire Fox-Martin) 회장(오른쪽)이 현판을 들고 기념 촬영을 하고 있다. [사진=삼성전자]

[헬로티]
삼성전자와 SAP가 인메모리 플랫폼 개발을 위해 손잡았다. 삼성전자와 SAP는 인메모리 플랫폼 ‘SAP HANA’의 공동 기술 개발을 위해 삼성전자 부품연구동에 공동 리서치센터를 설립하고 29일 개소식을 열었다.

양사는 지난 6월 공동 리서치센터 설립을 위해 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 ‘차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)’을 체결했다.

공동 리서치센터에서는 ‘SAP HANA’를 도입하기 전에 시험 운용, 시스템 소비전력 최소화 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또한, 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행될 예정이다.

특히, 양사는 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3 Dimensional Stacking) 모듈을 탑재한 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 ‘SAP HANA’를 구현하는 데 집중할 계획이다. 구현에 성공하면 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 것으로 보인다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 되었다”며, “초고용량 메모리 시대를 지속적해서 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

김지환 기자 (ueghqwe@hellot.net)